静态电流与关断电流

在手机IC规格书指标中,我们往往会看到这两种电流值:I(sd)关断电流和I(q)静态电流。

关于这两个电流,在规格书中都明确表明了测试条件。条件虽简单,但是在真正的测试中,初学者可能会遇到一些疑惑,下面小白就来讲讲这两种电流的含义。

I(sd)关断电流

关断电流,顾名思义是芯片发生在关断状态下,供电端仍旧从电池抽取的电流。此时使能状态为低(0V),电池电压为3.45V,芯片输入端测得的电流值即为关断电流。此时的电流是通过元件渗漏的微小电流。

I(q)静态电流

与关断电流所不同,芯片使能但没有进入开关状态或者空载状态的情况。静态电流有时候被称为待机电流,睡眠电流。

如果你在demon板上测试过DCDC的静态电流的话,按照规格书的给与供电以及使能,会发现I(q)值存在间歇性的抬高,这主要是IC在空载状态下会存在很少的switch动作,每发生一次switch,电流都会被拉大一次。为确保得到稳定的测试值,可选择在输出端外灌一个比输出电压本身大0.1V的电压。此时仔细观察,即可发现输入电流处于稳定状态。

### 三极管关断电流特性的理解 三极管作为一种半导体器件,在开关应用中具有重要的作用。其关断过程涉及动态特性,尤其是在快速切换场景下可能出现的反向恢复现象[^1]。当三极管从导通状态转变为截止状态时,集电极电流并不会立即降至零,而是经历一段短暂的时间延迟。这种时间延迟主要由基区存储电荷决定。 #### 存储电荷效应 在三极管导通期间,基区内会积累一定量的少数载流子(电子或空穴)。这些载流子的存在使得即使基极驱动信号被移除后,集电极电流仍会在短时间内维持不为零的状态。这一阶段被称为“存储时间”,随后进入“下降时间”。在此过程中,电流逐渐减小至接近于零[^3]。 为了减少因存储电荷引起的延时问题,可以采取以下措施: - **优化偏置条件**:通过调整静态工作点来缩短存储时间和下降时间。 - **增加箝位二极管**:在某些情况下,可以在基射之间加入一个肖特基二极管以加速释放多余电荷。 ```circuitikz \begin{circuitikz}[scale=0.8] \draw (0,0) node[nmos](nmos){}; \draw (-2,-2) to[short,o-*](-2,0); \draw (-2,0)--(nmos.G); \draw (nmos.D)--++(0,2)-|(2,2)|-(nmos.S); % 添加箝位二极管 \draw ($(nmos.B)!0.5!(nmos.E)$) -- ++(0,-1) coordinate(diode_start); \draw (diode_start) to[D,*-*,invert]($(diode_start)+(2,0)$); \end{circuitikz} ``` 上述电路展示了如何利用箝位二极管改善三极管的关断性能[^4]。 --- ### 解决三极管关断相关的实际电路问题 对于具体应用场景下的三极管关断设计,需考虑以下几个方面: 1. **保护机制的设计** 当电压超出设定阈值时,可以通过触发PNP型晶体管实现继电器控制从而切断负载路径[^2]。此方案适用于过压报警功能的需求。 2. **效率提升策略** 鉴于传统线性稳压器存在较大功耗损失的问题,特别是在较高输入电压条件下,建议采用开关模式电源(Switching Mode Power Supply, SMPS),这样不仅能够提高转换效率还能有效管理输出电流波动情况。 3. **高端 vs 低端检流技术的选择** 如果项目允许更复杂的硬件结构并希望获得更高的安全性保障,则推荐选用高端电流检测方法;反之如果追求成本效益且能接受潜在风险的话可以选择相对简单的低端解决方案。 ---
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