【电源设计】10功率MOSFET在开关电源中的应用

0.前言

本章主要介绍MOSFET相关知识以及其在电源电路中的应用选型。
本文同时作为《【元器件】7.MOSFET》章节。

1.MOSFET概述

• MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
• 是一种广泛应用在模拟电路与数字电路的场效应晶体管。通常分为PMOS、NMOS.
  
  

多数具有以下特点:

• 多用N沟道（增强型)
• 双扩散工艺
• 单极性器件
• 多元胞并联
• 很薄的SiO2层

MOSFET主要特点:

• 单极性器件，多子导电;
• 开关速度快;
• Rdson具有正温度系数，容易并联
• 电压控制型器件，驱动容易，驱动损耗小;
• 沟道双向导电;
• 无电流集中效应，安全工作范围宽

• 应用场合
  

2.MOSFET常用种类及封装

2.1按MOSFET沟道分类

• 按场效应管原始沟道分:
  N沟道
  P沟道
  
• 结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分增强型和耗尽型
• N沟道：
  增强型(无原始沟道)
  L耗尽型(有原始沟道)
• P沟道：
  增强型（无原始沟道)
  L耗尽型(有原始沟道)
• 业界应用最为广泛的是增强型的N沟道，其次是增强型的P沟道;结型管和耗尽型几乎不用。

2.2按MOSFET栅结构分类

• 平面栅优点:单元的一致性好,跨导特性比较好,雪崩能量比较高；

• 沟槽栅优点:单元面积较小，电流密度较大,通态损耗降低约30%，击穿电压高。

2.3按MOSFETnep结构分类

2.4MOSFET常用封装

以上大多用在大功率场合，其封装一个或多个MOSFET，结构如下：

• 以上大多用在低压大电流场合。
  
• 以上插装封装一般应用于高电压场合。

3.MOSFET器件手册关键参数解读

4.MOSFET器件选型应用

• Q1：用作PFC电路，一般母线电压400V，故选择600V或650V耐压，再根据功率限制合适的NMOS，另外根据栅极PFC的导通频率和功率大小，也要对栅极电荷Qg和导通电阻Rdson进行折中选择。
• Q2、Q3：用作LLC电路，同样母线电压400V，故选择600V或650V耐压，其他要点较多，如下：

• 解决方案：
• 选择具有较小输出电容Coss的MOSFET;
• 选择合适的死区时间;
• 启动时增加开关频率
• 选择具有快恢复体二极管的MOSFET;
• 采用分裂电容和钳位二极管
  
• 其他注意事项：
• 降额设计使用
• 驱动设计
• 并联使用
• 温度条件对电气参数的影响
• 生产加工过程中的要点（ESD防护与机械应力）

5.MOSFET失效分析

主要目的是解决器件失效问题，找到失效原因;弄清失效机理，从两个纬度展开寻找失效原因:

• A、器件周围的应用问题
  1）设计因素：过电应力;散热不足;容差偏小
  2）加工、测试、装配因素(ESD、机械损伤、过压击穿等)
• B、器件自身的来料缺陷
  3）来料因素（批次问题、个别不良)

失效分析方法:

• 信息收集
• 外观检查
• 电性能测试
• X-RAY透视
• 芯片解剖分析
• 结合失效工况分析
• 应用中电应力测试Vgs、Vds、ld、Tc
• 来料测试
• 加工跟踪

6.新器件技术发展与应用

参考链接: 抛开书本重新认识MOS管