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材料来源:《化合物半导体》
为硅提供InGaAs沟道,改善了RF-CMOS的逻辑和高频性能。
Cezar Zota
Clarissa Convertino
lukas Czornomaz
IBM苏黎世分部
数字革命定义了我们的时代。我们生活的信息时代是通过大量数据流得以实现,这些数据流通过海底通信电缆传输,通过高频电磁波编码,流入和流出计算机进行处理,现在的计算机借助数十亿个晶体管实现处理功能。今天,我们不仅理所当然地认为我们可以立即获得信息和社交网络,而且还可以持续改进所有这些技术。我们希望智能手机,笔记本电脑和个人电脑变得更快,更高效,并且能够以更高的速率实现连接。
根据Robert Dennard的扩展规律(登纳德缩放比例定律),多年以来,计算机和小工具的发展与硅CMOS的小型化技术保持同步。这些规则确立了一种使硅晶体管小型化的方法,同时改善其性能并保持了芯片的功率密度。这是通过同时降低电源电压和关键晶体管的尺寸(例如栅极氧化物厚度和栅极长度)来实现的。
从20世纪60年代开始,Dennard扩展定律一直到本世纪初都持续运转很好。但最终,电子传输的物理极限已经追赶上了扩展速度,这是通过两个关键现象来单纯地阻止了现代晶体管的进一步缩小。
第一个是电源电压的降低,这可能是自相矛盾的,当导通电流保持在恒定电平时,电压降低将导致关断电流的增加,从而避免处理器时钟速率的降低。实际上,电源电压不能低于0.7V,这是目前最先进的硅CMOS finFET的值。
第二个现象是由于器件进入所谓的“准弹道机制”,这是一种载流子传输模式,电子在通过晶体管沟道时不会散射,由于这种机制将导致随着栅极长度缩小,导通电流的增加会减小。
这两种效应都对进一步缩小尺寸产生显著的影响。这将导致处理器时钟频率不在继续增加,该频率已经在3GHz左右徘徊了十多年。替代方案是,自2003年以来,晶体管尺寸的减小成为更高晶体管密度的关键,并使得多核处理器架构得以引入。
传统缩小尺寸范式失效的另一个影响,是预示了创新和材料科学驱动的发展时代。最近,新技术节点的推出已经不再是尺寸的减小,而是新器件概念和材料的引入。它们包括高κ电介质,应变硅和SiGe,以及finFET器件架构。
III-V族材料能力