N沟道增强型MOS管的原理

MOS管有栅极，源极和漏极。当给栅极高电平时，这个MOS管就会导通。当给栅极低电平时，它就会截止。

接下里看一下MOS管的构造，这两块黄色的是N型半导体。

纯净的硅是不导电的，因为硅原子最外层达到了8电子的稳定结构，很难再失去电子。如果我们给它掺杂一些五价磷，就构成了N型半导体。因为磷原子外层多出来一个电子，带负电。所以才叫它N型半导体。N是negative的首字母缩写。当给它施加电压时，它就会导电。

中间的这一块是P型半导体，它是在纯净的硅原子掺杂了三价硼，这样导致最外层少了一个电子。形成空穴，对外显正电。所以它叫P型半导体，P是Positive的缩写。

这三块黑色的是金属，从这三块金属可以引出导线。作为MOS管的三个极。

如果我们直接给漏极施加电压，它是不导通的，因为中间P区的自由电子浓度太低。为了能让MOS管导通，我们可以给栅极施加一个电压，这样栅极的金属板就会产生一个电场。P区的自由电子就会被吸引过来。

由于这一块白色的二氧化硅是绝缘体，自由电子就会被阻挡到这里。致使这一片区域的自由电子浓度变高，这样MOS管就会导通。

当我们把栅极电压撤去，P区里面的自由电子就不会聚集在这里。这样MOS管就截止了。

MOS管的全称是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor 。金属氧化物半导体场效应管。iGBT可流过的电流很大，最大可达3600A，它主要应用在高铁，电动车上。