移位寄存器驱动-时序问题

调试背景

部件：两块级联移位寄存器芯片、4*7段数码管，单片机到移位寄存器线长 > 20cm, 单片机3v3， 移位寄存器5v，未添加电压匹配芯片
问题：引入强烈干扰以后，数码管数据显示异常，轻微时闪烁，严重时显示8888

/*数据线*/
#define SDA_H() xx
#define SDA_L() xx

/*时钟线*/
#define CLK_H() xx
#define CLK_L() xx

/*锁存线*/
#define SR_H() xx
#define SR_L() xx

/*伪代码逻辑如下*/
void SerialLedDisplayCtrl(uint16_t data){
	SR_L();
	for(uint8_t i = 0; i < 16; ++i){
		CLK_L();
		data & 0x01 ? SR_H() : SR_L();
		delay_us(1);
		CLK_H();
		delay_us(1);
		data >>= 1;
	}
	SR_H();
}
/*上述代码在强烈的干扰下表现性能不如以下逻辑*/
void SerialLedDisplayCtrl(uint16_t data){

	for(uint8_t i = 0; i < 16; ++i){
		data & 0x01 ? SR_H() : SR_L();
		delay_us(1);
		CLK_L();
		delay_us(1);
		CLK_H();
		data >>= 1;
	}
	SR_L();
	delay_us(1);
	SR_H();
}
/*去掉所有延时表现更好一点儿*/
void SerialLedDisplayCtrl(uint16_t data){

	for(uint8_t i = 0; i < 16; ++i){
		data & 0x01 ? SR_H() : SR_L();
		CLK_L();
		CLK_H();
		data >>= 1;
	}
	SR_L();
	SR_H();
}

分析：
在未引入干扰前，数码管尽管电压未匹配，但仍然正常工作，在引入干扰后，单片机的输出信号变得异常多的毛刺，造成高低电平异常。
第一种逻辑在理论上是没有任何问题的，和其他两种没有任何区别。
但后面两种的抗干扰能力相对来说更强，因为其低电平持续的时间更短，毛刺不容易导致高电平的产生，更不容易导致上升沿的产生，对于时钟信号和锁存信号都存在同样的问题，因此是一个优化的方向。