有关MOS管的种种

关于名字：学术叫法：绝缘栅型场效应管（IGFET）。叫MOS管乃Mental Oxide Semi-Conductor(金属氧化物半导体场效应管)的缩写。

 

关于分类：根据物理结构中不同材料做衬底，可以分为N沟道（衬底为P型硅片，形成的导电沟道中是电子）和P沟道（衬底为N型硅片，形成的导电沟道中是空穴）场效应管。根据物理结构上衬底的表面是否扩散一层与衬底导电类型相反的掺杂区而分为增强型和耗尽型。有掺杂区的为耗尽型，在U_gs为0时，漏极电流i_d不为0；没有掺杂区的是增强型，在U_gs为0时，漏极电流i_d为0。

 

关于判断场效应管类型的方法：

1，根据器件符号判断：N沟道的箭头都是向内，P沟道的箭头都是向外；结型的电路符号就三根线（源极，栅极，漏极），绝缘栅型有四根信号线；增强型中有虚线，耗尽型中没有。（机械的记忆，不推荐，但熟悉之后较为简便）

2，先根据U_DS值的极性判断导电沟道类型——正为N沟道，负为P沟道；然后根据U_GS=0时，若i_d为最大电流，则为结型场效应管，否则为绝缘栅型场效应管；若确定为绝缘栅型场效应管，再根据当U_GS=0时，若i_d=0,则为增强型，否则为耗尽型。（需要建立在有场效应管特性曲线的基础上，要求较高）