IC老化问题

一般来说，IC (Intergrated Circuit) 老化由以下四种效应之一造成：

• EM (electron migration，电子迁移)
• TDDB (time dependent dielectric breakdown，与时间相关电介质击穿)
• NBTI (negative-bias temperature instability，负偏置温度不稳定性)
• HCI (hot carrier injection，热载流子注入)

其中EM和TDDB主要导致随机的崩溃性失效，NBTI和HCI主要导致速度的缓慢降低。

EM (electron migration，电子迁移)

“电子迁移”是50年代在微电子科学领域发现的一种从属现象，指因电子的流动所导致的金属原子移动的现象。因为此时流动的“物体”已经包括了金属原子，所以也有人称之为“金属迁移”。在电流密度很高的导体上，电子的流动会产生不小的动量，这种动量作用在金属原子上时，就可能使一些金属原子脱离金属表面到处流窜，结果就会导致原本光滑的金属导线的表面变得凹凸不平，造成永久性的损害。这种损害是个逐渐积累的过程，当这种“凹凸不平”多到一定程度的时候，就会造成IC内部导线的断路与短路，而最终使得IC报废。温度越高，电子流动所产生的作用就越大，其彻底破坏IC内一条通路的时间就越少，即IC的寿命也就越短，这也就是高温会缩短IC寿命的本质原因。

NBTI 、HCI、TDDB

这三个效应都跟MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 金属氧化物半导体场效应管) 原理有关。

罪魁祸首 ： $SiOH$

MOSFET原理是一个门极(Gate)靠静电势控制底下的导电沟道深度，电势高形成深沟道电流就大，电势低沟道消失就不导电了。稍微想深一层就知道这个门极导电底下的沟道也导电，那就必须中间有个绝缘介质把他们分开，否则就变成联通线不是晶体管了。再想深一层就知道这个绝缘介质最简单的做法是把硅氧化做二氧化硅。而行外人一般想不到的是光二氧化硅还不够，工程上二氧化硅和基板硅之间附着很差，必须加入Si-H键把二氧化硅层拴住。所以实际上介质层和硅之间有一层不是纯$SiO_2$是$SiOH$，问题由此产生。

助纣为虐 ： 量子隧穿效应

在量子力学里，量子隧穿效应为一种量子特性，是指电子等微观粒子能够穿过它们本来无法通过的“墙壁”的现象。这是因为根据量子力学，微观粒子具有波的性质，而有不为零的概率穿过位势障壁。

VLSI(Very Large Scale Integration, 超大规模集成电路)中量子效应不再能忽略。由于量子隧穿效应的存在，沟道中流动的电子会有一定几率移动到$SiOH$层去。

前面提到$Si-H$键，它的一大特点就是容易断，电子一隧穿到$SiOH$层，就有几率把这个键打断，这时候就产生断键和游离氢原子。断键会使得门电压 (threshold voltage) 提高，就是说原来只需0.3V就打开的门，现在需要0.35V才能打开了。这意思是说，同样外加1伏电压在MOSFET上，原先导通电流相当于0.7V（1V的外加电压减去0.3V的门电压）时的情形，现在相当于0.65V（1V的外加电压减去0.35V的门电压）时的情形。这就是为什么断键会使芯片变慢，因为导通电流低了，升压就慢。升压一慢，门开关就慢了，最后你的逻辑就慢了。

为什么老化跟时间有关？

为什么电路速度会随时间原来越慢呢？因为断键是随机发生，需要时间积累。另外，前面提到的断裂的Si-H键是可以自己恢复的，所以基于断键的老化效应都有恢复模式。对于NBTI效应来说，加反向电压就会进恢复模式；对于HCI效应来说，停止使用就进入恢复模式。但是这两种方式都不可能长时间发生，所以总的来说，芯片是会逐渐老化的。

为什么老化跟温度有关？

为什么电路速度跟温度也有影响呢？温度表示宏观物体微观粒子的平均动能。温度越高，电子运动越剧烈，$Si-H$键断键几率就大。

为什么加压会加速老化？

为什么加压有影响呢？同样的晶体管，供电电压越高偏移电压越高，偏移电压越高氢原子游离越快，等于压制了自发的恢复效应，自然老化就快了。

隐藏的危险 ：$Si-O$键

上文只说$Si-H$键会断，但是$Si-O$键其实也会断的，断了以后会形成一个可导电的点。随着使用随机断裂，到一定时间以后断了的Si-O键会形成一个从沟道联通门极的导电旁路，管子就击穿了，这就是TDDB的危害。

Refs：
1. EM (electron migration，电子迁移) ：https://en.wikipedia.org/wiki/Electromigration
2. NBTI (negative-bias temperature instability，负偏置温度不稳定性) ：https://en.wikipedia.org/wiki/Negative-bias_temperature_instability
3. HCI (hot carrier injection，热载流子注入)： https://en.wikipedia.org/wiki/Hot-carrier_injection
4. TDDB (time dependent dielectric breakdown，与时间相关电介质击穿)：https://en.wikipedia.org/wiki/Time-dependent_gate_oxide_breakdown
5. CPU 真的会老化？具体表现是什么？ http://www.zhihu.com/question/21385054?sort=created
6. MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 金属氧化物半导体场效应管)
7. 隧穿效应 http://baike.baidu.com/link?url=vH4U5F026I9I0t5bZmgGQ2N1w17WqqGAF7HwTotwJt99SpQyTOIYlGvzR_86ufqhCNEocWIngLLqoS3zFsfOba