MOSFET是利用栅源电压的大小,来改变CAT24WC256WI半导体表面感生电荷的多少,从而控制漏极电流的大小。
N沟道增强型绝缘栅场效应管的工作原理,如图8-7所示。
>当Ucs =0,在漏、源极之间加正向电压UDS时,漏源极之间的电流ID =0。
>当Ucs>0,在绝缘层和衬底之间表面形成一层耗尽层,但负离子不能导电。Ucs =UT时,漏极和源极之间产生导电沟道。
在漏、源极之间加正向电压UDS时,将会产生电流ID。
>在UDS>O时,有三种情况存在,其结果如下:
若UGS
若UGS>UT,出现导电沟道,D、S之间有电流ID流过;
若UGS逐渐增大,沟道加厚,沟道电阻减少,ID也随之逐渐增大,即UGS控制ID的变化。
开启电压UT是指增强型MOS管开始形成反型层的栅源电压。
N沟道耗尽型MOS场效应管 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管结构及符号,如图8-8所示。
当Ucs =0时,UDS加正向电压,产生漏极电流ID,此时的漏极电流称为漏极饱和电流,用IDSS表示。
当Ucs>O时,将使ID进一步增加。
当Ucs <0时,随着UDS的减小漏极电流逐渐减小,直至ID =0。
夹断电压,用符号U,表示。
为了保证场效应管工作在放大区,电压Ucs、UDS的极性和UDS的大小,如表8-1所示。