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射频36技
文章平均质量分 63
冬冬甜甜枪
这个作者很懒,什么都没留下…
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05、并联旁路电容
①这种设计方法也叫FDTIM(频域目标阻抗),目的就是做出平坦的输出阻抗曲线,这也是多频程选择而不是并联多个单一电容的原因之一。K大电容,自谐振频率下降,到高频时易变为电感性,所以降低容值,用小的并联叠加。②差十倍中间尖峰有点大的,差两倍比较好,比如说10nF,20nF,40nF。Q为什么不用一个大电容代替,而用很多小电容并联代替?...原创 2022-07-18 11:26:45 · 558 阅读 · 0 评论 -
04、偏置电路
1、基本理论微波、毫米波电路和系统中的固体器件,一般都须加上偏压,以保证一定的工作状态。为此必须有偏压电路,把直流或一定的控制电压通过偏压电路加在固态器件上。在设计时,必须注意使其对主电路的微波传输特性影响尽可能的小,即不应造成大的附加损耗,反射以及高频能量的泄漏。对于微带电路的整体来说,还应该使其结构尽可能的紧凑,不至于占很大的面积,避免造成全体电路在介质基片上排列的困难。对直流偏置电路的要求与对隔直电路刚好相反,需要导通直流,扼制VCO振荡频率附近的交变电流,防止因射频端向直流源看去输入阻抗不够大而引起原创 2022-07-10 21:25:21 · 5556 阅读 · 0 评论 -
03、layout版图设计
举例一:为了使仿真更加精确,下面在layout中对这个短路微带线进行进一步的仿真。 (1)新建layout(2)版材设置(3)版图设计①添加变量【EM→Component→Parameters...】 ②微带线尺寸可采取变量设置 ③通孔设置 (4)电磁仿真设置此时Symbol可以选EM model和Layout有何区别?选用EMmodel则调用电磁仿真器,结果与EM电磁仿真一致,只有经过电磁仿真设置的Symbol调用EMmodel才不会报错。而选用Layout要调用PDK元件库中定义的性能参数来进行仿真分原创 2022-07-04 20:17:43 · 4258 阅读 · 1 评论 -
02、射频中Г、S Parameters、RL、IL、Gain、VSWR、NF、P1dB、HMD、IMD、ACPR、IIP3、OIP3、DRSF、PAE等指标计算及其重点公式总结
1、Г(reflect coefficient) 2、S Parameters3、RL(Return loss) 回波损耗,损耗回波4、IL(Insertion Loss) 插入损耗,损耗插入5、(Power)Gain 6、VSWR(Gain flatness and Return losses)一般要求:7、NF(Noise figure)噪声限制了系统所能处理的最低信号电平(非线性失真-限制了系统所能处理的最高信号电平) 8、P1dB(Power原创 2022-07-02 11:33:52 · 6601 阅读 · 2 评论 -
01、射频中dB、dBm、dBw、dBi、dBd、dBic、dBc的含义以及计算方法总结
1、dBdB更多讲的是一个比值和差值即相对值如a=5瓦,b=2瓦则为10log(5/2)=3.98dB50 dBm-30 dBm=20 dB注:电压用20log,功率用10log2、dBm和dBw专门衡量功率,讲的是一个绝对值分别以1mw和1w为基准3、 dBi和dBddBi和dBd是考征增益的值(功率增益),两者都是一个相对值,但参考基准不一样。dBi的参考基准为全方向性天线,dBd的参考基准为偶极子,所以两者略有不同。一般认为,表示同一个增益,用dBi表示出来比用dBd表示出来要大2. 15。或者说0d原创 2022-07-01 21:15:21 · 5845 阅读 · 0 评论