浅谈低压硅碳负极锂离子电池供电方案

近几年随着智能手机的发展，越来越多的厂商逐步开始卷电池，卷续航，纷纷拿出自家的硅碳负电池做宣传。例如一加的冰川电池，荣耀的青海湖电池，小米的金山江电池。

关于硅碳负电池供电方案，并不是新的方案，在十多年前就有类似方案。低压硅碳负极锂离子电池供电范围大概在3.0V-4.5V。然而众所周知，手机的关机电压往往在3.4V，而电池容量通常是按照满电电压放电至3.0V甚至更低来定义的，这就使得关机电压3.4V以下的电池容量会被白白浪费，为了充分更好的将电池容量利用起来，传统的手机供电方案已经不太合适。

目前低压电池给外设供电有以下两个设计方案

1. Buck-boost方案：
   

如上图所示，为手机中运用最多的RT6160A的内部框图，芯片通过四个MOS管组合成BUCK-BOOST模式。I2C和VSEL状态可配置输出电压值。当输入大于输出，进入Buck模式。输入小于输出，进入Boost模式。当输入接近输出，进入Buck-Boost模式。

在输出3.3V情况下
3.0V-4.5V的输入，最大输出电流为3A。
2.5V-3.0V的输入，最大输出电流为2.5A。
关于有无buck-boost方案,MTK网站也给出了对比。

有buck-boost时，可将关机电压调至3.2V甚至3.0V，而无此方案，软件关机电压在3.4V。电路设计方面，buck-boost往往用于系统电源PMIC的HV LDO的输入源以及Camera多路LDO AVDD OISVDD AFVDD的前级输入源。

芯片效率方面，RT6160A的表现较为优秀，在输出3.3V的情况下，整个电流区间也是超过或者接近90%，对于日益追求高续航的手机来说，无疑是一个非常不错的表现。

2. Bypass boost

Bypass boost可将化学电池的性能得到充分发挥，能在电池电压低于系统电源IC所需的电压时将其剩余电能最大化的挖掘出来。其内部含有boost转换器，即使锂离子电池电压低于系统设定的最小值也能为系统提供满足需要的最低电压。当输入低于设定的输出电压时，IC进入Boost模式。当输入高于设定的输出电压时，IC进入旁路模式。

设计方面，这类IC往往选择给射频模块供电。

此为RT4803A的内部框架图。Q3管的通流能力则代表旁路模式下，最大的可流经的电流，此时Q3打开，Q1与Q2关闭。当进入Boost模式，Q3关闭，Q1与Q2打开，最大可输出电流为2A。与此同时，效率也是非常的优秀。

在整个电流区间，效率都是非常的高。

总之，在目前主流的旗舰机都基本将这两个方案融合在一起，为的也是争取更持久的续航和更优的性能表现。