Atmega 128下载与熔丝位

Atmega 128下载与熔丝位

一、简介

1.1 内核介绍

AVR单片机指令总线长度时16位，取操作数的数据总线长度位8位。

Atmega 128 共53个IO，复位之后IO时高阻态。

Flash中有自引导加载程序，可用于启动装载功能实现自我编程，

ATmega 128的堆栈指针指向的地址必须高于0x60。

1.2 boot锁定位

boot锁定位可以通过软件、串行编程、并行编程的方式进行设置。实际上boot锁定位属于Lockbit，具体如下：

一般Lockbit位全为1时，不用担心程序无法下载。

1.3 熔丝位

熔丝位本身是写“1”禁止，写“0”使能。

M103C：0代表以ATmega103兼容模式工作。

器件进入编程模式时熔丝位的值被锁存。其间熔丝位的改变不会生效，直到器件退出编程模式。不过这不适用于 EESAVE 熔丝位。它一旦被编程立即起作用。在正常工作模式中器件上电时熔丝位也被锁存。

注意事项：不要加密芯片，否则需要先全片擦除并解除锁定才能编程熔丝位。

1.4 程序下载的方式

1. JTAG ICE
   使用JTAG编程，需要熔丝位JTAGEN使能，同时MCUCSR寄存器的JTD位清零。如果JTD被置1，则可以将外部RESET强制拉低，经过两个时钟周期后，JTD会自动清零。

2. 串行编程

3. 并行编程

4. bootloader

1.4.1 并行编程

除非另行说明，脉冲宽度至少250ns，周期至少500ns，频率最大2MHz

并行编程的功能如下所示：

1. 芯片擦除
2. 读写flash
3. 读写EEPROM
4. 读写熔丝位
5. 读写标定字节
6. 读标识字节

1.4.1.1 硬件连接

其中命令引脚如下：

1.4.1.2 进入并行编程模式

编程之前，首先要保证芯片进入编程模式，步骤如下：

1. 在 VCC 及 GND 之间提供 4.5 - 5.5V 的电压，并至少等待 100 µs。
2. 将 RESET 拉低，并至少改变 XTAL1 电平 6 次。
3. Prog_enable 引脚置为 “0000”，并等待至少 100ns。
4. 给 RESET提供 11.5 - 12.5V的电压。在向 RESET提供 +12V电压后的 100 ns 内，Prog_enable 引脚的任何行为都会导致芯片无法进入编程模式。
5. 发送命令前等待至少50ns

注意事项：如果芯片使用内部时钟，此时必须使晶振断开，才能保证XTAL1输入合格的脉冲信号。

1.4.1.3 编程熔丝位

所有情况下，Reset拉高到12V，OE拉高，PAGEL拉低。并且按照由低到高的顺序进行编程熔丝位

低8位编程

置 BS1 为 “0”， BS2 为 “0”。

1. A：第一个周期内，XA1置1，XA0清零。DATA加载命令 “0100 0000”。
2. C：第二格周期内，XA1和XA0清零。加载数据低字节，若某一位为 "0” 表示需要进行编程，否则需要擦除。
3. 第二个周期结束后，时钟停止，给 WR 提供一个负脉冲，并等待 RDY/BSY 变高。

高8位编程

1. A：第一个周期内，XA1置1，XA0清零。加载命令 “0100 0000”。
2. C：第二格周期内，XA1和XA0清零。加载数据高字节，若某一位为 "0” 表示需要进行编程，否则需要擦除。
3. 第二个周期结束后，时钟停止，将 BS1 置 "1”、 BS2 置 "0”，选择高位数据字节。给 WR 提供一个负脉冲并等待 RDY/BSY 变高。
4. 将 BS1 置 "0”。

扩展位编程

1. A：第一个周期内，XA1置1，XA0清零。加载命令 “0100 0000”。
2. C：第二格周期内，XA1和XA0清零。加载数据低字节。若某一位为 "0” 表示需要进行编程，否则需要擦除。
3. 第二个周期结束后，时钟停止，将 BS1 置 "0”、 BS2 置 "1”，选择扩展数据字节。给 WR 提供一个负脉冲并等待 RDY/BSY 变高。
4. 将 BS2 置 "0”。

二、目前存在的问题

1. 程序无法下载
   1. STK500并行下载工具：修改不了国内SPIEN位；编程国外Flash总是失败；（不能写国外Flash，可能跟PCB有关）
   2. JTAG ICE能擦除Flash，能读取Flash，不能写Flash和熔丝位；（能正常读写国外芯片Flash）
   3. SPI
   4. FPGA实现并行编程

开发资源

www.avrfreaks.net

www.sl.com.cn