失效分析机理及常用手段&热点分析

失效模式和机理：原文

https://max.book118.com/html/2019/0425/5301140224002031.shtm

>>失效分析常用手段

FIB可用于线路修补：

由于FIB使用离子束加工，这不仅可以产生刻蚀效果，还可以利用高能离子辐照诱导特定区域发生化学气相沉积反应，结合离子束轰击产生的二次电子可以被探测从而观察样品表面形貌图像。FIB强大的功能就来自于这三点“看”、“刻”、“生长”，这非常适用于芯片或Mask的缺陷的修复，比如切断短路，对断路进行沉积等。

热点分析：原文：http://www.enrlb.com/Faq-153.html

>>热点定位分析方法

InGaAs:

1.捕捉缺陷时间短；

2.先进制程可用；

3.能够捕捉轻微的 Metal bridge 及微小电流。

OBIRCH:

利用激光束在器件表面扫描，缺陷区域热量传导不同于其他区域，将引起局部温度变化，引起电阻值改变ΔR。

EMMI :

样品不用Decap处理可直接进行分析−用于看封装有没有缺陷。

>>不同热点分析方法区别