RC吸收电路
RC吸收电路也叫RC缓冲电路,它是电阻Rs与电容Cs串联,并与开关并联连接的电路结构。用于改进电力电子器件开通和关断时刻所承受的电压、电流波形。
目录
RC吸收电路的原理
RC吸收电路的作用
RC吸收电路的原件选择
RC吸收电路的原理
若开关断开,蓄积在寄生电感中能量对开关的寄生电容充电的同时,通过吸收电阻对吸收电容充电。由于吸收电阻作用,阻抗变大,那么,吸收电容也等效地增加了开关的并联电容容量,为此,抑制开关断开的电压浪涌。开关接通时,吸收电容通过开关放电,其放电电流被吸收电阻所限制。
RC吸收电路的作用
为了限制电路电压上升率过大,确保晶闸管安全运行,常在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络,利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感),所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用,它可以防止R、L、C电路在过渡过程中,因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。同时,避免电容器通过晶闸管放电电流过大,造成过电流而损坏晶闸管。
由于晶闸管过流过压能力很差,如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
RC吸收电路的原件选择
电容的选择
C=(2.5-5)×10的负8次方×If
If=0.367Id
Id-直流电流值
如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)
可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF
选用2.5mF,1kv
的电容器
电阻的选择:
R=((2-4)
×535)If=2.14-8.56
选择10欧
PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)2
Pfv=2u(1.5-2.0)
u=三相电压的有效值
阻容吸收回路在实际应用中,RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。
小功率负载通常取2毫秒左右,R=220欧姆1W,C=0.01微法400~630V。
大功率负载通常取10毫秒,R=10欧姆10W,C=1微法630~1000V。
R的选取:小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻;大功率选RX21线绕或水泥电阻。
C的选取:CBB系列相应耐压的无极性电容器。
看保护对象来区分:接触器线圈的阻尼吸收和小于10A电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴;接触器触点和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。
RC吸收回路的作用,一是为了对感性器件在电流瞬变时的自感电动势进行钳位,二是抑制电路中因dV/dt对器件所引起的冲击,在感性负载中,开关器件关断的瞬间,如果此时感性负载的磁通不为零,根据愣次定律便会产生一个自感电动势,对外界辞放磁场储能,为简单起见,一般都采用RC吸收回路,将这部份能量以热能的方式消耗掉。
设计RC吸收回路参数,需要先确定磁场储能的大小,这分几种情况:
1、电机、继电器等,它的励磁电感与主回路串联,磁场储能需要全部由RC回路处理,开关器件关断的瞬间,RC回路的初始电流等于关断前的工作电流;
2、工频变压器、正激变压器,它的励磁电感与主回路并联,励磁电流远小于工作电流。虽然磁场储能也需要全部由RC回路处理,但是开关器件关断的瞬间,RC回路的初始电流远小于关断前的工作电流。
3、反激变压器,磁场储能由两部份辞放,其中大部份是通过互感向二次侧提供能量,只有漏感部份要通过RC回路处理,
以上三种情况,需要测量励磁电感,互感及漏感值,再求得RC回路的初始电流值。
R的取值,以开关所能承受的瞬时反压,比初始电流值;此值过小则动态功耗过大,引值过大则达不到保护开关的作用;
C的取值,则需要满足在钳位电平下能够储存磁能的一半,且满足一定的dV/dt
C关断缓冲 R开通限流,电阻的阻值基本可以按照 R=(sqrt(Llk/Cj))/n
这个公式计算,功率根据实际情况选择,C一般都在102---103之间选择,选C时在考虑吸收效果的同时还需考虑EMI的相位和后面输出电容的纹波电流应力
C=(Ip*Tf)/(2*2*Vdc)
Ip:峰值电流
Tf:集电极电流从初始值下降到零的时间
Vdc:输入的直流电压
R=Ton(min)/(3C)
Ton(min):开关管最小的导通时间
晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容及阻容元件的选择2009-06-24
23:41一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中,常在其两端并联RC串联网络,该网络常称为RC阻容吸收电路。 我们知道,晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数-断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下,使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大,超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值,则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压,也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。 在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下,因各层相距很近,其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时,便会有充电电流流过电容C0,并通过J3结,这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时,阳极电压上升速度太快,则C0的充电电流越大,就有可能造成门极在没有触发信号的情况下,晶闸管(可控硅)误导通现象,即常说的硬开通,这是不允许的。因此,对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。 为了限制电路电压上升率过大,确保晶闸管(可控硅)安全运行,常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络,利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感),所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用,它可以防止R、L、C电路在过渡过程中,因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。同时,避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大,造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。 由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差,如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。 二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择 电容的选择: C=(2.5-5)×10的负8次方×If If=0.367Id Id-直流电流值 如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅) 可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF 选用2.5mF,1kv
的电容器 电阻的选择: R=((2-4)
×535)/If=2.14-8.56 选择10欧 PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2 Pfv=2u(1.5-2.0) u=三相电压的有效值阻容吸收回路在实际应用中,RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。 小功率负载通常取2毫秒左右,R=220欧姆/1W,C=0.01微法/400~630V/。 大功率负载通常取10毫秒,R=10欧姆/10W,C=1微法/630~1000V。R的选取:小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻;大功率选RX21线绕或水泥电阻。 C的选取:CBB系列相应耐压的无极性电容器。 看保护对象来区分:接触器线圈的阻尼吸收和小于10A电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴;接触器触点和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。