一、单片机硬件电路设计

  减少后级电源对前级的影响,防止电源正负接反烧坏后级电路,防止电源关电时电流倒灌,但经过二极管有0.4V左右压降,需要考虑经过0.4V降压后会不会低于后级电路的正常工作电压。

一、按键电路

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R1上拉电阻:

    将不确定的信号通过一个电阻钳位在高电平,维持在不被触发的状态或是触发后回到原状态。(个人建议加上)

    C1电容:

    减小按键抖动及高频信号干扰。(个人建议加上)

    R2限流电阻:

    保护IO口,防止过流过高电压烧坏IO口,对静电或者一些高压脉冲有吸收作用。(个人建议加上)

    R2的取值100欧~10k不等,如果有设置内部上拉,该值不能太大,否则电流不足以拉低IO口。

    D1 ESD二极管:

    静电保护二极管,防止静电干扰或者损坏IO口。(这个根据PCB的成本及防护级别要求来决定添加与否)

二、外接信号输入

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 R3上拉电阻:

    将不确定的信号通过一个电阻钳位在高电平,维持在不被触发的状态或是触发后回到原状态。(如果外接的连接线比较长,芯片内部上拉能力比较弱,则建议加上。平时通信距离不长,有内部上拉则可以省略)

    C2电容:

    防止高频信号干扰。(注意,如果输入频率信号比较大,C2容值要对应减少,或者直接省略C2)

    R4限流电阻:

    保护IO口,防止过流过高电压烧坏IO口,对静电或者一些高压脉冲有吸收作用。(个人建议加上)

    D2 ESD二极管:

    静电保护二极管,防止静电干扰或者损坏IO口。(这个根据PCB的成本及防护级别要求来决定添加与否)

三、输出电路继电器

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U1光耦:

    分离高低压,防止高压干扰,实现电气隔离。

    D5 1N4148:

    续流二极管,保护元件不被感应电压击du穿或烧坏,以并联的方式接到产生感应电动势的元件两端,并与其形成回路,使其产生的高电动势在回路以续电流方式消耗,从而起到保护电路中的元件不被损坏的作用。

四、达林顿晶体管

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 达林顿晶体管,小伙伴们一般常用于步进电机驱动,其实可以用于电机调速,大功率开关电路,驱动继电器,驱动功率比较大的LED光源,利用PWM来调节亮度哦。

    R6、R7、R8电阻:

    用于限流,防止ULN2001损坏,导致高压直接输入到MCU的IO。(由于ULN2001D本身自带2.7K电阻,这里的R6、R7、R8可以省略;如果某些驱动芯片没带电阻最好自己加上,具体情况可以查看选用芯片的数据手册作决定)

    COM端接电源:

    当输出端接感性负载的时候,负载不需要加续流二极管,芯片内部设计有二极管,只需 COM口接负载电源即可,当接其他负载时,COM口可以不接。

    在使用阻容降压电路为 ULN2001D 供电时,由于阻容降压电压无法阻止电网上的瞬态高 压波动,必须在 ULN2001D 的 COM 端与地端就近接一个 104 电容,其余应用场合下, 该电容可以不添加。 

五、运算放大器

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   利用运放巧妙采集负载的当前电流,可以准确知道当前负载运行情况,有没有正常工作,非常好用。

    GND2是负载的地端,通过R16电阻(根据负载电流的大小R16要选功率大一点的)接公共地,会有微小的电压差。

    该电路是同相比例运算电路,所以采样端的电压=输入端电压*(1+R9/R11)=69倍的输入电压。大家可以根据测量范围修改R9调节放大倍数。

六、MOS管

    控制电源输出通断:

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七、输入电源

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如果电路成本比较紧张,可根据需要适当删减元件。

    F1自恢复保险丝:

    过流保护,可根据实际负载电流调整阀值大小。

    D10 肖基特二极管:

    减少后级电源对前级的影响,防止电源正负接反烧坏后级电路,防止电源关电时电流倒灌,但经过二极管有0.4V左右压降,需要考虑经过0.4V降压后会不会低于后级电路的正常工作电压。

    TVS管:

    输入电压过高保护,一般取正常输入电压的1.4倍。

二、压敏电阻

“压敏电阻"是一种具有非线性伏安特性的电阻器件,主要用于在电路承受过压时进行电压嵌位,吸收多余的电流以保护敏感器件。英文名称叫“Voltage Dependent Resistor”简写为“VDR”, 或者叫做“Varistor"。压敏电阻器的电阻体材料是半导体,所以它是半导体电阻器的一个品种。大量使用的"氧化锌"(ZnO)压敏电阻器,它的主体材料有二价元素锌(Zn)和六价元素氧(O)所构成。所以从材料的角度来看,氧化锌压敏电阻器是一种“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体”。 在中国台湾,压敏电阻器被称为"突波吸收器"或“电冲击(浪涌)抑制器(吸收器)”。根据使用的目的不同,压敏电阻可分为保护用压敏电阻和电路功能用压敏电阻。

压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性,当过电压出现在压敏电阻的两极间,压敏电阻可以把电压钳位到一个相对固定的电压值,从而实现对后级电路的保护。压敏电阻的主要参数有:压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。

压敏电阻的响应时间为ns级,比空气放电管快,比TVS管稍慢一些,一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。压敏电阻的结电容一般在几百到几千Pf的数量级范围,很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中,应用在交流电路的保护中时,因为其结电容较大会增加漏电流,在设计防护电路时需要充分考虑。压敏电阻的通流容量较大,但比气体放电管小。

压敏电阻压敏电阻器简称VSR,是一种对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。它在电路中用文字符号“RV”或“R”表示。

保护电阻:

(1) 区分是电源保护用压敏电阻器,还是信号线、数据线保护用压敏电阻器,它们要满足不同的技术标准的要求。

(2) 根据施加在压敏电阻上的连续工作电压的不同,可把跨电源线用压敏电阻器区分为交流用或直流用两种类型,压敏电阻在这两种电压应力下的老化特性表现不同。

(3) 根据压敏电阻承受的异常过电压特性的不同,可把压敏电阻区分为浪涌抑制型、高功率型和高能型这三种类型。

★浪涌抑制型:是指用于抑制雷电过电压和操作过电压等瞬态过电压的压敏电阻器,这种瞬态过电压的出现是随机的,非周期的,电流电压的峰值可能很大。绝大多数压敏电阻器都属于这一类。

★高功率型:是指用于吸收周期出现的连续脉冲群的压敏电阻器,例如并接在开关电源变换器上的压敏电阻,这里冲击电压周期出现,且周期可知,能量值一般可以计算出来,电压的峰值并不大,但因出现频率高,其平均功率相当大。

★高能型:指用于吸收发电机励磁线圈,起重电磁铁线圈等大型电感线圈中的磁能的压敏电压器,对这类应用,主要技术指标是能量吸收能力。

压敏电阻器的保护功能,绝大多数应用场合下,是可以多次反复作用的,但有时也把它做成电流保险丝那样的"一次性"保护器件。例如并接在某些电流互感器负载上的带短路接点压敏电阻。

作用

压敏电阻主要应用于瞬态过电压保护,但是它的类似于半导体稳压管的伏安特性,还使它具有多种电路元件功能,例如可用作:

(1)直流高压小电流稳压元件,其稳定电压可高达数千伏以上,这是硅稳压管无法达到的。

(2)电压波动检测元件。

(3)直流电平移位元件。

(4)均压元件。

(5)荧光启动元件

选型:

压敏电阻型号:25D182KJ,可知:

1)25: 压敏电阻陶瓷片的直径25mm;

2)D: 陶瓷片形状,D表示圆形,S表示方形;

3)182: 表示压敏电压1800V(2代表两个0);

4)K: 压敏电阻电压误差,K表示±10%,L表示±15%;

5)J: 能量等级,G表示普通型,J表示高浪涌、高能量;

   常用电路:

 

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三、放电齿为什么能抑制吸收浪涌电流

一、什么是浪涌电流

    浪涌电流是指电源接通瞬间或者电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或者过载电流,浪涌也叫突波。本质上讲,浪涌是发生在仅仅百万分之一秒时间内的一种剧烈脉冲。

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 由于电路本身的非线性有可能高于电源本身的脉冲;或者由于电源或电路中其它部分受到本身或外来尖脉冲干扰以及来源于外部因素,如雷电、ESD,它很可能使电路在浪涌的一瞬间烧坏,如PN结电容击穿,电阻烧断等等。

    而浪涌电流保护就是利用非线性元器件对高频(浪涌)的敏感设计的保护电路,简单而常用的是并联大小电容和串联电感。供电系统浪涌的来源类型分为外部(雷电原因)和内部(电气设备启停和故障等)。而从电子专业角度定义系统浪涌的来源类型分为雷电、静电、开关电路三类。

二、浪涌抑制方案

    对于浪涌设计常有两种方案,一是采用熔断电阻器(保险丝电阻)、二是采用电压钳位器件(浪涌放电管、压敏电阻等)。按GB/T17626.5浪涌(冲击)抗扰度试验的方法,在市电0°、90°、180°、270°四个相位各打10次浪涌。

三、放电齿

    放电齿,也叫放电间隙或者火花间隙。放电齿是一对指向彼此相对的锐角的三角形,是由在PCB布线过程中使用铜箔层作出来的。这些三角形需设置在PCB板元器件的另一层放置,不能被绿油等盖住。  

    在浪涌测试或者ESD测试时,共模电感两端将产生高压,出现飞弧。若与周围器件间距较近,可能使周围器件损坏。因此可在其上并联一个放电管抑制它电压。如下图FU2为气体放电管,并联在共模电感两端,它能够从而起到灭弧的效果。

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 气体放电管抑制效果很好,但是在成本相对较高,很多情况下我们会在PCB设计时,在共模电感两端放置放电齿,使得共模电感可以通过放电齿尖端放电,可以减少甚至可避免通过其他路径放电,能够保护周围和后级器件。 

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