典型高边驱动电路参数全掌握----罗姆的高边驱动芯片全面解析（BV2HD070EFU-C）

概述

BV2HD070EFU-C是一款适用于汽车应用的2通道高侧开关。它内置了过流保护功能、热关断保护功能、开路检测功能和欠压锁定功能。此外，该芯片还具备异常检测的诊断输出功能。通过外部组件可以任意设置过流限制和限时，以实现对负载的最佳过流保护。

特点

• 双TSD®（热关断）功能：具有结温检测和功率MOSFET快速温升检测的热关断保护。
• 通过AEC-Q100认证：符合汽车电子元件的质量标准，等级为1。
• 内置可调过流限制功能：可以根据需求设置过流检测阈值。
• 内置可调过流屏蔽时间设置功能：可以根据需求设置过流检测屏蔽时间。
• 内置开路检测功能：检测负载开路情况。
• 内置欠压锁定功能（UVLO）：防止电压过低时误动作。
• 内置诊断输出：提供异常检测输出。
• 低导通电阻：典型值为70 mΩ。
• 单芯片电源管理IC：包含控制单元（CMOS）和功率MOSFET。
• 低电压操作：电源电压最低可达4.3 V。

应用

• 电阻性负载、感性负载和容性负载：适用于各种类型的负载。

关键规格

• 电源电压工作范围：6 V至28 V。
• 导通电阻（Tj=25°C）：典型值为70 mΩ。
• 过流限制：最小值为10 A。
• 待机电流（Tj=25°C）：最大值为0.5 μA。
• 有源箝位容忍度（Tj(START)= 25°C）：120 mJ。

封装尺寸

• HSSOP-C16：典型值为4.90 mm x 6.00 mm x 1.70 mm。

通过使用这些功能和规格，BV2HD070EFU-C可以有效地用于汽车电子系统中的高侧开关控制，提供可靠的保护和诊断功能。





UVLO（欠压锁定）检测电压与结温（Junction Temperature）的关系指的是欠压锁定功能的触发电压如何随着芯片内部的结温变化而变化。这种关系通常用一条曲线或图表来表示，以说明在不同的结温条件下，UVLO的检测电压值。

UVLO 检测电压 vs 结温 的意义

1. 欠压锁定功能（UVLO）：
   欠压锁定是一种保护机制，用于防止在电源电压过低时电路误动作或损坏。当电源电压低于某一特定阈值时，UVLO功能会触发并关闭电路，以保护设备。

2. 结温（Junction Temperature）：
   结温是指半导体器件内部的温度，它通常高于环境温度。结温会影响半导体器件的性能和可靠性。

检测电压与结温的关系

UVLO的触发电压并不是固定的，它可能会随着结温的变化而变化。了解这种关系对设计和使用这些器件非常重要，因为结温的变化可能会影响UVLO的性能，从而影响整个电路的可靠性。

例如：

• 高结温：在高结温情况下，材料的特性可能会发生变化，导致UVLO触发电压降低或升高。
• 低结温：在低结温情况下，UVLO触发电压也可能会有所变化。

实际应用中的考虑

在实际应用中，需要考虑以下几点：

1. 工作环境：了解设备在不同温度条件下的工作情况。
2. 温度变化：考虑设备在不同工作负载和环境温度下结温的变化。
3. 可靠性设计：在设计电路时，需要确保在所有可能的结温范围内，UVLO功能能够正常工作，提供可靠的保护。

在这个示例图表中，可以看到随着结温从-40°C升高到125°C，UVLO检测电压可能有所变化。设计人员可以根据这个图表调整电路设计，确保在整个结温范围内的稳定性和可靠性。

了解UVLO检测电压与结温的关系，对于确保高侧开关在不同温度条件下的稳定工作至关重要。这有助于设计出更加可靠和耐用的汽车电子系统。

输入电流与结温（Input Current vs Junction Temperature）的关系描述了输入电流如何随着芯片内部结温的变化而变化。这个关系通常用图表表示，以说明在不同结温条件下，输入电流的变化情况。

输入电流 vs 结温 的意义

1. 输入电流（Input Current）：
   输入电流是指电路在工作时从电源输入端吸取的电流。对于高侧开关，这个电流包括控制电流和负载电流。

2. 结温（Junction Temperature）：
   结温是指半导体器件内部的温度，它通常高于环境温度。结温会影响半导体器件的性能和可靠性。

输入电流与结温的关系

输入电流并不是固定不变的，它可能会随着结温的变化而发生变化。了解这种关系对设计和使用这些器件非常重要，因为结温的变化可能会影响输入电流的大小，从而影响整个电路的性能和可靠性。

例如：

• 高结温：在高结温情况下，半导体材料的导电性可能会发生变化，导致输入电流增加或减少。
• 低结温：在低结温情况下，材料的特性变化也会影响输入电流。

实际应用中的考虑

在实际应用中，需要考虑以下几点：

1. 工作环境：了解设备在不同温度条件下的工作情况。
2. 温度变化：考虑设备在不同工作负载和环境温度下结温的变化。
3. 可靠性设计：在设计电路时，需要确保在所有可能的结温范围内，输入电流能够保持在安全和合理的范围内。

在这个示例图表中，可以看到随着结温从-40°C升高到125°C，输入电流可能有所变化。设计人员可以根据这个图表调整电路设计，确保在整个结温范围内的稳定性和可靠性。

结论

了解输入电流与结温的关系，对于确保高侧开关在不同温度条件下的稳定工作至关重要。这有助于设计出更加可靠和耐用的汽车电子系统。在设计过程中，考虑结温对输入电流的影响，可以避免过热和电流过大导致的损坏，从而提高系统的可靠性和寿命。

在高侧开关中，主动箝位（Active Clamp）功能用于保护MOSFET免受电压瞬态（例如电感负载断开时的电压尖峰）的影响。主动箝位能量（Active Clamp Energy）与输出电流（Output Current）之间的关系通常用图表表示，以说明在不同输出电流条件下，主动箝位能量的变化情况。

主动箝位功能

**主动箝位（Active Clamp）**功能的工作原理如下：

• 当负载电流迅速减小时（例如，关断感性负载时），会产生高电压尖峰。
• 主动箝位电路在MOSFET两端施加一个限制电压，以吸收这些尖峰能量，防止电压超过MOSFET的额定耐压值，从而保护MOSFET不被损坏。

主动箝位能量 vs 输出电流 的意义

1. 主动箝位能量（Active Clamp Energy）：
   主动箝位能量指在一定时间内，主动箝位电路吸收的能量。这通常与电感负载的能量释放有关。

2. 输出电流（Output Current）：
   输出电流是指通过高侧开关的电流。不同的输出电流会导致负载在关断时产生不同的能量。

实际应用中的考虑

在实际应用中，需要考虑以下几点：

1. 负载特性：了解负载的类型（例如电感性负载）以及在不同电流条件下的能量释放情况。
2. 保护设计：确保主动箝位电路能够有效地吸收和处理这些能量，保护MOSFET免受过压损坏。
3. 热管理：随着主动箝位能量的增加，需要考虑散热设计，确保高侧开关在高电流条件下的稳定性和可靠性。

结论

了解主动箝位能量与输出电流的关系对于设计可靠的高侧开关保护电路至关重要。这有助于在负载断开时，防止电压尖峰对MOSFET的损坏，确保系统的稳定性和寿命。设计人员可以根据这种关系优化电路设计，提高系统的可靠性和性能。
我再来解析一下上图
这张图展示了主动箝位能量（Active Clamp Energy）与输出电流（Output Current）之间的关系。图中包括两条曲线，分别对应不同的起始结温（Tj_start）：25°C 和 150°C。以下是详细分析：

曲线解读

1. 横轴（x轴）：输出电流 (I_OUT)

   • 范围：0.1 A 到 10 A（对数刻度）

2. 纵轴（y轴）：主动箝位能量

   • 范围：10 mJ 到 10,000 mJ（对数刻度）

3. 两条曲线表示不同的起始结温

   • 黑色曲线：起始结温 ( Tj= 25°C )
   • 蓝色曲线：起始结温 ( Tj= 150°C )

主要观察

1. 主动箝位能量随输出电流增加而减小

   • 在两个温度下，随着输出电流增加，主动箝位能量整体呈下降趋势。这是因为随着输出电流增加，负载中的能量增加，导致在负载断开时，主动箝位电路需要吸收的能量减少。

2. 起始结温对主动箝位能量的影响

   • 25°C起始结温：在较低的起始结温（25°C）下，主动箝位能量较高。这可能是因为在较低温度下，器件的性能更好，能够吸收更多的能量。
   • 150°C起始结温：在较高的起始结温（150°C）下，主动箝位能量较低。这是因为高温下，半导体器件的性能下降，吸收能量的能力减弱。

实际应用中的考虑

1. 热管理设计

   • 高温对器件性能的影响显著，设计中需要考虑散热问题，确保器件在高温下能够正常工作并提供足够的保护。

2. 电流范围选择

   • 根据具体应用的电流范围，选择适合的主动箝位能量级别，确保系统在各种工作条件下的稳定性和可靠性。

3. 保护电路设计

   • 在设计高侧开关的保护电路时，考虑不同温度和电流条件下的主动箝位能量变化，确保在所有工作条件下提供有效的保护。

结论

这张图表明了主动箝位能量与输出电流以及起始结温之间的关系。在实际应用中，需要综合考虑这些因素，以优化设计，提高系统的可靠性和稳定性。设计人员应关注高温对器件性能的影响，并通过适当的热管理措施来保持系统性能。同时，根据应用的电流范围，调整保护电路的参数，以确保在不同工作条件下提供最佳的保护。



这张表格描述了保护功能的检测和释放条件以及诊断输出信号的状态。以下是详细分析：

表格解读

常规条件（Normal Condition）

• 待机（Standby）

  • IN1, IN2：低
  • ST1, ST2：高

• 运行（Operating）

  • IN1, IN2：高
  • ST1, ST2：低

开路检测（Open Load Detect, OLD）

• 检测条件：V_OUT ≥ 3.0 V (Typ)
  • IN1, IN2：低
  • ST1, ST2：低
• 释放条件：V_OUT ≤ 2.6 V (Typ)
  • IN1, IN2：低
  • ST1, ST2：低

欠压锁定（Low Voltage Output OFF, UVLO）

• 检测条件：V_BB ≤ 4.3 V (Max)
  • IN1, IN2：高
  • ST1, ST2：高
• 释放条件：V_BB ≥ 4.7 V (Max)
  • IN1, IN2：高
  • ST1, ST2：低

热关断（Thermal Shutdown, TSD）

• 检测条件：Tj ≥ 175°C (Typ)
  • IN1, IN2：高
  • ST1, ST2：高
• 释放条件：Tj ≤ 160°C (Typ)
  • IN1, IN2：高
  • ST1, ST2：低

ΔTj 保护

• 检测条件：ΔTj ≥ 120°C (Typ)
  • IN1, IN2：高
  • ST1, ST2：高
• 释放条件：ΔTj ≤ 80°C (Typ)
  • IN1, IN2：高
  • ST1, ST2：低

过流保护（Over Current Protection, OCP）

• 检测条件：I_OUT ≥ I_LIMSET
  • IN1, IN2：高
  • ST1, ST2：高
• 释放条件：I_OUT < I_LIMSET
  • IN1, IN2：高
  • ST1, ST2：低

备注

1. 热关断功能（TSD）：当检测到温度过高时，IC会自动进入保护模式，并在温度下降到安全范围内后恢复正常操作。
2. ΔTj 保护：通过检测PowerMOS的温度急剧上升来保护电路。

总结

这张表格列出了不同保护功能在不同工作条件下的检测和释放条件，并显示了输入信号（IN1, IN2）和状态输出信号（ST1, ST2）的状态。这些保护功能包括开路检测、欠压锁定、热关断、ΔTj保护和过流保护。了解这些条件有助于设计和调试电路，确保电路在各种情况下都能正常工作并提供必要的保护。

这款集成电路具有两种过流保护功能：固定过流限制（ILIMH）用于保护集成电路本身，而可变过流限制（ILIMSET）则用于保护连接的负载。ILIMSET可以通过将外部电阻连接到SET引脚来设置。同时，可以通过将外部电容连接到DLY引脚来设置可变过流限制的延迟时间（tDLY）。

以下是从固定过流设置（ILIMH）切换到可变过流限制（ILIMSET）的时序图：

1. 当负载电流（IOUT1、IOUT2）升高并超过可变过流限制（ILIMSET）时，连接到DLY引脚的外部电容CDLY开始以约5μA（典型值）的速率充电。

2. 当DLY引脚电压VDLY达到约0.8V（典型值）后（经过tDLY时间），CDLY被放电。这表示延迟期间的结束。

3. 当输出电流（IOUT1、IOUT2）再次低于可变过流限制值（ILIMSET）时，诊断输出引脚（ST1、ST2）变为低电平。这表明异常的过流条件已经解除。

ST1和ST2高电平表示存在过流异常，低电平表示正常运行。这些保护机制确保了集成电路和连接的负载在过流事件发生时得到有效保护，提高了系统的可靠性和安全性。
DLY引脚的作用是设置可变过流保护的延迟时间（tDLY）。让我更详细地解释一下：

1. 设置延迟时间（tDLY）：通过连接外部电容到DLY引脚，可以控制在负载电流超过可变过流限制（ILIMSET）后，系统响应的延迟时间。当负载电流超过ILIMSET时，开始计时延迟时间tDLY。

2. 电容充电：DLY引脚上的电容（CDLY）会开始以典型值约5μA的充电速率充电。这个过程会持续一段时间，直到达到预设的电压水平（典型值约0.8V），这表示延迟时间tDLY已经过去。

3. 延迟结束：一旦DLY引脚电压达到预设水平（0.8V），CDLY会被放电，表示延迟时间已经结束。

4. 保护动作：在延迟时间tDLY结束后，系统会根据当前负载电流情况，决定是否启动过流保护措施。如果负载电流仍高于ILIMSET，则ST1和ST2保持高电平，表示异常状态。如果负载电流降低到ILIMSET以下，则ST1和ST2切换到低电平，表示正常操作恢复。

因此，DLY引脚的作用是通过设置延迟时间来确保在负载电流瞬态超过设定值时，系统能够有一定的响应延迟，以适应临时的负载变化，同时防止误报触发过流保护。

这款集成电路能独立检测输出OUT1和OUT2的过流情况，并分别限制IOUT1和IOUT2的电流。ILIMSET（可变过流限制值）和tDLY（可变过流屏蔽时间）通过连接到SET引脚和DLY引脚的外部元件设置，对OUT1和OUT2都是相同的。

以下是当两个输出同时检测到过流时的时序图解释：

1. 过流检测开始：当输出电流（IOUT1或IOUT2）超过ILIMSET设定的阈值时，开始过流检测。

2. CDLY充电：DLY引脚上的电容CDLY开始以典型值约5μA的速率充电。这个过程会持续一段时间，直到VDLY电压达到预设水平（典型值约0.8V），表示延迟时间tDLY已过。

3. 限流动作：

   • 对于IOUT1：在VDLY达到0.8V后，CDLY被放电，此时IOUT1被限制在ILIMSET设定的可变过流限制值，并且ST1保持高电平，表示存在异常情况。
   • 对于IOUT2：随后，如果输出通道2的负载电流（IOUT2）也超过ILIMSET设定的阈值，CDLY再次以5μA的典型速率充电。
   • VDLY再次达到0.8V后，CDLY再次被放电，此时IOUT2被限制在ILIMSET设定的可变过流限制值，并且ST2保持高电平，表示通道2存在异常情况。

通过这种方式，该集成电路能够针对每个输出通道独立地响应过流情况，并在达到设定的过流限制值后进行限流操作，保护相关的输出和负载。