独石电容、瓷片电容、陶瓷电容有什么区别啊?

独石电容比较稳定,问温漂系数小,电容值可以做到1uF,寿命长,等效直流电阻小,价格稍贵。
瓷片电容的高频特性好,但电容值最大只能做到0.1uF。
瓷片电容也属于陶瓷电容的一种,陶瓷电容是总称。
瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
优点:稳定,绝缘性好,耐高压
缺点:容量比较小
独石电容是多层陶瓷电容器的别称,英文名称monolithic ceramic capacitor或multi-layer ceramic capacitor, 简称MLCC,根据所使用的材料,可分为三类。
一类
为温度补偿类NPO电介质
这种电容器电气性能最稳定,基本上不随温度、电压、时间的改变,属超稳定型、低损耗电容材料类型,适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。
二类
为高介电常数类X7R电介质
由于X7R是一种强电介质,因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定,随温度、电压时间的改变,其特有的性能变化并不显著,属稳定电容材料类型,使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。
三类
为半导体类Y5V电介质
这种电容器具有较高的介电常数,常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R差,容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感,主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及旁路电路中。
独石电容比一般瓷介电容器大(10pF~10μF),且电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定、耐高温、绝缘性好、成本低等优点,因而得到广泛的应用。独石电容器不仅可替代云母电容器和纸介电容器,还取代了某些钽电容器,广泛应用在小型和超小型电子设备(如液晶手表和微型仪器)中。
特点
温度特性好,频率特性好。一般电容随着频率的上升,电容量呈现下降的规律,独石电容下降比较少,容量比较稳定。
独石电容除有电容器 “隔直通交”的通性特点外,其还有体积小,比容大,寿命长,可靠性高,适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展,作为电子行业的基础元件,独石电容也以惊人的速度向前发展,每年以10[%]~15[%]的速度递增。世界独石电容的需求量在 2000亿支以上,70[%]出自日本,其次是欧美和东南亚(含中国)。随着片容产品可靠性和集成度的提高,其使用的范围越来越广,广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。
陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。

### 关于传感器温度漂移的原因 传感器的温度漂移是指由于环境温度变化而导致传感器输出发生变化的现象。这种现象的根本原因是材料特性的热依赖性制造工艺中的偏差[^1]。具体来说,当温度改变时,传感器内部元件(如电阻、电容等)会发生物理特性上的微小变动,从而影响其测量精度。 --- ### 解决传感器温度漂移的方法 #### 1. **硬件补偿法** 通过在电路设计阶段加入特定的补偿网络来抵消温度引起的误差。这种方法通常涉及使用具有负温度系数的组件与正温度系数的组件相结合,形成一个平衡回路,使得整体系统的响应保持稳定。 #### 2. **软件校准技术** 利用数学模型对采集到的数据进行处理以消除温度效应的影响。例如,在已知某些类型的传感器随温度呈线性关系的情况下,可以建立一次函数拟合曲线;对于更复杂的非线性情况,则可能需要用到多项式回归或其他高级建模手段。 以下是基于 STM32 的一种实现方式: ```c // 定义变量存储温度校正值原始读数 float temp_calibrated; uint16_t adc_raw; void calculate_temperature(uint16_t raw_value){ float Vref = 3.0; // 参考电压 (单位:伏特) int Temp_Slope = 430; // 斜率参数, 单位:mV/°C int Offset_Temp = -140; // 偏置值 // 将 ADC 数字量转换成实际电压再计算对应温度 float voltage = ((float)(raw_value * Vref)) / 4096.0f; temp_calibrated = (voltage - Offset_Temp) / Temp_Slope + 30.0f; } ``` 上述代码片段展示了如何依据 STM32L1x 芯片内置温度传感器的工作原理来进行初步校准操作[^2]。 #### 3. **双点或多点校准策略** 此方法要求制造商或者使用者分别记录下至少两个不同标准条件下测得的结果作为参考基准点,并据此调整后续所有未知条件下的检测数值。这样做的好处是可以有效减少长期运行过程中可能出现的各种不确定因素干扰。 --- ### 总结说明 综上所述,针对传感器存在的温度漂移问题可以从多个角度出发寻找解决方案。无论是采取额外增加专用器件构成闭环控制系统还是单纯依靠程序逻辑完成相应功能扩展均各有优劣之处需视具体情况而定。 ---
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