原理分析
基准电流源,通过调节NM0和NM1的宽长比K值或者调节电阻R的值改变电流的大小
忽略体效应
共源共栅电流镜是为了减小失配,pmos电流镜的Vds不一致。
dc仿真
仿真电流随温度的特性曲线
电流随VDD的变化
电路在1.2V开始正常工作,之后会随着VDD有轻微的变化,是由于沟道长度调制效应
瞬态仿真
启动电路
电路不工作的状态时要么PMOS管的栅极为高电平,要么NMOS管的栅极为低电平。因此设计启动电路,就是当PMOS管的栅极为高电平加管子对电流进行泄放,将栅极电压拉低。当NMOS管的栅极为低电平时,加管子对充电,把栅极电位拉高。
加很多个PMOS管是因为想让启动电路的电流非常小,这样不会引起太大功耗。
如图,电路不工作时,C点为高电平,B点电压为低,NM6管无电流流过,所以A点电压为高电平。NM7管导通,将C点电压拉低。电路开始工作。工作之后B点开始升高,NM6管导通有电流流过,所以A点电压降低,NM6管截止。电路启动完成。
注意:NM6的管子尺寸比较大,得足以将A点电位拉低
仿真静态的时候启动管子一定得关闭
可以加很多个pmos晶体管,使该支路的电流为nA级别,以此来减小功耗。
仿真在高温下的工作状态,T=150
低温下,T=-40
瞬态仿真
红色线的第一个拐点就是启动电路启动的过程,即NM7关断的过程
通过修改NM6管的尺寸可以看到启动过程的快慢
有启动电路和无启动电路电流的变化过程
启动管NM7的电流
有无启动电路C点电压变化区别