嵌入式开发——EEPROM和FLASH的区别和优劣势

1、EEPROM的发展

(1)ROM(Read Only Memory):真正意义上的只读存储器，在出厂的时候数据就写在了芯片里，只能读不能写；
(2)PROM(Program Rom):可编程只读存储器，可编程的ROM芯片，出厂的时候芯片是空白的，自己可以写入一次数据，一旦写进去芯片也是只能读不能写；
(3)EPROM(Erasable Programmable Rom):可擦除可编程只读存储器，芯片上方有一个窗口，可以用紫外线透过芯片的窗口去擦除程序，擦除完再写入，平时要把窗口遮住，防止平时使用时有光线进入芯片，导致数据受损。
(4)EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory):电可擦除可编程只读存储器”，可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。

2、FLASH的分类

flash分为Norflash和Nandflash：Norflash容量小价格高，可以上电使用，通过总线与CPU连接，也可以片内执行，可用于设备启动；NandFlash容量大，价格便宜，必须初始化才能使用，通过NandFlash控制器与CPU通信。更详细的区别可以参考《嵌入式开发——常见的存储器分类和特性介绍》。

3、flash和EEPROM的异同

(1)两者都是属于ROM，并且都是电学原理进行存储
(2)FLASH比EEPROM的电路简单，同样面积flash可以存储更多数据，数据密度更高；
(3)FLASH是按块进行访问，EEPROM按字节进行访问；
(4)EEPROM的可擦写次数比FLASH多；
(5)EEPROM的单位容量价格比FLASH更高，EEPROM一般容量都很小；
(6)EEPROM一般都是用作存储程序运行时要掉电不丢失的数据，FLASH一般是用来存储程序的；