mos 多路模拟电子开关_功率MOSFET管Rds负温度系数对负载开关设计影响

本文论述了功率MOSFET管导通电阻的正温度系数和负温度系数的双重特性以及相对应的VGS的转折电压，功率MOSFET管在开通和关断时要跨越这两个区域的工作过程。说明了负载开关电路通过延长米勒平台的时间来限制输入浪涌电流的工作特点，分析了由于米勒平台工作于负温度系数区域，产生的开关损耗导致局部热不平衡从而形成局部热点的原因，并给出了局部热点损坏的显微图片。通过相应的实验表明：减小输出电容，提高功率MOS管的散热能力(更大的封装)，选用低阈值电压，可以提高系统的可靠性，最后，文中给出了详细的相关的实验结果和波形。

标准的教材和资料都论述到，功率MOSFET管的导通电阻具有正的温度系数，能够自动均流，因此可以并联工作，事实上，从MOSFET的数据表的传输特性，可以看到，25℃和175℃的VGS电压和ID电流值有一个交点，此交点的VGS为转折电压，在VGS转折电压以下的部分， RDS为负温度系数，而在VGS转折电压以上的部分，RDS为正温度系数，这样的特性要求在设计过程中，要特别考虑VGS在转折电压以下工作区域。

在LCDTV及笔记本电脑的主板上，不同电压的多路的电源在做时序的切换；此外，这些电源通常后面带有较大的电容，在限制电容在充电的过程中产生的浪涌电流，以保护后面所带的负载芯片的安全。因此，在这些不同电压的多路的电源主回路中通常插入由功率MOSFET管分立元件组成的负载开关电路。注意到，在这个电路中，功率MOSFET管有很长的一段时间工作于VGS转折电压以下的RDS为负温度系数的区域，因此要优化相关外围电路元件参数的选择。

1、分立元件组成的负载开关电路及工作原理

图1(a)中，当Q2导通时，VIN通过C1、R2充电，然后VGS的电压即C1的电压降低，当降低到功率MOSFET管的阈值电压时，MOSFET开通，ID电流从0增加，VGS增加到米勒平台电压时，保持不变，此时，ID电流也保持不变，一段时间后，米勒电容的电荷放电完成，然后反向充电，VGS增加，此时功率MOSFET管基本完全导通，然后VDS缓慢的随VGS增加降到最小值。Q2关断时，C1通过R1、D1放电，过程和上述的充电基本相同。

图1(b)中，开通过程中，充电回路为C1、R2//R1，放电回路为C1、R1。图1(a )的充放电的电阻是独立的，因此可以比较方便的选择相关的值，图1(b)中，充电回路的电阻为R2和R1并联值，因此参数的计算在复杂一些&#x