晶体封装越小esr越大_晶振电路知识讲解之晶体参数详解

1.

晶振与晶体的区别晶振是有源晶振的简称，又叫晶体则是无源晶振的简

称，也叫(无源)一般是直插两个脚的无极性元件，需要借助(有源)一般是表贴四个脚

的封装，内部有时钟电路，只需供电便可产生振荡信号。一般分

7050

、

5032

、

3225

、

2520

几种封装形式。

2. MEMS

硅晶振与石英晶振区别

MEMS

硅晶振采用硅为原材料，采

用先进的半导体工艺

3.

晶体谐振器的等效电路

4.

关键参数

4.1

标称频率

4.2

调整频差

4.3

温度频差

在整个温度范围内工作频率相对于基准温度时工作频率的允许偏离。

常用

ppm

表示。

4.4

老化率

指在规定条件下，由于时间所引起的频率漂移。这一指标对精

密晶体是必要的，但它“没有明确的试验条件，而是由制造商通过对所有产品有计划抽验

进行连续监督的，

某些晶体元件可能比规定的水平要差，

这是允许的”

(根据

IEC

的公告)

。

老化问题的最好解决方法只能靠制造商和用户之间的密切协商。

4.5

谐振电阻

(

Rr

)

指

晶体元件在谐振频率处的等效电阻，当不考虑

C0

的作用，也近似等于所谓晶体的动态电

阻

R1

或称等效串联电阻

(ESR)

。

这个参数控制着晶体元件的品质因数，

还决定所应用电路

中的晶体振荡电平，

因而影响晶体的稳定性以致是否可以理想的起振。

所以它是晶体元件

的一个重要指标参数。一般的，对于一给定频率，选用的晶体盒越小，

ESR

的平均值可能

就越高；绝大多数情况，在制造过程中并不能预计具体某个晶体元件的电阻值，而只能保

证电阻将低于规范中所给的最大值。

4.6

负载谐振电阻(

RL

)

指晶体元件与规定外部

电容相串联，在负载谐振频率

FL

时的电阻。对一给定晶体元体，其负载谐振电阻值取决

于和该元件一起工作的负载电容值，串上负载电容后的谐振电阻，

总是大于晶体元件本身

的谐振电阻。

4.7

负载电容

(

CL

)

与晶体元件一起决定负载谐振频率

FL

的有效外界电

容。晶体元件规范中的

CL

是一个

4.8

静态电容(

C0

)

等效电路静态臂里的电容。它

的大小主要取决于电极面积、晶片厚度和晶片加工工艺。

4.9

动态电容(

C1

)

等效电

路中动态臂里的电容。它的大小主要取决于电极面积，另外还和晶片平行度、微调量的大

小有关。

4.10

动态电感(

L1

)

等效电路中动态臂里的电感。动态电感与动态电容是一

对相关量。

4.11

谐振频率(

Fr

)

指在规定条件下，晶体元件电气阻抗为电阻性的两个