IBM获5 nm芯片突破 手机续航提升2、3倍

　　摩尔定律已死？IBM与其芯片合作伙伴Globalfoundries和三星可不同意。

日前，IBM宣布，三家研发了一种晶体管制造技术，将为5 nm芯片铺平道路。虽然团队所使用的芯片蚀刻技术与7 nm芯片同为极紫外光刻（EUV），但却没有采用有利于硅纳米片堆叠的鳍式场效应晶体管（FinFET）设计。

据IBM介绍，新技术能够将更多的晶体管容纳到更小的芯片组里，据称一块指甲盖大小的芯片上集成晶体管数量可达300亿，比起几年前7 nm芯片集成200亿个晶体管的突破也毫不逊色。

IBM认为该技术有助于其重要战略支柱之一认知计算（Cognitive Computing）的研发以及物联网和其他“数据密集型计算”任务的执行。当然，公司也为移动设备的未来绘制了一个美好的画面：除了降低成本，提升性能等优势之外，未来手机设备的续航也可增长2到3倍，而这一点也是目前众多手机制造商所关注的一个方面。但目前5 nm芯片离商业化还尚有一段距离。

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