fdtd中时间监视器怎么放_三维集成转接板互连电磁传播仿真中吸收边界条件的 选取及其验证...

在三维集成SiP(System in Package)中，硅基转接板具有互连密度高、散热性好及与芯片的热机械兼容性好等方面的优势，已经成为重要的多芯片集成和芯片间互连架构技术之一。SiP中元器件及其相互间互连集成度的日益增长容易导致互连结构之间出现不可忽视的电磁寄生耦合与干扰，而高密度互连网络复杂的结构特征使得解析方法很难精确地揭示这些寄生效应和预测其对电磁信号在互连上传输特性的影响，因此计算电磁学方法将成为首选分析方法。

与矩量法(Method of Moments，MOM)、有限元法(Finite Element Method，FEM)、传输线法(Transmission-Line Modeling，TLM)等计算电磁学方法相比，YEE K S^[1]于1966年首次提出的FDTD法可以实现时域电磁波传播的直接仿真，在计算资源的占用、媒质参数的空间分布、目标形状复杂性的适应性和算法实现的难易度方面具有优势，更适合于转接板中2.5维、3D化互连电磁场的分布、传播特性的分析。

考虑到转接板互连在板平面方向上可以视为二维开放性空间问题，故需要引入吸收边界条件(Absorbing boundary condition，ABC)的概念，使得在有限大的二维网格空间中就能完成相应的电磁场传播行为仿真^[2]。常用的吸收边界有：MURG^[3]通过对波动方程进行因式分解，近似得到的二阶Mur边界；MEI K^[4]等提出的超吸收边界；BERENGER J P^[5]通过在边界处加入吸收材料提出的PML技术。吸收边界条件的设定对计算结果的正确性和精确性有很大影响。

本文以三维集成转接板互连结构间的电磁干扰特性分析为背景应用，以转接板水平互连层间的二维TE波平面传播这一电磁干扰常见的传播模式为主要研究对象，分析了Mur、PML边界条件的基本解析公式并导出相应的离散算法，编制了用FDTD算法仿真二维TE波传播的C++软件代码，比较了在二阶Mur吸收边界与PML吸收边界下TE波的传播特性以及这两种边界设定的有效性。

1 三维集成转接板中TE波的传播

三维集成转接板上的互连结构如图1所示，以下介绍用FDTD算法推导TE波离散数值解的简要步骤。

二维情况下，假设所有物理量的表达式均与z无关，即=0。以二维TE波为例，在直角坐标中麦克斯韦的旋度方程可以表示为：

式中CA(m)、CB(m)、CP(m)、CQ(m)是介质参数随坐标变化的系数。Δx与Δy为x、y坐标方向的网格剖分步长，Δt为时间步长。TE波中电场与磁场网格在空间上的分布如图2所