原理图
取n=14,这样总共会有16个晶体管,在版图时可以画成4x4矩阵,更好的匹配。
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/f6240e810d484aebdccdcb2b726bde4f.png)
仿真PMOS晶体管
对单管pmos仿真gmid以及gain曲线
假设:gm/id=6,L=2u,Id=10uA
从gmid-id/w曲线中可以得到W=12u
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/57961927692dc59ff82e8e86034d6876.png)
bandgap中运放的设计
采用两级运放
假设CL=10p,GBW=50MHz,Av>10000
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/ec5ea3a9f29b6536d6dfd549e2278219.png)
输入级pmos进行仿真
取Cc=CL/2=5p,根据,可以计算出gm1=2*10^-3
取gm/id=12,可以计算出id=167uA
Av>10000,每一级增益取100
Av1=gm1ro/2>100,需要gain>200
在gmid-gain中找到gain>200时的L
取L=400n
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/5930620e3a0ed5fa1b615427b53742cf.png)
根据gmid-idw曲线求出W=121u,令m=4,W=31.5u
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/24024a5a661ae6d91659d52c6b42a2ce.png)
负载晶体管nmos仿真
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/1b5ea8d1341fb2a9e51a3606330631d3.png)
取gm/id=8,L=2u,W=145u,m=4时,w=36.56u
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/e1d019050302025284354b30cdd3c670.png)
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/6cca25e1d606ec48ac9673fd9b3c5df0.png)
运放第二级nmos管仿真
确定晶体管M6的尺寸,晶体管M6的gm应为gm1的6倍,因此gm6=16*10^-3
取gm/id=8,id=2mA如图L=2u,同理从图中可以看出W=876u,取m=10,,w=87.6u
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/899c73ff9659912d234d126b33f34a4f.png)
两级运放仿真
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/a7fa81147438395c315f947ec8734b77.png)
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/b4a93789c8b2397ac07f84bae7b68c9f.png)
最后根据需求微调参数
banggap仿真电阻R1,R2
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/2621726ef15f12a6293d5945e49bb4eb.png)
假设支路电流为10uA,对R1进行扫描,取R1=6.85K
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/f88947e6a5bcfd5ecc9dea79b5b04d42.png)
R2决定温度系数,对R2进行参数扫描,取R2=43k
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/9110cfbe86e8f348d1fbbc0e5c6e960a.png)
温度特性仿真
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/1218230bd773c5b38913b83ed9e9bb58.png)
对VDD进行仿真
![](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/395018180acd107dd5bab605ba6a0030.png)