nor flash和nand flash的区别_智能硬件的存储器 FLASH闪存

        前几节，我们学习了智能硬件的基础电子元件和硬件结构以及智能硬件的灵魂---固件，今天我们来学习固件存储的地方---FLASH存储器，了解一下它的功能和特性。

        首先回忆一下，在智能硬件中的FLASH主要分为2种类型：Nor Flash和Nand Flash，如下图所示：

        那么这两种类型有什么特性和区别呢？

1、Nor Flash

• 芯片体积一般较小，相当于一颗黄豆大小；

• 通常是8个或16个引脚；

• 带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。它常用做代码存储。

• 容量一般较小，为512KB～64MB。

• 在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

• 以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s。

• 擦写次数是十万次。

  

  典型的引脚示意图如下所示：

  

2、Nand Flash

• 芯片体积一般较大，呈长方形；

• 通常是48个或56个引脚；

• 使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。大部分CPU不可直接寻址，需要驱动程序，常用于存储数据。

• 容量一般较大，为8MB～4GB。

• 以8～32KB的块进行的，执行执行一个写入/擦除操作最多只需要4ms。

• 每个块的最大擦写次数是一百万次。

    典型的引脚示意图如下所示：

3、Nor Flash 和 Nand Flash比较

• NOR的读速度比NAND稍快一些；

• NAND的写入速度比NOR快很多；

• NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快；

• 大多数写入操作需要先进行擦除操作；

• NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少；

• NAND的单个块擦写寿命比NOR的更长；

• 同容量的大小的闪存，Nor Flash比Nand Flash的价格高很多；

• 除了把Flash芯片焊接在电路板上进行读写操作以外，还可以使用编程器离线进行芯片的“编程”(读写芯片)。

  

4、 Flash(闪存) 和 RAM(内存)的区别

        最后提一下闪存和内存的区别，通常人们所说的内存，如手机内存指的是可长期保存数据的存储空间，一般对应的是闪存；而内存通俗的来讲就是运行内存，是程序、软件运行所需的空间，一般掉电后会消失，但运行速度比闪存要快得多。

        下面来看看一些简单的外观和功能上的区别。

• Nand Flash和RAM(内存)的形状是很相似的，判断方式：

  (1)可以通过引脚的位置判断，引脚在长方形的长边上的是RAM(内存)，在短边的是NAND Flash;

  (2)如果看不到引脚，也可以查询表面的型号标识判断。

• RAM(内存)是掉电后丢失数据的，临时存储数据，速度较快

• Flash(闪存)是掉电后不会丢失数据的，拥有长期保存数据的功能，速度一般。

        这一节我们简单的了解了闪存的分类，主要分为Nor Flash和Nand Flash这两种，通过对比我们知道了他们之间的特性的一些区别，今天就介绍到这里了，我们以后不定期为大家带来智能硬件的一些知识、工具、干货等分享，敬请期待哦！