模电学习笔记(2)

  • 2.3 晶体三极管
  • 2.3. 1晶体管的结构和符号

①三个针脚:小功率;

  三个排脚:中功率;

  帽子状的:大功率;

②结构:三级(集电极、基极、发射极),三区(集电区、基区、发射区),两结(集电结、发射结),可分为NPN和PNP两种结构;

③浓度分布:发射区多子浓度高,基区多子浓度低且薄,集电区面积大,与工作电流相关

  • 2.3.2晶体管的放大原理

①放大条件:发射结正偏,集电结反偏;如果两个都正偏,那就是并联二极管了,实际上 ;如果两个都反偏,那就截止了;

②三极管内的电流情况:

如图所示,三极管内的电流主要是由发射区的多数载流子移动产生,发射区的多数载流子由于扩散运动,移动到基区,然后由于正偏电压,导致扩散运动会一直进行,从而有源源不断的载流子运动到基区;由于基区多子浓度低且薄,因此只有发射区扩散到到基区的载流子只有少量的会在基区符合,大部分会越过基区,从而漂移到集电区;由于集电区结面积大,加上集电结反偏,因此漂移运动会源源不断的发生;因此发射区的电流主要为扩散电流,基区的电流为扩散电流+漂移电流,集电区的电流为漂移电流;

(引用)

 

IE=IB+IC(IC>>IB)

③主要参数:

直流电流放大系数:

交流电流放大系数:主要关注的参数;

集电结反向电流:在发射极开路的情况下,基极和集电极的电流,本质就是二极管的反向电流;

穿透电流:基极开路条件下,集电极和发射极的电流;

  • 2.3.3输入特性和输出特性

 (引用)

①当CE增大时,曲线右移,从零点来看,即开启电压变大,开启电压变大了,是因为集电结存在了一个初始电势,即Uce,所以抬高了集电结的开启电压;当Uce大到一定程度时,即使集电结没有达到开启电压,发射结的电压已经远远超过开启电压,因此Uce达到一定程度,开启电压没有太大的变化;

②之所以曲线的斜率变小了,是因为当Uce越来越大时,输入特性反应的情况越来越接近与发射结的电流-电压曲线;

 (引用)

①理想三极管:B为常量、穿透电流为0、集电结反向电流为0;

②三极管的放大状态:指的是Ib和Ic的关系,当Ib变化很小时,Ic有较大的变化;

③当Uce增大时,本质上讲就时Vc>Vb从而集电结的反向电压越来越大,这也就表面了Ic与Uce呈现二极管反接的特点;当Ib增大时,二极管反向电流的最大值也会增大,这是因为Ib本质是集电结的漂移电流和发射结的扩散运动的共同作用,当Ib增大时,漂移电流增大,这也就导致了Ic最大穿透电流变大(有一点不清晰,比如为什么Ib增大,就是漂移电流增大);

  • 2.3.4 温度对晶体管特性的影响

①温度升高,针对二极管而言,是开启电压减小,反向电流增大,因此在三极管中的表现也是一样的,即三极管的输入特性中的开启电压减小,输出特性中,穿透电流增大;

  • 2.3.5 主要参数

①直流参数:直流电压放大系数:

            直流电流放大系数:

            穿透电流:

            集电结反向电流:

②交流参数:交流电压放大系数:频率越高,该系数越小

            交流电流放大系数:

            特征频率:交流电流放大系数=1时,对应的信号频率;

③极限参数:最大集电极电流

            最大集电极功率:

            最大的集电极电压(Uce):超过之后,集电结会击穿

 (引用) 

2.3.6 一些解决问题的办法

①如何判断二极管工作状态:判断每一个二极管的开路电压,对于复杂电路,单独查看每一个二极管的开路电压;

②三种二极管等效电路的选取:从输入电压与开启电压的关系来选取;

③当交直流电路同时作用于二极管电路中,要分别判断直流和交流对电路的影响

  • 3 基本放大电路
    • 3.1放大的概念和性能指标
    • 3.1.1 放大概念

     ①模电的基本操作就是放大:将直流电源的能量转化成需要放大的变化量的能量,导致变化量的功率变大;

     ②信号源:产生变化量的源;

  • 3.1.2 性能指标

     ①二端口网络:

  

(引用) 

   ②放大倍数:输出量与输入量执笔,包含了电压放大倍数(常被研究和测试的,因为整个电路是共地的)、电流放大倍数、互阻、互导;

     ③输入电阻Ri,输出电阻Ro:输入电压与输入电流之比为输入电阻、将输出看成一个源,则源的内阻就是输出电阻;

     ④通频带:信号能正常工作的频率范围,即放大倍数在0.707|Amax|范围内的信号频率;

     ⑤最大不失真输出电压Uom:交流有效值;

  • 3.2 基本共射极放大电路的基本原理
  • 3.2.1 电路组成和元件作用

    

(引用) 

     ①Rb用来限制发射结的电流,防止电流过大,烧坏发射结;

     ②Vcc作为供能电源,主要是用来保证集电结反偏,并且作为负载的能源;

     ③Rc将输出电流的变化,转化成电压的变化,要大一点,从而使电压的便变化更明显;但是不能太大,太大就很容易分走Vcc,使集电结的电压处于饱和状态;

     ④当ui=0时,成为静态工作点;

  • 3.2.2 静态工作点的必要性

     ①设置一个最佳的静态工作点,抵消掉输入特性的开启电压,防止信号失真;因为我们的输入信号源一般都是小信号;

  •        3.2.3 基本共射放大电路的波形分析

     ①下图所示当iu变化时,ic会在一个直流分量上变化,此时Rc上的电压变化会和ic的变化一致,由于欧姆定律,因此Uce的变化将会和ic的变化反相,即输出电压和输入电压反相;

     ②底部失真,针对输出电压的波形变化,由于电路饱和,饱和是指集电极结反向电压太小,是因为输入电流太大,导致集电极上的电压太小,这是由于输出的原因;

     ③顶部失真,针对输出电压的波形变化,由于电路截止,截止是由于输入电压太小,导致发射结达没有导通,因此这是由于输出的原因;

(引用) 

  • 3.3.4 放大电路的组成原则

     ①静态工作点合适,保证输入和输出都在放大区内,主要是合适的直流和电源和电路参数;

     ②共地、直流电源种类尽可能少,负载上无直流分量,在上述电路中,负载上肯定有直流分量;

     ③静态,就是将u1短路,分析Ube和Uce;

     ③直接耦合放大电路:Rb和Rc,分压,用来给集电极和基极供电,

   

 (引用)

 

     ④阻容耦合放大电路:C1、C2为耦合电容,功能为隔直阻交,负载上没有直流信号;

  • 3.3 放大电路的分析方法

     本质就是求其静态工作点和动态参数

  • 3.3.1 放大电路的直流通路和交流通路

     ①目的:简化分析,分解开来(如何分解?)

     ②直流通路:直流电源的通路,用来分析静态工作点;分析时,保留内阻,将电容看成断路,电感看成短路;

     ③交流通路:大电容看成短路(耦合电容等),直流电源看成短路;

     ④直流通路(左图):主要用来解静态工作点

            

 (引用)

 ⑤交流通路(右图):只有在静态通路满足放大状态的条件时,才能用交流通路;

 ⑥Ib通常时uA,Ic通常为mA,UCE通常是V;

  • 3.3.2 图解法

     ①静态分析:图解二元方程:实际上就是通过两种方式求输出、输入电流电压,一、输出、输出特性曲线(需要实测),二、通过输入电阻、电阻Rc根据欧姆定律求输入、输出电压,然后根据这两条线的交点来求静态工作点:

 (引用)

      ②动态分析:图解二元方程

  1. 给入一个输入信号,VBB由VBBQ变换为VBBQ+▲u,则直线向右移,交点右移;
  2. 则IB增大,因此表现在输出特性上,则饱和电流上移,就导致Ic变大,

(引用)     

     ③失真分析,截止失真,即输入信号导致的,因为输出和输入反向,也就是输出电压的顶部失真,解决办法让Q点右移,即增大VBB;

     ④失真分析,饱和失真,即输出电压较小,导致反向电流没有饱和,信号落在饱和区,也就是底部失真,解决办法让VCC的饱和电压减小,即减小Ic,或者将直线的变陡,即电阻Rc变小;(电阻变小,直线不是变的更缓了么?)

     ⑤最大不失真电压:min(饱和失真最小电压, 截止失真最小电压)

     ⑥利用阻容耦合电路来分析,直流负载线和交流负载线是不一样的,要根据直流通路和交流通路来分析的;如果直接输出,则直流负载线和交流负载线是一样的;

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注:电平、电压、电平转换、接大地方式等的重点简单介绍。 1、HC为COMS电平,HCT为TTL电平 2、LS输入开路为高电平,HC输入不允许开路,HC一般都要求有上下拉电阻来确定输入端无效时的电平。LS却没有这个要求 3、LS输出下拉强上拉弱,HC上拉下拉相同 4、工作电压:LS只能用5V,而HC一般为2V到6V 5、CMOS可以驱动TTL,但反过来是不行的。TTL电路驱动COMS电路时需要加上拉电阻,将2.4V~3.6V之间的电压上拉起来,让CMOS检测到高电平输入 6、驱动能力不同,LS一般高电平的驱动能力为5mA,低电平为20mA;而CMOS的高低电平均为5mA 7、RS232电平为+12V为逻辑负,-12为逻辑正 8、74系列为商用,54为军用 9、TTL高电平>2.4V,TTL低电平<0.4V,噪声容限0.4V 10、OC门,即集电极开路门电路(为什么会有OC门?因为要实现“线与”逻辑),OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱动门电路。并且只能吸收电流,必须外界上拉电阻和电源才才能对外输出电流 11、COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS 12、当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻 13、在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低电平 14、如果电路中出现3.3V的COMS电路去驱动5VCMOS电路的情况,如3.3V单片机去驱动74HC,这种情况有以下几种方法解决,最简单的就是直接将74HC换成74HCT的芯片,因为3.3VCMOS可以直接驱动5V的TTL电路;或者加电压转换芯片;还有就是把单片机的I/O口设为开漏,然后加上拉电阻到5V,这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小,以保证信号的上升沿时间。 15、逻辑门输出为高电平时的负载电流(为拉电流),逻辑门输出为低电平时的负载电流(为灌电流) 16、由于漏级开路,所以后级电路必须接一上拉电阻,上拉电阻的电源电压就可以决定输出电平。这样漏极开路形式就可以连接不同电平的器件,用于电平转换。需要注意的一点:在上升沿的时候通过外部上拉无源电阻对负载进行充电,所以上升沿的时间可能不够迅速,尽量使用下降沿。 以下有很多就不一一例出来了!! ......

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