04、偏置电路

1、基本理论

微波、毫米波电路和系统中的固体器件，一般都须加上偏压，以保证一定的工作状态。为此必须有偏压电路，把直流或一定的控制电压通过偏压电路加在固态器件上。在设计时，必须注意使其对主电路的微波传输特性影响尽可能的小，即不应造成大的附加损耗，反射以及高频能量的泄漏。对于微带电路的整体来说，还应该使其结构尽可能的紧凑，不至于占很大的面积，避免造成全体电路在介质基片上排列的困难。

对直流偏置电路的要求与对隔直电路刚好相反，需要导通直流，扼制VCO振荡频率附近的交变电流，防止因射频端向直流源看去输入阻抗不够大而引起的交流泄漏，简言之就是防止直流偏置电路影响交流电路各部分的阻抗特性。

通常采用的直流偏置电路形式有四分之一波长高低阻抗线、四分之一波长开路短截线等，在此我们选取后者的变型，即四分之一扇形开路线偏置电路，如图2.13所示。

如图2.13，B点为偏置电路和振荡电路的连接点，Rin为B点向偏置电路看去的输入阻抗，A点为扇形开路短截线在细微带上的接入点，Zload为直流源端的负载阻抗，可理解为直流源内阻、旁路电容和轭流电感的总的等效阻抗，r为扇形的半径。当r等于VC0振荡频率上的四分之一波导波长时，出于扇形弧线边缘开路，则对振荡频率上的信号来说转换到A点应为短路，即在A点将其右侧的所有电路旁路掉，右侧电源部分不再影响A点左侧电路。当A、B之间长度等于振荡频率上的四分之一波导波长时，A点短路转换到B点则为开路，即对振荡频率上的信号来说，从B点向偏置电路看去的输入阻抗Rin为无穷大。而偏置电路是在B点与振荡电路相并联的，则Rin为无穷大意味着B点右侧的电路对振荡电路的交流特性没有影响。

以上分析是针对振荡频率为点频而言的，实际的振荡频率总在一定频段内变化，即对非理想点频的振荡频率需要以具有一定带宽的高输入阻抗偏置电路来保证。开路短截线呈扇形，以及采用双扇形的目的均是为了尽量展开该带宽，同时又保证较小的电路尺寸。设计时要注意选取较好的扇形角度，也要注意使扇形部分不致与其它电路产生电磁耦合。馈入直流的微带一般采用较细的高阻线，利用其类似电感的特性：同时也要注意满足加工精度的要求，对大输入功率器件还要考虑细微带对大电流的承受能力。（电感↔高阻抗线↔线细/电容↔低阻抗线↔线宽）

在微带集成电路中，最简单的偏压电路为 λ/4分支线，并在终端端接电容块，如图3-3(a)所示。由于此电容块的尺寸较大，和波长可以比拟，长度取为四分之一的微带线波长。分支线的特性阻抗很高，其长度亦为四分之一微带线波长。因为高阻和低阻段的微带线阻抗不同，故两段微带线宽度也有很大差别。实际上，这里的高低阻抗线可分别看作串联电感和并联电容，从而构成一简单的低通滤波器。

由于终端开路的低阻分支线经过 λ/4以后为短路，亦即对高频为零电位点，故在此处加入偏压线理论上对电路没有影响，因此偏压线在高、低阻微带的交接处加入。然而，实际上由于制造公差以及考虑工作频带等原因，该点并非理想的零电位。为使偏压线的影响尽可能的小，也将它制成高阻抗的细线条，以减小旁路作用。由偏压线接入点再经过 λ/4高阻线到达主传输线时，就得到一个无限大阻抗，对主线没有什么影响可以忽略。当然由于公差和频率偏离中心等原因，使上述理想情况并不能与理论上保持一致。但由于线的特性阻抗很高，仍能在主线处得到一个较高的射频阻抗。一般来说，高阻线的特性阻抗越高，低阻线的特性阻抗越低，那么对主线的影响也就越小。

分支线偏置具有结构简单的特点，在一般的微带电路中可满足工程设计的要求。然而其带宽有限，在频带较宽的偏置电路中常用扇形接地的结构如图4-6(b)所示，基本原理同分支线类似。但这种结构较前者具有带宽较宽，加工精度对性能影响较小的优点。

若高阻线长度取 λ/4，则扇型边缘与主线的距离很小，扇形块与主线间的耦合势必会影响主线上电磁能量的传输。因此这里高阻线长度取3λ/4。

计算结果表明，将高阻线长度延长半波长使得工作带宽变窄了，然而为了不影响主线的波的传输以及设计目标中对输出功率的要求，最终选取高阻线长度为3λ/4。将偏置电路从主线交接处断开，在HFSS中对输入阻抗进行仿真计算，并将结果导入ADS的S1P数据项，计算其一端的总输入阻抗，计算得到在所需频带内，端口输入阻抗的模值均大于600欧姆，对主线的传输影响甚小。

启示：在ADS中仿真优化微带偏置时，仿真优化的目标就是使从输入端（直流馈入的那一端）往另一边看的总输入阻抗的模值足够大！
原理：由于主信号线和偏置电路是并联的，当偏置电路的阻抗足够大时，则偏置电路对主线的影响就很小。

2、仿真实例

设计目标：主信号线传输的频率为10GHz， 微带线阻抗为100Ω

由上图可见：

①S31很小（小于负50B)，并且带宽很宽！说明主路射频信号在偏置线上几乎完全衰减，达到了目的。我们希望S31越小越好。

②S33很大，说明3端口的驻波很差，说明主路信号在进入偏置电路口的时候几乎被完全反射了回去，而不会从偏置电路泄露，从而射频信号经过偏置电路的那个节点时衰减很小（如果S33比较小，射频信号就会从这个偏置电路泄露，则主路射频信号的功率就降低了，而我们却希望偏置电路对主路射频信号的影响尽量小。比如功分器，就是射频信号进入了两条支路，所以各支路的电平都在主路的基础上衰减了3dB),即：偏置电路对主路射频信号的传输影响很小。我们希望S33越大越好（即3端口的驻波越差越好)，这样主路的射频信号才难以进入微带偏置支路，因为都被反射了（这个反射只针对传输频率，直流不受干扰，因此反射的是从主路射频信号进入偏置电路的端口处）。

③S21很大，说明主路的插损很小，也就是说：偏置电路对主路射频信号的影响很小。主路信号在经过偏置电路的那个接口时，几乎没有功率损失。

④S11很小，即1端口（主路的输入端口）的驻波性能很好，这正是我们所需要的，说明射频信号在主路上被反射得很少，也就是传输得很好。

3、对照实验

①单根四分之一波长微带线的仿真

结论：采用单根四分之一波长高阻线微带时，S21很大（即对10G信号的衰减很小)，S11也不够理想。

②四分之一波长微带线+扇形微带线的仿真

上图是在未进行任何优化仿真所得到的结果。通过和上面的比较，我们发现，采用单根四分之一波长高阻线时，S21的损耗很小；而一旦同时加入半径为四分之一波长的扇形微带时，S21的信号马上就变大到21.6dB,S11也迅速降低到0.121dB。

4、总结

实际上单根四分之一波长高阻线相当于一个电感(RFC)；而四分之一波长扇形微带相当于一个接地的电容。这样电感和电容组合就会产生谐振，从而形成一个10G的带阻滤波器，这样S21的损耗就明显增大了，这也是微带偏置为什么必须由四分之一波长高阻线+四分之一波长低阻线构成的原因。在另外一篇论文中，我看到作者把直流偏置通过高低阻抗带通滤波器接入主线，我觉得这种情况适用于窄带的电路；而如果电路的工作带宽较宽，则选用四分之一波长高阻线+四分之一波长扇形微带，因为它的带宽相对较宽（因为10G 和10.1G对应四分之一波长的物理长度都是不一样的，而一般的电路都工作在一个带宽内）。