1 过剩噪声
在APD中,每个光生载流子不会经历相同的倍增过程,具有随机性,这将导致倍增增益的随机波动,这种起伏产生了一种超过原来只有散粒噪声得到放大的噪声水平,这称为过剩噪声。
式种,x是过程噪声指数,其与器件所用材料和制造工艺有关。Si-APD的x在0.3~0.5之间,Ge-APD的x在0.8~1.0之间,InGaAs-APD的x在0.5~0.7之间。
2 信噪比
探测器输出的信号光散粒噪声电流的均方为:
其中
是噪声系数,它与雪崩过程的随机特性有关。
另外暗电流是指,在没有光入射时流过检测器偏置电路的电流,它是体暗电流
和表面电流
之和。
来自于检测器的pn结内因为热运动而产生的电子空穴。对于APD,
为
表面暗电流由表面结构(缺陷,清洁程度,面积大小)和偏置电压决定
热噪声是电阻种电子的热运动引起,电路种只要由电阻存在,这一噪声就必不可免,APD的热噪声电流的均方为
其中为玻尔兹曼常熟,T是绝对温度。
探测器的总均方噪声电流为
APD探测器上的各项噪声相互独立,所以可视范围内有信号光到达APD探测器时,输出总噪声电流的均方根为四项噪声之和,即信噪比为
对于pin光电二极管,主要噪声电流来自于检测器负载电阻和放大电路的有源器件;而对于雪崩二极管,热噪声并不占重要地位,主要噪声来源于光电检测器的散粒噪声和体暗电流噪声。
Si,Ge,InGaAs雪崩二极管通用特征参数