属于窄带噪声的是热噪声_探测器的噪声

  

1 探测器的噪声

 信号在传输和处理过程中总是会受到一些无用信号的干扰，人们通常称这些干扰信号为噪声。光电探测器在进行光电转换的过程中，同样要引入噪声，称为光电探测器的噪声。

如果用表示信号，经过传输或者变换后变成，那么噪声即是

显然，噪声 表示了偏离的程度。

1.1 噪声的度量

噪声是一种随机信号，它实质就是物理量围绕其平均值的涨落现象。噪声本身是统计独立的，所以能用统计的方法来描述。长时间看，噪声产生的电压从零向上涨和向下落的机会是相等的，其时间平均值一定为零。所以用时间平均值无法描述噪声的大小。但是任何一个宏观测量的物理量都是微观过程的统计平均值。研究噪声一般采用长周期测定其均方值(即噪声功率)的方法。对于平稳随机过程，通常采用先计算噪声电压(电流)的平均值，然后将其对时间作平均，来求噪声电压(电流)的均方值，即

上式表示噪声电压(电流)消耗在 1欧姆电阻上的平均功率通称为噪声功率。

由于产生探测器起伏噪声的因素往往很多，且这些因素又彼此独立，因此总的噪声功率等于各种独立的噪声功率之和，即

1.2 噪声的分类

根据噪声产生的原因可以分为以下几类

图1.2 噪声的分类

其中外部原因产生的噪声又称为有形噪声，一般可以预知，因而总可以设法减少和消除。内部原因产生的噪声一般表现为无规则起伏，称为无规则噪声。例如，电阻中自由电子的热运动，真空管中电子的随机发射，半导体中载流子的随机产生和复合等。这些随机因素把一种无规则起伏施加给了有用信号。

依据噪声产生的物理原因，光电探测器的噪声主要是散粒噪声，产生-复合噪声，热噪声和低频噪声。

是光电转换物理过程中固有的，是一种不可能人为消除的输出信号的起伏，是与器件密切相关的一个参量。因为在光电转换过程中，半导体中的电子从价带跃迁到导带，或者电子逸出材料表面等过程，都是一系列独立事件，是一种随机的过程。每一瞬间出现多少载流子是不确定的，所以随机的起伏将不可避免地与信号同时出现。尤其在信号较弱时，光电探测器的噪声会显著地影响信号的准确性。

1.3 散粒噪声

探测器的散粒噪声是由于探测器在光辐射作用或热激发下，光电子或光生载流子的随机产生所造成的，由于随机起伏是一个一个的带电粒子或电子引起的，所以称为散粒噪声。

这种噪声存在于所有光电探测器中，电子管中任一短时间T内发射出来的电子决不会总是等于平均数，而是围绕这一平均数有一涨落。

从涨落的均方偏差可求出散粒噪声功率为

为探测器工作带宽或写为B，e为电子电荷，为热激发平均电流，也称为暗电流。

其有效值为

响应的噪声电压为为

如果探测器具有内增益M，则上式子还应该乘以M。也适用于光电倍增管和雪崩光伏探测器

1.4 产生—复合噪声

对光电导探测器，载流子热激发也是电子—空穴对。电子和空穴在运动中与光伏器件重要的不同点就在于存在严重的复合过程，而这些复合过程也是随机的。半导体中由于载流子产生于复合的随机性而引起的平均载流子浓度起伏所产生的噪声称为产生—复合噪声。亦称g—r噪声(generation—recombination noise)标记为     和，即

g—r噪声主要存在于光电导探测器中。于前面的散粒噪声本质是相同的，都是由于载流子数随机变化所致，所以有时也把这种载流子随机起伏引起的噪声归并为散粒噪声。 为光电导探测器的内增益，它是载流子平均寿命和渡越时间的比值。

1.5 热噪声

热噪声是由耗散元件中电荷载流子得随机热运动引起得的。任何一个处于热平衡条件下的电阻，即使没有外加电压，也都有一定量的噪声。

图1.3 热噪声模型

AB两极间的电阻为R，在绝对温度T时，体内的电子处于不断地热运动中，是一团毫无秩序可言地电子运动。从时间平均来说，这两种方向的电子数一定相等，不会有电流通过AB。但是如果考虑流过S面的电子数均方偏差，这样在AB两端就应出现电压涨落。热噪声属于白噪声频谱。

这一电压涨落直到1928年才为琼斯的试验证实。同时内奎斯特推导出热噪声电流为

K 为波尔斯曼常数，T为绝对温度。相应的热噪声电压为

有效噪声电压和电流分别为

一个电阻R在其噪声等效电路中，可以等效为电阻R与一个电压源  的串联，也可以等效为电阻R与一个电流源相并联。如图图1.3 所示。

1.6 1/f噪声

1/f噪声又称为闪烁或低频噪声。这种噪声是由于光敏层的微粒不均匀或不必要的微量杂质的存在，当电流流过时在微粒间发生微火花放电而引起的微电爆脉冲。几乎在所有探测器中都存在这种噪声。它主要出现在大约1KHz以下的低频频域，而且与光辐射的调制频率f成反比，故称为低频噪声或1/f。试验发现，探测器表面的工艺状态(缺陷或不均匀等)对这种噪声的影响很大，所以有时也称为表面噪声或过剩噪声。一般说，只要限制低频端的调制频率不低于1KHz，这种噪声就可以防止。电流噪声的均方值可用经验公式表示为

k1为与探测器有关的比例系数，与探测器制造工艺，电极接触情况，半导体表面状态及器件尺寸有关；a为与材料有关的常熟，通常在0.8~1.3之间，大多数材料可近似取值为1；b与流过器件的电流i有关通常取值2。于是

一般来说，只要限制低频端的调制频率不低于1KHz，这种噪声就可以防止。

1.7 温度噪声

热探测器通过热导G与处于恒定温度的周围环境交换热能。在无辐射存在时，尽管热探测器处于某一平均温度T0，但实际上热探测器在T0附近呈现一个小的起伏，这种温度起伏引起的热探测器输出伏称为温度噪声。热探测器由于温度起伏引起的温度噪声功率为

温度噪声功率与热导成正比，与探测器工作温度的平方成正比，温度宗盛主要存在与热探测器中。它最终限制了热探测器所探测的最小辐射能量。

温度噪声与热噪声在产生原因，表现形式上有一定的差别，主要区别在于。对于热噪声，材料的温度T一定，引起粒子随机性波动，从而产生了随机性电流。对于温度噪声，材料温度有变化，从而导致热流量的变化，这种热流量的变化导致产生物体的温度噪声。