电源基本术语

1. 效率

\eta =\frac{Pin}{Po}

Vi \ast Ii\ast \eta =Vo\ast Io

在输入电压Vi及Vo,Io保持不变时,效率η越大,输入电流越小,功耗越低。

开关电源的效率一般在65%~95%。线性调整器的效率低很多(LDO)。

2. 线性调整器

也称为串联调整器,通过在输入与输出之前串联晶体管来调整直流输出,其晶体管的工作在可变电阻区(线性区,功耗大)特性类似与可变电阻。

Vin与Vo之间的压差,称为线性调整器的压差。可以看出其净压差始终为正,因此线性调整器本身是降压型,这是它的最明显局限性。

一般应用要求输入电压即使降到很低程度,输出也要保持良好的调节性能。

另一个局限性就是效率低。

在稳定的工况下,Vo,Io,晶体管一直串联在回路中,其压差等于Vo-Vin,电流等于负载电流Io。在某些情况下,晶体管的损耗与有效输出功率Po相比所占比例很大,即效率低。

线性调整器的优点是无噪声问题。

3. 利用开关器件提高效率

开关调整器为什么比线性调整器效率高?

因为线性调整器晶体管工作在线性放大区,开关调整管工作在开关模式下,功耗小。

理想状态下,开关管的两种状态闭合导通时V=0,关断时 I=0,这两种状态下 V*I 都为0,开关损耗为零。

实际情况,开关管在闭合导通时有很小的管压降,关断时也有很小的漏电流,而且在开关状态转换之间需要一定的时间,在这段时间间隔内, V*I 不等于0,即会产生开关损耗。

半导体器件作为开关时没有机械开关固有的机械“惯性”,所以能够在导通和关断两种状态之间快速切换。

4. 半导体开关器件的基本类型

早期大部分电源使用BJT(双极型晶体管)速度慢,价格低。也因为速度慢,产生的电磁干扰、噪声、纹波要比MOSFET小得多。

BJT流控型器件,需要持续注入来保持导通状态,导通压降在大电流时基本不变。BJT通常更适合大电流装置,因为即使开关电流很大,其导通压降也是基本不变,其开关损耗显著降低,而且开关频率越低,效果越明显。

MOSFET压控型器件,开关频率快,开关状态转换过程中需要一定得栅极电流,为加快转换速度,需要加大栅极电流。MOSFET的正向压降与流过得电流几乎成正比,因此,重载时损耗很大。但MOSFET得开关速度更快,通常可以弥补这个缺点,而且开关频率越高,优势越明显。

IGBT(绝缘栅型双极晶体管),为了复合BJT与MOSFET的优点,发明的一种复合器件,它的驱动特性与MOSFET(压控型)类似,但正向压降及开关速度与BJT类似。因此,IGBT主要适合低频大电流应用。

5. 半导体开关器件并非理想器件

半导体开关器件在关断时,仍有微小但可测量的漏电流流过,称为泄露损耗,一般不重要可以忽略。

而完全导通时,仍有很小的正向压降,会产生明显的导通损耗

在两种开关状态相互转换时存在短暂的过渡时间,此时开关管内的电压电流几乎同时变化,此时V和 I 都不为0,这将产生额外的损耗,称为交叉损耗(开关损耗)。

提高开关电源效率,就要研究如何降低这些损耗。电源设计大多是折衷方案。比如为了让导通损耗降至最低,可能选用正向压降极低的开关管,但其转换速度一般很慢,会产生较大的开关损耗。

6. 利用电抗元件提高效率

开关调整器效率高的原因之一是利用了开关管,另一个根本原因就是有效利用了电容和电感。

开关功率变换逻辑:

(1)需要开关管来建立输出电压控制,实现电压调整。 开关管的损耗等于其两端电压与流过电流的乘积。通过不断在导通和关断两种状态之间转换,就能降低损耗(降低导通时间)。与此同时,通过控制导通时间和关断时间之比,就能根据平均能量流理论来调整输出。

(2)每次开关动作都能有效断开输入或输出。但是,负载始终需要连续的能量流。因此,需要在变换器的某些位置引入储能元件。特别是在输入输出断开时,需要电容来保持稳定的负载电压。

(3)一旦引入电容,就需要限制其中流过的浪涌电流。所有直接接入直流电源的电容都会遭遇不可控的浪涌电流。它不仅导致噪声和电磁干扰,而且会降低效率。简单的利用电阻可以抑制浪涌电流,但电阻会消耗功率,如果使用电阻来抑制浪涌电流,开关管上减少的损耗可能最终会被电阻上增加的功耗抵消掉。

(4)为了最大限度的提高效率,变换过程中只使用电抗元件。从原理上讲,电抗元件不仅能够储能,而且不消耗任何能量。所以电感和电容成为最终的选择,而且电感的无损限流(限制电流上升率)能力正好能抑制电容的浪涌电流。一旦电感储能,就不能简单的释放,需要谨慎处理。

7. 寄生参数的影响

传统的LC型开关调整管的电感和电容都会发热。电抗元件的温升总是源自其与生俱来的小阻值寄生电阻产生的损耗。

电感具有一定的非零直流电阻(DCR),其主要源于绕组铜导线。

电容具有阻值很小的等效串联电阻(ESR)。

半导体开关器件也有寄生的并联电阻,它来源于导致泄露损耗的漏电流通路模型。器件的正向压降也可看作导致导通损耗的串联寄生电阻所产生。

寄生元件也并非全无用处,它们有时也扮演着非常有益的角色,有助于增强电路稳定性。

例如 DCDC变换器的输出短路时,电路的瞬时过载电流会因某些寄生参数而减小很多。

电压型开关调整管实际上依赖输出电容的等效串联电阻来保证环路稳定性,即使在正常工况下也是如此。环路稳定性是指电源在遭受电网或负载突变时快速调整输出而不产生过度振荡和振铃的能力。

某一寄生电感在开关导通时可能发挥有益的作用,如限制开关电流尖峰。但在开关管关断时(因释放其储存的磁能)也会产生很高的电压尖峰,反而变得有害。

相反,开关管的并联寄生电容在开关管关断时是有益的,寄生电容吸收电压尖峰的能量,有助于限制开关管两端的电压尖峰,而且寄生电容减缓开关管的电压上升率,从而减少V-I交叠,有助于降低开关损耗。但在开关管导通时是无益的,因为此时它向开关管释放其储存的静电能,产生开关电流尖峰,该电流尖峰不能从外部直接观察到,仅能从开关损耗和温度高于预期值的现象中表现出来。

8. 高频开关时的问题

一般来说,开关频率越高损耗越大,效率越低。

开关频率越高,开关电源的电磁噪声越严重。

选择较高开关频率的首要原因是让开关频率超出人类的听觉范围。

另一个原因是开关电源中的大型元器件电感的尺寸会随开关频率的提高几乎成比例的减小。

开关频率的提高也同时减小了传导性电磁干扰滤波元件、输入输出滤波元件的尺寸,包括电容的尺寸。

进一步提高开关频率的唯一障碍就是开关损耗。

9. 可靠性、使用寿命和热管理

λ 是电源失效率

MTBF 平均无故障时间,λ的倒数

经验法则:温度每升高10℃,失效率加倍。

电源设计需要考虑铝电解电容的使用寿命,其内部电解液会随时间推移持续挥发,导致老化失效,温度每升高10℃,使用寿命减半。

延长使用寿命并提高可靠性的方法是降低电源中所有元器件的温度和电源壳体内环境温度。

10. 应力降额

应力降额是设计人员用来降低元器件内部应力及其失效率的一种将用技术。

半导体器件典型电压应力降额系数是80%,电流降额系数是70%~80%。

参考文献:《精通开关电源设计(第二版)》

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