01、混频器设计

1、基本原理

混频器作为一种三端口非线性器件（两个输入端和一个输出端），它可以将两个不同频率的输入信号变为一系列的输出频谱，其输出频率分别为两个输入频率的和频、差频及其谐波。其中，两个输入端分别称为射频端(RF)和本振端(LO)，而输出端称为中频端(IF)。

通常，混频器通过在时变电路中采用非线性元件来完成频率转换，一般分成两种：无源混频器和有源混频器。无源混频器包括二极管混频器、无源场效应晶体管混频器等，它具有很好的线性度，并且可以工作在很高的频率范围内。但它一个明显的缺点是没有转换增益；有源混频器具有转换增益，可以减小来自中频的噪声影响。

混频器通过两个信号（也包括它们的谐波）相乘进行频率变换，如下式所示：

如果输入的两个信号A、B频率分别为ω1、ω2，则输出的混频信号的频率为ω1-ω2(下变频)或ω1+ω2（上变频），从而实现了变频功能。

在接收路径上的下变频器有两个区分得很清楚的输入端口，称为RF端口和LO端口。RF端口接收将要进行变频的信号，LO 端口接收由本地振荡器产生的周期性波形（通常是方波）信号，IF端口则是变频之后的中频信号输出端口。

2、主要参数

（1）噪声系数（低噪放：信噪比下降的倍数）

 Pno：当系统输入端噪声温度在所有频率上都是标准温度To=290K时，系统传输到输出端的总噪声资用功率。

Pns：仅由有用信号输入所产生的那一部分输出的噪声资用功率。

由于镜像噪声的影响，混频器单边带噪声系数比双边带噪声系数大一倍，即高出3dB。

注：在使用混频器时应注意以下几个方面。

①给出的噪声系数是单边带噪声还是双边带噪声，在不做特别说明时，往往是指单边带噪声系数。

②镜频回收或镜频抑制混频器不宜用于双边带信号接收，否则，将增大3dB噪声。

③测量混频器噪声系数时，通常采用宽频带热噪声源，此时测得的噪声系数是双边带噪声系数。

（2）变频损耗（信号功率下降了几dB）

混频器输入端的射频信号功率与输出端中频功率之比，以dB为单位时，表示式为：

（3）动态范围

动态范围时混频器正常工作时的射频输入功率范围。

①动态范围下限通常指信号与噪声电平相比拟时的功率。

②动态范围的上限受输出中频功率饱和所限。通常是指1dB压缩点的射频输入信号功率Pmax，也有的产品给出的是1dB压缩点输出中频功率。两者的差值是变频损耗。本振功率增加时，1dB压缩点值也随之增加。平衡混频器由两支混频管组成，原则上1dB压缩点功率比单管混频器时大3dB。对于同样结构的混频器，1dB压缩点取决于本振功率大小和二极管特性。一般平衡混频器动态范围的上限为2~10dBm。

（4）双频三阶交调与线性度

 1）三阶交调系数

其值为负分贝数，单位常用dBc，其物理含义是三阶交调功率比有用中频信号功率小的分贝数。三阶交调功率随输入微波信号功率Ps的变化，斜率较大，而中频功率Pif随Ps的变化成正比关系，基本规律就是Ps每减小1dB，Mi就改善2dB。（负的越多）

 2）三阶交调截止点

（5）工作频率

混频器是多频率器件，除了应指明信号工作频带以外，还应该注明本振频率可用范围及中频频率。

（6）隔离度

①信号与本振之间的隔离度

②信号与中频之间的隔离度

③本振与中频之间的隔离度

实际混频器总隔离度一般在15~20dB，较好者可达到30dB。

（7）镜频抑制度

（8）本振功率与工作点

混频器的本振功率是指最佳工作状态时所需的本振功率。

不同混频器工作状态所需本振功率不同。原则上，本振功率越大，则混频器动态范围增大，线性度改善，1dB压缩点上升，三阶交调系数改善。本振功率过大时，混频管电流加大，噪声性能变坏。此外，混频管性能不同时所需本振功率也不一样。截止频率高的混频管(即Q值高)所需功率小，砷化镓混频管比硅混频管需要较大功率激励。

（9）端口驻波比

混频器驻波比指标一般都在2~2.5量级。（VSWR>2=反射系数<1/3）

（10）中频输出阻抗

中频阻抗的匹配好坏会影响变频损耗。

3、原理概述

图示为一个微带平衡混频器，其功率混合电路采用3dB分支线定向耦合器，在各端口匹配的条件下，1、2为隔离臂，从1到3、4端口，以及从2到3、4端口都是功率平分而相位差90°。

 4、设计实例

镜像抑制混频器的主要技术指标如下：

①射频信号频率：4GHz

②本振频率：3.8GHz

③中频频率：200MHz

④噪声系数：12dB

⑤1dB压缩点：-5dBm

（1）3db支节耦合器

目的：设计出3.8GHz正交混合网络

DesignGuide→Passive Circuit→Passive Circuit Control Window...

如果频率有偏移，需要设置Delta=0.9mm。为增加分支长度优化性能，使得频率点落在设置的中心频率。

 根据耦合器原理，端口1到3，半功率，-90°相移；端口1到4，半功率-180°相移。3.8GHz时m1与m2相差90°。

（2）滤波器设计

采用低通滤波器形式设计满足要求的中频滤波器（200MHz）

 （3）混频二极管设计

本例采用一款已知的二极管建立其SPICE模型：在Devices-Diodes元器件库下面选择Diode_Modelt添加到原理图。

5、仿真验证

（1）参数验证

 ①输出频谱分量

 ②端口3的噪声系数

 nf（3），端口3的噪声系数。

 ③双边带噪声系数NFdsb、单边带噪声系数NFssb（NFssb=2*NFdsb）

（2）本振功率对噪声系数和转换增益的影响（lopower设为扫描参量）

当本振功率为2dBm的时候，噪声系数最小，为8.241dB

 变频损耗（增益随本振功率的变动情况）

 （3）1dB功率压缩点的仿真

（4）三阶交调仿真

一般情况下三阶交调截点比1dB功率压缩点高10dB。

从仿真输出结果中可以看出，P3input值满足工程预估经验公式为8.781dBm，比1dB（-3dBm）压缩点高10~15dB左右。

注：改变C4、C5、L3、L4匹配电路会很大程度影响仿真的各个参数，具体设计中可以根据需要进行折中及调整、优化。