处nm是什么意思_ASML光刻机工作原理是什么？

什么是光刻机？

光刻机是芯片制造的核心设备之一，按照用途可以分为好几种：有用于生产芯片的光刻机；有用于封装的光刻机；还有用于LED制造领域的投影光刻机。

光刻机工作原理

上图是一张ASML光刻机介绍图。下面，简单介绍一下图中各设备的作用。

测量台、曝光台：是承载硅片的工作台。激光器：也就是光源，光刻机核心设备之一。光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。遮光器：在不需要曝光的时候，阻止光束照射到硅片。能量探测器：检测光束最终入射能量是否符合曝光要求，并反馈给能量控制器进行调整。掩模版：一块在内部刻着线路设计图的玻璃板，贵的要数十万美元。掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动控制精度是nm级的。物镜：物镜用来补偿光学误差，并将线路图等比例缩小。硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。题外话，由于硅片是圆的，所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系，根据缺口的形状不同分为两种，分别叫flat、notch。内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。

在加工芯片的过程中，光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程。

EUV：半导体业的终极武器

全球每年生产上百亿片的手机晶片、记忆体，数十年来都仰赖程序繁琐，但原理与冲洗照片类似的曝光显影制程生产。

其中以投射出电路图案的微影机台最关键、也最昂贵。过去十多年，全球最先进的微影机，都采用波长一九三奈米的深紫外光，然而英特尔、台积电量产的最先进电晶体，大小已细小到仅有数十个奈米。这形同用同一支笔，要写的字却愈来愈小，最后笔尖比要写的字还粗的窘境。

要接替的「超细字笔」，技术源自美国雷根时代「星战计划」，波长仅有十三奈米的EUV。EUV光线的能量、破坏性极高，制程的所有零件、材料，样样挑战人类工艺的极限。例如，因为空气分子会干扰EUV光线，生产过程得在真空环境。而且，机械的动作得精确到误差仅以皮秒(兆分之一秒)计。

最关键零件之一，由德国蔡司生产的反射镜得做到史无前例的完美无瑕，瑕疵大小仅能以皮米(奈米的千分之一)计。

这是什么概念？ASML总裁温彼得(Peter Wennink)解释，如果反射镜面积有整个德国大，最高的突起处不能高于一公分高。