如何形成欧姆接触_金-半接触与肖特基势垒的形成

个人总结,易于理解。

1.金-半接触都能形成肖特基势垒吗?

肖特基势垒是金-半接触所形成的,但金-半接触不一定能绝对形成肖特基势垒,还可能发生不具有整流效应的欧姆接触。
而最“容易”形成肖特基势垒的前提条件:
a.半导体的费米能级要高于金属的费米能级,即二者具有明显差值;
b.金属的功函数要大于半导体的功函数,即二者具有明显差值;
c.掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触;
d.半导体的表面态对形成肖特基势垒影响很大,所以半导体具有高表面态易与金属接触形成肖特基势垒,这是形成肖特基势垒的最主要的原因,称作高表面态的钉扎。

2.如何形成肖特基势垒?

a.由金-半接触形成:金、半接触过程中,由于半导体的费米能级高于金属的费米能级,所以半导体中的电子会向金属中流动(能量最低原理:占据较低的量子态),由此导致半导体表面附近会带正电。紧密接触时半导体表面空间电荷区正电荷累积了很多,产生空间电场,导致能带弯曲,形成肖特基势垒qVD;
b.如果表面态很高,即半导体具有高表面态时,即使不存在金半接触,也会在半导体表面形成势垒区。
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根据引用\[1\]和引用\[3\]的内容,肖特基二极管的反向漏电流受到多个因素的影响。首先,肖特基势垒二极管的漏电流与所施加的反向偏压大小无关,这是因为热电子发射产生的漏电流是肖特基势垒高度和温度的强函数。然而,实际功率肖特基势垒二极管在实际应用中表现出漏电流随反向偏压的增大而迅速增大。这是因为随着反向偏压的增大,增大的漏电流远远超过了耗尽区内空间电荷产生的电流。具体原因可以在下次《涨知识啦》板块进行详细分析。因此,反向漏电流的增加可能会导致功率肖特基二极管的性能下降。引用\[2\]中也提到了肖特基二极管存在反向击穿电压较低和反向漏电电流偏大的缺点。所以在实际应用中,需要根据具体的需求和应用场景来选择合适的肖特基二极管,以确保其性能和可靠性。 #### 引用[.reference_title] - *1* *3* [《涨知识啦32》-SBD器件中的肖特基二极管漏电流机制 (上)](https://blog.csdn.net/simucal/article/details/114881997)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^control_2,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item] - *2* [肖特基二极管](https://blog.csdn.net/weixin_59324525/article/details/128449253)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^control_2,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item] [ .reference_list ]

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