《集成电路与光刻机》王向朝 戴凤钊 2020年8月第一版 一些笔记
光刻分辨率由瑞利公式决定,即:R=k_1 λ/NA
由瑞利公式可看出提高光刻分辨率方法:减小曝光波长、增大投影物镜数值孔径NA,降低工艺因子k_1 。
引入浸液曝光技术:在投影物镜的最后一片透镜与硅片之间填充折射率1.437的超纯水,投影物镜数值孔径达到1.35。
主要的分辨率增强技术包括离轴照明OAI,光学邻近效应修正OPC,相移掩膜PSM,偏振照明,光源掩膜联合优化SMO。
光刻机主要性能指标:分辨率,套刻精度,产率
分辨率:
pitch分辨率 | fpitch分辨率 |
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光刻工艺可以制作的最小周期的一半,即half-pitch(hp) | 光刻工艺可以制作的最小特征图形的尺寸,又称关键尺寸(critical dimension, CD) |
决定了芯片上晶体管之间的距离 | 决定了芯片上每个晶体管的大小 |
影响芯片的成本 | 决定了芯片的运行速度和功耗 |
受限于光刻机投影物镜的数值孔径和曝光光源的波长,由瑞利公式给定。 | 受限于对特征图形CD的控制能力。 |
关键尺寸均匀性(critical dimension uniformity, CDU),CDU指标与CD大小密切相关,一般要求控制到CD的10%左右。对光刻机而言,分辨率主要指pitch分辨率。
套刻精度
一般,套