td里面的内容加了br不起作用_TD前沿丨台积电3nm工厂已经竣工

加入5G产业时代交流群，加TD小助手微信：17388784965出示名片，仅限5G产业链及5G+应用。

近日， 台积电在中国台湾省台南市附近的南台湾科技园为其新工厂举行了一场升旗仪式。台积电董事长Mark Liu 在仪式上表示，到2022年下半年全面投入使用时，该工厂将使用该公司的 N3 晶圆制作方法，每月生产能力约为55000300 mm晶圆。

2019年10月底，台积电就已经开始建造新的生产设施，会在2021年下半年开始小量试产，2022年会大规模量产，不出意外的话，苹果的A16处理器会是3nm首发。

与5nm工艺相比，台积电3nm的晶体管密度提升70%，性能提升15%，功耗降低30%，同时继续使用FinFET工艺，技术成熟度更高。

据悉，台积电为3nm工艺一共准备了4波产能，其中首波产能中的大部分，将留给他们多年的大客户苹果，后三波产能将被高通英伟达等厂商预订。

之前有消息称，台积电将在3nm 节点放弃 FinFET 晶体管工艺，转向GAA环绕栅晶体管。台积电方面称，N3 制作方法仍采用 FinFET 晶体管结构，主要是考量客户在导入5nm制程的设计也能用在3nm制程中，无需面临需要重新设计产品的问题，台积电可以保持自身的成本竞争力，获得更多的客户订单。

不过，台积电在 2nm 研发上取得重大突破，目前已找到路径，将切入全环栅场效应晶体管GAA。

台积电此前曾表示，其2nm技术的研发和生产将在保山和新竹进行，同时还进一步指出，它正计划拥有四个超大型晶圆厂，占地222英亩。据台积电预计，2023年会进行小批量风险实验，未来苹果、高通、英伟达、AMD等都会成为其2nm技术的客户。

在2nm工艺上，台积电将放弃多年的FinFET(鳍式场效应晶体管)，甚至不使用三星规划在3nm工艺上使用的 GAAFET (环绕栅极场效应晶体管)，也就是纳米线(nanowire)，而是将其拓展成为 MBCFET(多桥通道场效应晶体管)，也就是纳米片(nanosheet)。

【精选内容】

(按住蓝色区域上下滑动可查看更多内容)

中控上市后  会给工业互联网带来哪些变量？

尴尬的5G+工业互联网

国产芯片“小华为”利剑出鞘

TD产业观点：什么样的工业互联网企业能够在5G时代跑出来？

美的工业互联网平台有何不同？副总裁张小懿这样说

阿里杀入工业互联网有何战略 张勇提出四个思考

中国工程院院士邬贺铨：5G云边端协同更多地应用是在机器视觉领域

直击首届中国5G+工业互联网大会 创新成果如何？