一些《集成电路与光刻机》笔记

《集成电路与光刻机》王向朝 戴凤钊 2020年8月第一版 一些笔记
光刻分辨率由瑞利公式决定，即:R=k_1 λ/NA
由瑞利公式可看出提高光刻分辨率方法：减小曝光波长、增大投影物镜数值孔径NA，降低工艺因子k_1 。
引入浸液曝光技术：在投影物镜的最后一片透镜与硅片之间填充折射率1.437的超纯水，投影物镜数值孔径达到1.35。
主要的分辨率增强技术包括离轴照明OAI，光学邻近效应修正OPC，相移掩膜PSM，偏振照明，光源掩膜联合优化SMO。

光刻机主要性能指标：分辨率，套刻精度，产率

分辨率：

pitch分辨率	fpitch分辨率
光刻工艺可以制作的最小周期的一半，即half-pitch（hp）	光刻工艺可以制作的最小特征图形的尺寸，又称关键尺寸（critical dimension， CD）
决定了芯片上晶体管之间的距离	决定了芯片上每个晶体管的大小
影响芯片的成本	决定了芯片的运行速度和功耗
受限于光刻机投影物镜的数值孔径和曝光光源的波长，由瑞利公式给定。	受限于对特征图形CD的控制能力。

关键尺寸均匀性（critical dimension uniformity， CDU），CDU指标与CD大小密切相关，一般要求控制到CD的10%左右。对光刻机而言，分辨率主要指pitch分辨率。

套刻精度
一般，套