ADS入门学习笔记——射频控制电路

最新推荐文章于 2024-05-31 09:42:54 发布

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射频控制电路主要用于控制通信系统中RF信号的幅度、相位和信号的导通、截止等。

1、衰减器

衰减器通常加在信号源和负载之间，用于衰减信号源的电压，防止负载电路过载，也可以用来完成系统的阻抗匹配。衰减量通常用分贝表示，分为无源衰减器和有源衰减器。其中，无源衰减器由纯电阻构成，根据电阻的排列方式分为T型、Π型和桥式T型衰减器。

有源衰减器可分为宽带有源和窄带有源，对于有源衰减器，采用桥式T型结构，首先要添加偏置电路，完整的有源桥式T型衰减器结构如图所示。

VD1和VD2轮流导通，当VD1导通、VD2截止时，电路插入损耗较低，即低衰减状态；当VD1截止、VD2导通时，电路插入损耗高，即高衰减状态。可以通过调节两个二极管上的偏压实现调节电路衰减量功能。

1.1、二极管模型搭建

封装

【File】→【Design Parameters】，对模型进行参数设置

关闭，新建原理图，插入刚刚封装的二极管模型

开始仿真

此时衰减器衰减较大，频带内衰减大于-10dB；修改导通截止条件，继续仿真

低衰减状态下，频带内衰减小于1.1dB。

2、移相器

移相器是一种二端口网络，用于提高输出和输入信号之间的相位差，可由控制信号控制，一般分为数字移相器和模拟移相器。数字移相器其相位移插值通过预定的离散值进行改变，模拟移相器相位差值可通过相应的控制信号的连续变换进行相位改变。

2.1、开关型移相器

开关型移相器的基本构成如图所示。两只单刀双掷开关用作信号通路，交替的经过两个中的一个。其中，length2的电长度比Line length1长X度，在线间切换，导致线间的相位偏移 $\Delta \varphi =\beta \left ( l_2-l_1 \right )$ 。

设计一个在4GHz处产生22.5°相位偏移的移相器，根据电磁理论， $\beta =\frac{\omega }{v_p},v_p=\frac{1}{\sqrt{\varepsilon_{eff}}}$ ，由 $\Delta \varphi =\beta \left ( l_2-l_1 \right )$ ，则 $\Delta l=\frac{\Delta\varphi}{\beta }$ 。

要偏移22.5°，换算为弧度为0.3925，又

$\lambda_{air}=\frac{c}{f}=0.075m,\lambda_g=\frac{\lambda_{air}}{\sqrt{\varepsilon_{eff}}}=0.0238m,\beta={2\pi \over \lambda_g}$ ，

得到

$\Delta\lambda={\Delta\varphi \over\beta}={\lambda_g\cdot\Delta\varphi\over2\pi}={0.0238\times 0.392\over2\pi}=1.485mm$

即微带线2比微带线1长1.485mm。

2.2、负载线型移相器

多用于相移量小于45°的设计中。原理是在微带线下加一个并联阻抗使入射信号产生相移，如图所示。

由 $\Delta\varphi=-tan^{-1}({b\over2})$ 得 $b=-2tan\Delta\varphi$ ，则 $b=-0.828$ 是感性电纳，归一化得 $0.8258\times50\Omega =41.1\Omega$ 。

$L={x_l\over2\pi\cdot f}={41.4\over 2\pi\cdot4\times10^9}=1.65nH$ ，移相器得插入损耗为 $10log_{10}(1+{b^2\over4})(dB)=0.68dB$ 。因此，想要获得较大得相移，必须有较高的b值，这样会增加插入损耗。但是，在电长度为90°的传输线两端并联电纳负载可以使负载线型移相器的回波损耗得到显著改善，如图。