专题：手把手学习硬件基础------5、三极管

一、基本概述

定义：根据不同的参杂方式在同一个硅片上制造出三个参杂区域，并形成两个PN结，即构成BJT晶体管

类型：

a.NPN型三极管，由三块半导体构成，其中两块N和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧

三个区的特点：

基区：P型半导体，很薄且杂质浓度很低，引出基极b

发射区：N型半导体，杂质浓度很高，自由电子很多，引出发射极

集电区：N型半导体，杂质浓度很低，但面积很大，引出集电极

b.PNP型三极管，由三块半导体构成，其中两块P和一块N型半导体组成，N型半导体在中间，两块P型半导体在两侧；

三个区的特点：

基区：N型半导体，很薄且杂质浓度很低，引出基极b

发射区：P型半导体，杂质浓度很高，空穴很多，引出发射极

集电区：P型半导体，杂质浓度很低，但面积很大，引出集电极

回顾PN结的概念

N区：四价的硅原子参杂5价的元素形成N型半导体，自由电子为多子，空穴为少子

P区：四价的硅原子参杂3价的元素形成P型半导体，空穴为多子，自由电子为少子

扩散电流------多子扩散形成扩散电流

漂移电流------少子漂移形成漂移电流

二、BJT晶体管工作原理

1、发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流Ie

由于发射结加正向电压，导致PN结的内电场缩小，增强扩散运动，且又因为发射区的杂质浓度高，自由电子很多