本文介绍了作者在项目中首次接触ChargeIC时，对自举电容的理解。自举电容在BUCK电路中的作用是为高边MOS管提供高于VBUS的电压，确保其正常导通。通过详细解释自举电容的工作原理和其在DC-DC转换器中的角色，阐述了电容如何在下端MOS管导通和断开时维持电压差，以及如何选择合适的电容值。自举电容在电路设计中的重要性得以凸显。
最近小白在做项目时，用到了一颗Charge IC。说起Charge IC,由于刚入职场一年多些。做的项目电路设计较为简单，客户对充电的需求也很一般。所以工作一年了，才算真正接触到Charge IC这个物种。
通过项目的学习，Charge IC其实也用到了BUCK电路的相关知识，所以对于芯片的外围设计也并不会感到很陌生。或许对于以往项目的BUCK芯片外围设计较为简单的原因，一直没有关注到的地方就是自举电容，芯片的外围引脚BTST与SW间接的一颗电容，其就属于自举电容。
在以往的DC-DC芯片中，小白这苍白的阅历，是没有见过这种设计的。所以，为了弄清楚每个自己所不熟悉的外围设计，还是查阅资料了一番，对此有了简单的了解。
自举电容和其他普通的电容相比较，没有太大的区别，主要还是用到了，电容两端的电压差不能突变的原理。当提高电容负端的电压时，正端的电压也会随之被抬高，压差始终保持不变。
就拿图中说明。
Q2 HSFET(High Side Mosfet)即高边MOS管 Q3 LSFET（Low Side Mosfet）即低边MOS管。
正所谓，靠山吃山，靠水吃水。对于Q3 MOS管而言，其S极刚好靠GND。因此也就非常容易控制其导通与断开。只需让栅极电压大于MOS管的Vgs（th）即可。低边的导通与断开是好解决，然而可苦了高边的。爹不疼，娘不爱的。其S极接SW，栅极接BTST。要想让Q2导通，必须满足VBTST>VSW+Vgs(th)。 VSW可近似看作为VBUS电压。对于整个芯片来说，供电端最大的应该没有比VBUS还大的，那么在这种情况下，怎么才能获得大于VBUS的电压以满
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