绝缘栅型n沟道场管_N沟道P沟道绝缘栅耗尽型.ppt

N沟道P沟道绝缘栅耗尽型

* §2.3 MOS场效应晶体管 场效应管 结型场效应三极管JFET 绝缘栅型场效应三极管IGFET Junction type Field Effect Transistor Insulated Gate Field Effect Transistor 分类 N沟道 P沟道 金属氧化物半导体三极管 MOSFET－ Metal Oxide Semiconductor FET 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 MOS管结构 动画2－3 以 N 沟道增强型MOS管 为 例 G－栅极(基极) S－源极(发射极) D－漏极(集电极) B－衬底 N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极 MOS管工作原理 以N沟道增强型MOS管为例 正常放大时外加偏置电压的要求 问题：如果是P沟道，直流偏置应如何加？ 栅源电压VGS对iD的控制作用 VGS0，使形成漏电流iD。 栅源电压对沟道的控制作用 (动画2－9) 当VGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时，在漏源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流。 当VGS＜0时，PN结反偏，形成耗尽层，漏源间的沟道将变窄，ID将减小。 VGS继续减小，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP。 漏源电压对沟道的控制作用 当VGS=0,VDS=0时，漏电流ID=0 当VGS=0,VDS增大时，漏电流ID也增大。此时由于存在沟道电阻，将使沟道内电位分布不均匀，其中d端与栅极间的反压最高，沿着沟道向下逐渐降低，源端最低，从而使耗尽层成楔形分布。 当VDS继续增大到使VGS-VDS=VP时，d端附近的沟道被夹断，这称为“预夹断”。 出现预夹断后，当VDS继续增大时，夹断长度会自上向下延伸，但从源极到夹断处