5-100v系统中高边开关和防止电流倒灌方案-无锡明芯微

在充电电流比较大的应用中，用户往往使用多颗PMOSFET并联使用作为高边开关，成本较高，且体积较大。在此电路中MX5069配合NMOSFET不仅可以降低成本、缩小体积，而且可以实现多种保护功能。

而在防反电路中用户往往使用肖特基并联，不仅体积大、压降大，而且由于肖特基压降的负温度特性导致并联失衡，容易炸管。推荐用户使用MX16171D100配合MOSFET可以完美解决上述肖特基带来的问题。

MX5069除了应用于充电回路以外，在BMS的放电回路同样适用，如果用户为了实现负端地的连续性，往往使用高边放电NMOSFET，如下图所示

作者： 王萌， 来源：面包板社区

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无锡明芯微的MX16171D100是一款耐压100V的理想二极管，自适应驱动外部的NMOSFET，使得回路的压降低于20mV，并且具有低于1us的反向快速关断功能

MX5069是一款耐压100V的高边驱动器，产品集成了输入过压、欠压、过流等保护功能；另外此款产品还具有软起动功能

尤其适合较大的容性负载以及电池欠压充电的状态；内置的PGOOD可以为SOC提供状态指示