乐鑫科技线上笔试什么内容_FPGA、数字IC系列（1）——乐鑫科技2021数字IC提前批笔试（下）...

不对的地方欢迎指出。

三．填空题

1.assign重写一段代码。

答案：assign out = (in&(a^b))|(~in&{in[6:0],1’b0});

解析：    in[i]=1时，a[i]^b[i]；

              in[i]=0时，左移一位，最低位补零。

2.将2004个叫1"异或起来的结果为(0)。

答案：0

解析：偶数个1异或为0.

3.用2048x12的ROM芯片，最多能实现()个输入 ()个 输出的组合逻辑的数。

答案：11，12

解析：2048=2^11，2048深度，是11位地址位，2048*12表示11位输入地址、12位输出数据(ROM只能输出)。

4.一个4bits的输入A，AE= 4'b0, A中从MSB开始出现的第个1的位置表示为B。e.g.: A= 4'b0111. B= 2'b10 (从MSB开始，第一个1出现在A的bit2)

B[1]= () B[0]= ().

答案：A[3]|(~A[3]&A[2])，A[3]|(!A[3:2]&A[1])

解析：

A[3]=1时，B=2’11，B[1]=1，B[0]=1；

A[3]=0，A[2]=1时，B=2’10，B[1]=1，B[0]=0；

A[3]=0，A[2]=0，A[1]=1时，B=2’01，B[1]=0，B[0]=1；

A[3]=0，A[2]=0，A[1]=0，A[0]=1时，B=2’00，B[1]=0，B[0]=0；

B[1]=1时：A[3]|(~A[3]&A[2])

B[0]=1时：A[3]|(!A[3:2]&A[1])

~是按位取反，!是逻辑取反(非0即1)

5.某个SRAM共12根地址线A11 -A0，32根数据线D31-D0, 如果要实现20Dytes的Memory,需要()块这样的SRAM?

答案：64

解析：12根地址线，存储深度为2^12，32根数据线有4 Bytes,即一个SRAM存储2^14 Bytes，共需 2^20 / 2^14 = 2^6 = 64 块。

6.已知R1= R2 = R3 = R4 = R5 = R6 = R,下图从电源两端向右看去的等效电阻为(2R)。

7. 一批IC样品在测试中发现有setup或者hold时序问题 现取A B. C、D四颗样品进行测试A降温后停止工作，则很可能是()问题: B升温后停止工作，则很可能是()问题; C降压后停止工作，则很可能是()问题，D升压后停止工作，则很可能是()问题。

答案：hold(不确定)，setup(不确定)，setup，hold

解析：

电压的关系可以确定，setup可以用提高电压来满足，所以C降压后停止工作可能是setup问题，D升压后停止工作可能是hold问题。

温度的关系没找到相关资料，但是按出题人的思路想，应该是和电压的影响相反，这里A和B**猜测**是hold和setup。

这里涉及的是PVT(Process,Voltage，Temperature)，本人不是做这方面的，不深入去找了。

8.下图表示几进制计数器

答案：五

解析：最后的Q2部分，上面1J处的意思是先把两输入信号做“与”运算，再将运算结果作为JK触发器的输入，在Quartus中绘制原理图如图所示，给出Modelsim仿真，可以按照仿真波形去验证自己画出的波形，对Q2，显然每5个CP时钟出现一次高电平脉冲，五进制计数器。

9.OOP的三大特征是(封装性、继承性、多态性)。

10.NAND和NOR Flash的主要区别是1.(NAND)中常存在坏块， 2.(NAND)容量可以做到很大，3.(NAND)写入速度比较快， 4.(NOR Flash)读出速度比较快

四．问答题

1.请根据下面的设计描述，尽可能多的列出你所能想到的测试点。

如下图所示异步FIFO, rdata和wdata均为8位数据，FIFO深度为16.当rst_n输入为低时，FIFO被复位，当wclk的上升沿采样到wr为高时，数据被写入

FIFO;当rclk的上升沿采样到rd为高时，FIFO输出数据。此外，当FIFO为空时，empty信号输出为高，当FIFO满时， full信号输出为高。

测试点：

(1)复位信号，复位给出后各信号状态；

(2)读写同时有效时的判断，读写冲突先执行读还是先执行写；

(3)写溢出时的数据处理和full满标志位；

(4)读为空时的数据输出和empty空标志位；

(5)欢迎补充。。。

2.请实现对4*4矩阵式键盘的按键识别，假设每次都是单按键输入，需要有去抖功能(持续20 ms以上被认为是有效键值) ,模块时钟频率为1 kHZ.

要求用状态机实现，定义状态，画出状态转移图，并用Verilog完整描述该识别模块。

矩阵式键盘电路结构参见下图，其中行线1-4由识别模块控制输出，列线5~8为识别模块的输入。

解析：可以参考单片机的矩阵键盘检测(扫描法)和防抖(加延时，两次检测)，转成状态机形式。

3.Verilog实现串行CRC-8，G(D)=D8+D2+D+1。

解析：状态机，可以按照C语言的CRC-8转成状态机写法，用计数器代替for循环。

选择题部分：

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