Silvaco TCAD仿真8——网格mesh的意义（举例说明）

离子注入形成的掺杂分布，不同网格密度产生的效果
 

网格点稀疏 

#启功工艺仿真器
go athena

#定义网格
#  x：0-1，间距是1。即x方向有1个网格点。
#  y：0-5，间距是0.1.即y方向有50个网格点
#  x，y方向没有网格，意味着，这是一个一维的程序
line x loc=0.0 spac=1.0
line x loc=1.0 spac=1.0
line y loc=0.0 spac=0.1
line y loc=5   spac=0.1

#初始掺杂材料
#初始掺杂材料是磷p，掺杂浓度=1e14。n型掺杂。
init c.phospho=1e14

#离子注入implant。
#注入硼，注入剂量1e15
implant boron dose=1e15 energy=10

#定义器件结构输出文件
structure outfile=diode.str

TonyPlot展示的 diode.str结果

离子注入，

沿着x轴方向没有变化（因为x方向没有定义掺杂的范围，默认是均为掺杂），

沿着y轴方向 应该是高斯分布

  看总掺杂浓度

 网格点变密集

 网格点变密，其他不变

go athena

#y轴方向网格点变密
line x loc=0.0 spac=1.0
line x loc=1.0 spac=1.0
line y loc=0.0 spac=0.01
line y loc=5   spac=0.01

init c.phospho=1e14

implant boron dose=1e15 energy=10

structure outfile=diode.str

 仿真结果

 对比结论

         如果把网格点打的稀疏，会因为网格点离散化不够，没有精确拟合物理量变化的所有趋势。

        把网格点设置的密一些，会发现更丰富的信息。

参考：

半导体器件仿真中的网格