euv光刻机有什么用_EUV到底是什么东西?光刻机上为何频频提到EUV

原标题:EUV到底是什么东西?光刻机上为何频频提到EUV

光刻机是目前半导体芯片行业的核心设备,其技术含量、价值含量极高。光刻机设备涉及到系统集成、精密光学、精密运动、精密物料传输、高精度微环境控制等多项先进技术是半导体行业中技术含量最高的设备。目前世界上最先进的光刻机是荷兰ASML的EUV光刻机。有些朋友会问,EUV到底是什么东西,它与光刻机到底是什么关系,雕刻芯片的光刻机上为何频频提到EUV?下面由紫外线手电筒制造厂家TANK007为你介绍

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EUV到底是什么东西,简单来说EUV是UV紫外线中波段处于(10nm~100nm)的短波紫外线。而在光刻机工艺中通常定义在10 ~ 15 nm紫外线。

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其次我们要简单了解半导体芯片光刻工艺原理

半导体芯片光刻工艺原理

光刻的原理是在已经切割好的晶圆(通常是多晶硅)上覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶,再用紫外线如深紫外光(DUV)、极紫外光(EUV)透过掩模照射在晶圆表面,被紫外线照射到的光刻胶会发生反应。然后用特定溶剂洗去被照射/未被照射的光刻胶,就实现了电路图从掩模到晶片的转移。简单来说,就用紫外线把多层电路图雕刻在晶圆上,而在这过程中就必然要用到光刻机。目前满足先进制程的7nm/5nm的光刻机采用EUV光刻工艺,而只有ASML制造的光刻机才可满足。

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UV紫外线与光刻机的关系

前面我们提到,紫外线负责把线路图掩模雕刻到晶圆表面,而紫外线光源是由激光器负责产生,紫外线光源对芯片制程工艺具有决定性影响。伴随半导体工业节点的不断提升,光刻机使用的紫外线波长从436nm、365nm的近紫外(NUV)激光到246nm、193nm(DUV)激光,DUV光刻机是目前大量应用的光刻机,波长是193nm,光源是ArF(氟化氩)准分子激光器。

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EUV极紫外光与光刻机

本质上,EUV极紫外光跟UV紫外线和光刻机的关系是一致的。从7nm开始Intel、三星和台积电等晶圆代工企业开始引入EUV(波长10 ~ 15 nm,通常为13.5nm)光刻技术,而使用极紫外光(EUV)作为光源的光刻机就是EUV光刻机。你可以这么理解,如果没有EUV光刻机晶圆代工厂就无法生产先进制程的芯片如7nm或5nm芯片。

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目前全球最大的晶圆代工厂台积电也只能从荷兰的ASML购买EUV光刻机才能保证在7nm/5nm制程工艺上完成晶圆的雕刻。返回搜狐,查看更多

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### 回答1: EUV光刻机是一种用于制造集成电路的先进设备,其核心部件包括: 1. 光源:EUV光刻机采用的是波长极短的极紫外光源,通常是一种产生钨蒸汽等离子体的装置。这种光源的波长只有13.5纳米,比传统光刻机使用的193纳米光源要短得多。 2. 光学系统:EUV光刻机的光学系统非常复杂,由多个反射镜组成。由于极紫外光无法通过普通的光学透镜,因此必须采用反射镜进行聚焦和投影。这些反射镜需要非常高的精度和表面光洁度。 3. 掩膜:在光刻过程中,需要使用一种叫做掩膜的光刻版。掩膜是一种光刻版,上面有电路图案的图层,可以让极紫外光透过,形成电路图案。 4. 台架:光刻机的台架是一个非常重要的部件,它需要提供非常高的稳定性和精度。在光刻过程中,掩膜和芯片需要非常精准地对准,而台架的稳定性和精度可以保证这一过程的准确性。 EUV光刻机的参数包括: 1. 分辨率:EUV光刻机的分辨率通常为几十纳米到数百纳米之间,可以实现非常高的精度和细节。 2. 投影镜直径:EUV光刻机的反射镜通常非常大,直径可以达到0.4-0.5米左右,反射面的精度要求非常高。 3. 生产能力:EUV光刻机的生产能力通常比传统光刻机要低,每小时可以生产的芯片数量较少。 4. 成本:EUV光刻机的制造成本非常高,价格通常在几千万美元以上。 ### 回答2: EUV光刻机是一种使用极紫外光(EUV)进行半导体芯片曝光的设备,其核心部件包括光源、光刻镜、光刻模板和感光胶等。 光源是EUV光刻机的关键部件,一般采用微量锂注入激光等离子体(LPP)技术或其他离子源技术产生EUV光源。EUV光源的参数包括功率、稳定性和波长等,通常要求功率在100瓦以上,稳定性在1%以内,波长为13.5纳米。 光刻镜(也称为光学系统)是将光源产生的EUV光线聚焦到光刻模板上的部件。光刻镜的核心参数包括焦距、场深度和分辨率等。焦距决定了EUV光线的聚焦能力,场深度决定了能够有效曝光的面积范围,分辨率决定了芯片曝光的精度。 光刻模板是半导体芯片曝光的关键部件,其主要功能是在感光胶上形成需要曝光的芯片图案。光刻模板的参数包括特征尺寸、线宽偏差和平坦度等。特征尺寸决定了芯片曝光的最小单位,线宽偏差决定了芯片图案的精度,平坦度决定了模板表面的光学质量。 感光胶是光刻过程中用于形成芯片图案的材料,其参数包括曝光剂浓度、曝光时间和显影时间等。曝光剂浓度决定了感光胶的感光度,曝光时间决定了芯片图案的曝光剂消耗量,显影时间决定了感光胶的显影速度。 总的来说,EUV光刻机的核心部件包括光源、光刻镜、光刻模板和感光胶等,其参数决定了设备的性能和芯片曝光的质量。随着技术的不断进步,EUV光刻机的核心部件的参数也在不断地优化和改进。 ### 回答3: EUV光刻机是一种高级光刻技术,被广泛用于半导体制造中。它的核心部件包括以下几个方面: 1. 光源:EUV光刻机使用的光源是极紫外(EUV)辐射。这种光源使用特殊的放电方法产生,并能够提供短波长的光线。 2. 掩模:EUV光刻机使用的掩模是一种特殊的镜面,上面有纳米级的芯片图案。掩模的制作非常精细,需要借助先进的微影技术。 3. 光学系统:EUV光刻机的光学系统由多个特殊设计的镜头组成。这些镜头能够将光源中的EUV辐射聚焦到非常小的点上,从而实现高分辨率的光刻。 4. 光刻胶:光刻胶在EUV光刻中的作用是接受光学系统聚焦的光线,并在芯片表面形成所需的图案。光刻胶的性能直接影响着芯片的质量和生产效率。 EUV光刻机的一些关键参数包括以下几个方面: 1. 分辨率:EUV光刻机的分辨率是决定芯片图案清晰度和精度的重要指标。目前,EUV光刻机能够实现亚纳米级的分辨率,大大提高了芯片的集成度和性能。 2. 吞吐量:吞吐量是指EUV光刻机每小时能够处理的晶圆数量。高吞吐量的光刻机可以有效提高生产效率,降低芯片的制造成本。 3. 稳定性:EUV光刻机的稳定性是指它在长时间运行过程中的重复性和一致性。稳定性高的光刻机能够保证芯片的一致性和质量稳定。 4. 可靠性:EUV光刻机的可靠性是指系统能够长时间稳定运行的能力。由于EUV光刻机是高端设备,使用寿命较长,需要确保系统的可靠性以保证生产的连续性。 综上所述,EUV光刻机的核心部件包括光源、掩模、光学系统和光刻胶,关键参数则包括分辨率、吞吐量、稳定性和可靠性等。

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