JFET与MOSFET的基本特性比较

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JFET与MOSFET的基本特性比较  

 

◆JFET与MOSFET都是场效应晶体管，它们的主要共同点在于：

（1）是多数载流子工作的器件，则不存在因为少数载流子所引起的一些问题（如温度稳定性较好）。

（2）输入阻抗都很高，并且都是电压驱动的器件，则工作时不需要输入电流，而且输入回路较为简单。

（3）转移特性都是抛物线关系，则不存在3次交扰调制噪声。  （注：交扰调制是指两个不同频率的信号在器件中产生互相调制的一种现象，这对于混频器而言是极力需要避免的。）

◆JFET与MOSFET由于器件结构不同，则它们的特性存在着差异，有如：

（1）MOSFET的输入阻抗更加高于JFET。

（2）MOSFET对于静电放电（ESD）的抵抗能力较差，因此在MOSFET的输入端往往需要设置防止ESD破坏的二极管等元器件。

（3）JFET一般是耗尽型的器件，而MOSFET可以有增强型器件。因此，在使用时，JFET的栅极只能外加反向电压，对于正向的输入电压则不能正常工作。MOSFET由于既有耗尽型、也有增强型，则输入电压信号较大时也能够正常工作。

       （4）JFET的噪声性能优于MOSFET。因为JFET的沟道是在体内，则不存在MOSFET那样的由于表面或界面所引起的1/f噪声。所以JFET的低频噪声很小。

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