如何形成欧姆接触_必看！肖特基接触到欧姆接触的转变

了不起的范德华层间作用力

前菜/Appetizer

二维 (2D) InSe具有高达10^3 cm^2·V^-1·s^-1的电子迁移率，可以与黑磷相媲美，且能够在空气中稳定存在。在实际应用中，2D InSe需要与金属电极直接接触以实现载流子的注入。然而，接触界面会形成有限的肖特基势垒，其降低了载流子的注入效率，增大了接触电阻，从而极大的削弱了器件性能。因此，通过调节接触界面的势垒高度来形成低电阻欧姆接触，对高性能半导体器件的设计，组装和制造至关重要。

主菜/Main Course

南京理工大学的刘伟教授和李爽副教授课题组提出了一种设计低电阻触点的新策略。利用2D金属作为电极，与层状InSe接触形成金属半导体结。密度泛函理论计算表明，范德华 (vdW) 堆垛可以抑制费米能级钉扎 (FLP) 效应，进而显著调节InSe与2D金属接触界面的肖特基势垒高度。研究发现，随着InSe层数的增加，能够实现从肖特基到欧姆接触的转变。这是由于InSe层之间的vdW层间作用力在界面接触中起主导作用，避免了化学无序并大大抑制了界面偶极子，从而克服了FLP效应。此外，通过计算隧穿势垒和肖特基势垒，表明Cd3C2是所研究2D金属材料中与2D InSe最兼容的电极。

餐后甜点/Dessert

对肖特基接触说“不”

本文提供了一种新策略来对层状InSe与不同功函的2D金属进行合理设计，有效地克服了电子器件中接触电势的瓶颈。该工作为开发更高效的基于InSe的电子纳米器件提供了新思路。 由此，成功发表在 J. Am. Chem. Soc. 上。 D OI:  10.1021/jacs.8b12212

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