尖端放电

最新推荐文章于 2024-09-03 20:19:39 发布

雨浅听风吟

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分类专栏：电磁学

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博客围绕尖端放电展开，先说明尖端电荷密度比曲率低的地方高，接着通过半径不同的圆用导体连接的案例进行论证，得出曲率最大半径最小处电荷密度最高，还指出可由高斯定律推出电荷密度与电场强度的关系，即局部电荷分布决定电场。

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1 说明

在这里插入图片描述
有个如图形状的物体，尖端放电要说明的就是尖端1的电荷密度比曲率低的二高。接下来，会通过案例一步步说明

2论证

在这里插入图片描述
有半径分别为a，b的圆中间用假设几十米的导体连接，则AB为等势体
让他们带电，直到A分布为 $Q_{A}$ ,B为 $Q_{B}$ ，A的电势和B的存在没有关系，因为两者相距几十米。因为B相距非常远，所以从无穷远地方带电荷靠近到达A点电荷做的功与B无关，同理B也与A无关所以A，B的电势为
$V_{A}=\frac{Q_{A}}{4\pi\xi_{0}R_{A}}$
$V_{B}=\frac{Q_{B}}{4\pi\xi_{0}R_{B}}$
由等势体 $V_{A}$ = $V_{B}$ 则可以得到
$\frac{Q_{A}}{R_{A}}=\frac{Q_{A}}{R_{A}}$
若是B是A半径的五倍，B上的电荷将是A上的五倍，但是他的表面积大了25倍,电荷密度为电荷除表面积，可以看出A的电荷密度是B的五倍
$\sigma=\frac{Q}{4 \pi R^{2}}$
可以推出曲率最大半径最小的地方电荷密度最高，这也意为这哪里电场强度最高，可以由高斯定律推出
在这里插入图片描述
下面是高斯定律的示意图，可以假设近似非常矮紧贴这表面。则电通量为AE,可写出公式
$E=\frac{\sigma A}{\varepsilon_{0}}$