DRA642的DDR自刷新功能

DDR自刷新是一个在移动设备领域非常常用的特性。

网上很难找到TI DM814X系列CPU的DDR自刷新说明，甚至FAE都没有触及过这个特性。

因为这个系列的CPU本身不是为移动设备设计的，所以多数使用者不会涉及这个部分。

这也是我写这篇文档的原因，如果确实需要用到这个特性，可以参考一下。

另外，没有用过这个特性的人，也可以了解一下。

DDR处于自刷新状态时，CPU无法访问DDR数据，DDR数据不丢失，但DDR功耗会比正常使用时低很多。

具体自刷新功耗（待机功耗）可以通过DATASHEET查到。

通常在DDR DATASHEET里有一章：Electrical Characteristics – IDD Specifications

Idd就是 DDR在不同状态下的电流值。

例如，我当前使用的美光DDR3，REV K的IDD说明：

这么多IDD，都是那些状态呢？美光的说明书里没有，我在三星的说明书里找到描述：

所以，IDD6一般就是自刷新电流。

DDR3标准进入自刷新（SR：SELF REFRESH）命令：CLK高时，CKE低=自动刷新（AR: AOTU REFRESH）命令+CKE低。

退出自刷新命令：正常读命令或自动刷新命令，

进入自刷新后，必须有一定时间不能下退出自刷新命令。

退出自刷新后，必须有一定时间不能有写入操作。

按照文档 的说明：

 dm814xReferenceManual_sprugz8e.pdf  

tms320dm8148.pdf

The memory controller automatically puts the SDRAM into