射频电路基础——谐振功率放大器

1、电路与原理

 由基极回路可得:

UBE=UBB+Ub

由集电极回路可得:

UCE=UCC-Uc

此时,假设Ub的表达式为:

Ub=Ubm\cos\left ( wt \right )

则:

UBE=UBB+Ubm\cos \left ( wt\right )

此时,由输出电流ic,可得如下关系图:

现假设UBB=UBE(on),由上图可知,此时的θ=Π/2,工作在乙(B)类工作状态。当UBB>UBE(on)时,且θ=Π,工作在甲(A)类工作状态。若UBB<UBE(on),则θ<Π/2,工作在丙(C)类工作状态。注意到,甲类和乙类之间,存在一个Π/2<θ<Π的时刻,称为甲乙(AB)类工作状态。

根据傅里叶分解知识,ic可由如下表达式进行表达:

ic=ic_0+ic_{1max}\cos wt+ic_{2max}\cos 2wt+ic_{3max}\cos 3wt+...\\ //=ic_0+ic_1+ic_2+...

LC回路:

当输入信号的频率w等于LC回路的谐振频率时,即w_i=w_0=\frac{1}{\sqrt{LC}},产生谐振,LC并联电路相当于电阻Re。若令\frac{1}{\sqrt{LC}}=w,相当于选择ic中频率为w的分量,即:

i=ic_{1}=ic_{1max}\cos wt\\ Uc=Re\cdot ic_1 = ic_{1max}Re\cos wt=Uc_{max}\cos wt

2、能量关系

(1)输出功率Po

Po=\frac{1}{\sqrt{2}}Uc_m\cdot \frac{1}{\sqrt{2}}ic_{1m}=\frac{1}{2}ic_{1m}Uc_m

(2)UCC的直流功率

P_E=UCC\cdot ic_0

(3)效率

\eta_c=\frac{P_O}{P_E}=\frac{1}{2}\frac{ic_{1m}\cdot Uc_m}{ic_0\cdot UCC}

        定义:

        波形利用系数:g_1(\theta)=\frac{ic_{1m}}{ic_0}

        电压利用系数:\xi =\frac{Uc_m}{UCC}

        则有:\eta _c=\frac{1}{2}g_1(\theta )\xi

状态分析:

  1. 甲类:\theta =\pi ,g_1(\theta )=1,若\xi=1,则\eta _{cmax}=50%;
  2. 乙类:\theta =\pi/2 ,g_1(\theta )=\pi/2,若\xi=1,则\eta _{cmax}=78.5%;
  3. 丙类:\theta <\pi/2 ,g_1(\theta )>\pi/2,若\xi=1,则\eta _{cmax}>78.5%;
  4. \theta =0 ,g_1(\theta )=2,若\xi=1,则\eta _{cmax}=100%;

3、丙类功放的工作状态

(1)、解析分析法

设ic特性曲线的斜率为g_m,则ic表达式又可以写为:

\left\{\begin{matrix} ic=g_m(UBE-UBE(on)),UBE>UBE(on) \\ic =0 ,else \end{matrix}\right.

导通时:ic=g_m(UBB+Ub_m\cos wt-UBE(on))

  • wt=\theta ,ic=0,代入上式可得,\cos\theta =\frac{UBE(on)-UBB}{Ub_m}
  • wt=0,ic=ic_{max},可得ic_{max}=g_m\cdot Ub_m(1-\cos\theta)

(2)、图解分析法——动特性曲线

UCE=UCC-Uc=UCC-Uc_m\cos wt得ic与UCE的关系式:

ic=g_m\left ( UBB-UBE(on)+\frac{UCC-UCE}{Uc_m}\cdot Ub_m \right )

联立方程:

UBE=UBB+Ubm\cos \left ( wt\right )\\ UCE=UCC-Uc_m\cos \left (wt \right )

 

  • wt=0,则由下式,确定C点

\left\{\begin{matrix} UBE=UBE_{max}=UBB+Ub_m\\ UCE=UCE_{min}=UCC-Uc_m \end{matrix}\right.

  • wt=\pi/2,有下式,可确定B点

\left\{\begin{matrix} UBE=UBB\\ UCE=UCC \end{matrix}\right.

连接BC,交横轴于A点,同时,将UCE(max)投影到横轴,得到D点,D点坐标为:

\left\{\begin{matrix} ic=0,UBE=UBE(on)\\ UCE=UCE(max)=UCC+Uc_m \end{matrix}\right.

此时,连接折线CAD就是丙类(UBB<UBE(on))功放的ic与UCE的动特性曲线。

接下来,根据动特性曲线画出ic的波形。如图,通过以上分析,可得黄色部分为导通部分,令折线部分CA的斜率为k,A点对应横坐标为UCC',导通时有

ic=k(UCE-UCC')=k(UCC-Uc_m\cos wt-UCC')

当wt=θ时,ic=0,则有

\cos\theta={UCC-UCC'\over Uc_m}

(3)、工作状态

根据C点的位置,可以划分为:

  • C点在放大区:欠压状态;
  • C点在饱和区:过压状态;
  • C点在临界点:临界状态;

如图,Uc_m增大,C点左移,A点为CB连线与横轴交点,A点也略微左移,θ也略微变动,可近似不变,斜率绝对值减小,当Uc_m继续增大,C点继续向左移动,此时工作在过压状态,C点实际投影位置在C'处,折线多折一段。

欠压、临界状态
过压状态

 4、工作状态的调整

调整电路的工作状态,可以通过调整C点的位置,C点的位置由UBB,Ub_m,UCC,Uc_m决定。

(1)、负载特性

保持UBB、UCC、Ubm不变,改变Re时,ic、Ucm、Po和ηc的变化情况;

Re增大,Ucm也增大,导致UCE(min)减小,此时C点左移,电路由欠压→临界→过压。

Uc_m=ic_m\cdot Re

 P_O={1\over 2}ic_m\cdot Uc_m,P_E=UCC\cdot ic_0,\eta_c={P_O\over P_E}

 (2)、集电极调制特性

保持UBB、Re、Ubm不变,改变UCC时,ic、Ucm、Po和ηc的变化情况;

UCC增大,导致UCE(min)增大,此时C点右移,电路由过压→临界→欠压。

 调制:让高频载波的某一个参量随着低频有用信号的变化而变化;

注意到,随着UCC的改变,可以改变高频交流电的振幅Ucm,若在UCC和LC回路间串联一个低频信号源Ui,将横坐标看作是UCC与Ui的叠加,即可实现对振幅的调制。因此,利用高频功放的集电极调制特性可在过压区实现振幅调制。

(3)、基极调制特性

保持UCC、Re、Ubm不变,改变UBB时,ic、Ucm、Po和ηc的变化情况;

UBB增大,导致UBE(max)增大,此时C点上移,ic(max)增加,则Ucm增加,导致UCE(min)减小,C点左移。电路由欠压→临界→过压。

UBB串联一个低频信号源Ui,将横坐标看作是UBB与Ui的叠加,即可实现对振幅的调制利用高频功放的集电极调制特性可在欠压区实现振幅调制。

(4)、放大特性

保持UCC、Re、UBB不变,改变Ubm时,ic、Ucm、Po和ηc的变化情况;与基极调制特性情况类似。

10丙类谐振功放的工作状态分析(7)_哔哩哔哩_bilibili

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射频与微波功率放大器设计是一种用于增强信号功率的电路设计技术。射频功率放大器主要用于增强高频信号的功率,而微波功率放大器则专门用于增强超高频(微波)信号的功率。 射频与微波功率放大器的设计主要包括两个方面:电路拓扑设计和器件选型。在电路拓扑设计方面,常见的放大器包括共基极放大器、共发射极放大器和共集极放大器等。这些放大器的电路结构都有其适用的场合,需要根据具体需求来选择合适的拓扑。 而在器件选型方面,射频与微波功率放大器的设计需要选择适合高频工作的器件,常见的有GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)等半导体材料。这些器件具有快速的开关速度和高的性能指标,在高频环境下表现出较低的损耗和较为稳定的特性。 此外,射频与微波功率放大器设计还需要考虑一些关键参数的优化,如增益、功率输出、线性度和带宽等。通过合理选择器件和优化电路结构,可以提高功率放大器的性能,并满足特定的应用需求。 最后,在射频与微波功率放大器设计中,还需要关注功率放大器的稳定性和抗干扰能力。这些设计因素对于保证系统的正常工作和提高系统性能至关重要。 总之,射频与微波功率放大器设计是一项综合性的工程技术,需要考虑电路拓扑设计、器件选型、参数优化以及系统稳定性等方面,以实现对高频信号的有效增强。

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