电子电路：高频晶体管电路

1. 高频信号的混合π模型

之前，我们建立的等效电路只能在低频情况下使用，现在我们需要建立一个适合高频的模型

对于集成电路中的晶体管，我们有许多元件可以添加，本文只会讨论其中一部分，但是记住，很多其它元件也是非常重要的，尤其是在高频环境下

绝大多数制造商都会提供他们的晶体管的计算机模型，这样我们在使用PSpice之类的软件时就可以直接调用他们

1.1 反馈电阻

由于晶体管内部的泄漏电流，在晶体管的输入和输出之间会有一个反馈电阻$r_{\mu }$

这个电阻通常非常大，在兆欧级别，一般情况下可以忽略

图中箭头指向的就是晶体管内部的漏电流

1.2 基极-射电极电容

这一元件$C_{\pi }$代表的是正向偏置的基极-发射极结，它通常由两部分组成，分别是

1. 扩散电容(diffusion capacitance) $C_{diff}$
2. 空间电荷区电容(space charge region capacitance) $C_{dep}$

图像如下所示：

每当基极-射电极结电压发生变化时，通过基极区域的移动电荷密度就会改变，因此扩散电容通常占主导地位，$C_{\pi }$则和基极电荷，基极-射电极电压$\Delta Q_B/\Delta V_{BE}$成比例关系

注意，由于$C_{\pi }$主要通过电阻$r_b$进行充放电，所以$r_b$在高频下变得非常重要，为了高频环境设计的晶体管通常会为了将$r_b$削减到最小而采取特殊处理

图中蓝色圆圈内是晶体管的基极电荷$Q_B$，当他们穿过基极区域时会产生电流$I_c$，假设平均穿越时间为${\tau }_B$，电流$I_c=Q_B/{\tau }_B$

根据$C_{diff}=\frac{d{Q}_B}{d{V}_{BE}}$以及$I_c=\frac{Q_B}{{\tau }_B}$，可以得出：
$$C_{diff}=\frac{d{I}_c}{d{V}_{BE}}{\tau }_B=g_m{\tau }_B$$
记住室温下$g_m=40I_c$，所以集电极电流的增大$I_c$会明显提升扩散电容，这对于晶体管在高频环境下的表现有很大的影响

1.3 基极-集电极电容

这一元件$C_{\mu }$代表反向偏置的基极-集电极结的电容

这个电容非常小，但我们并不能总是忽视它，这是因为“密勒效应”的存在，我们等下会作出更详细的解释

1.4 小结

这里是一张列出等效元件及他们物理定义的表，里面有些只在高频环境下才需要考虑

2. 密勒效应与密勒定理

2.1 密勒效应

密勒效应是一个在高电压增益放大器中非常重要的概念

下图是一个逆变放大器，它的两端接入了一个阻抗Z

通常情况下，Z的电流应该等于表面上分配给它的电压除以它的阻抗，也就是$i_Z=v_i/Z$
然而实际上，通过它的电流为$i_Z=\frac{v_i-(-A_V{v}_i)}{Z}=\frac{v_i(1+A_V)}{Z}$
如果$-A_V$很大，那么通过Z的电流就会比它本应有的电流要大得多，这也会放大Z的阻抗效应，使得Z的阻值看起来比实际上要小得多

2.2 密勒定理

刚才得密勒效应说明，如果一个阻抗横跨放大器，我们对它得分析就很可能不准确，那么有没有办法把它转化成不横跨放大器的阻抗呢？

密勒定理告诉我们，可以将刚才的阻抗Z转换为两个等效阻抗Z₁, Z₂，他们分别处于放大器的输入和输出位置，如图所示：

这样一来，电路的输出部分和输入部分就被隔离了，对我们作电路分析有很大帮助

知道这个定理之后，我们需要确定Z的两个等效阻抗的值，计算的思路是让通过等效阻抗的电流与通过原本阻抗的相同，具体步骤这里不详写，以Z₁作为输入端阻抗，Z₂作为输出端阻抗，结果如下：
$$Z_1=Z(\frac{1}{1-A_V})$$
$$Z_2=-Z(\frac{A_V}{1-A_V})$$
注意，对于非逆变单位增益放大器（即理想缓冲区），$A_V=+1$，两个阻抗都为无穷大

在之后的应用中，我们将通过密勒定理简化高频晶体管等效电路

2.3 双极型晶体管的高频模型

之前我们建立了高频环境下的晶体管等效电路，其中有两个元件$C_{\mu },r_{\mu }$连接着输入和输出，$r_{\mu }$通常可以忽略，但密勒效应让我们无法忽视$C_{\mu }$，为此，我们在进一步建立等效电路时需要应用密勒定理来处理$C_{\mu }$，将其分解为两个电阻，结果如下：

可以看出，如果是一个高增益的逆变放大器，$C_1$的值将比$C_{\mu }$大得多，而$C_2$则与$C_{\mu }$的值基本相同，同时，由于增益$A_V$对两个电容的影响很大，晶体管将会很大程度上依赖所在电路的频率特性

3. 特征频率

因为电路中有很多电容，电感这类特性随频率变化的元件，信号频率将直接影响电路输入与输出之间的关系，频率响应指的就是正弦信号下不同频率与输出的对应关系。为了能够更好的表达这种关系，我们引入了截止频率$f_{\beta }$和特征频率$f_T$，截止频率是电流增益$\beta$开始大幅下降时的频率，特征频率是$\beta$降为1时的频率

3.1 特征频率的测量

因为$C_1,C_2$的值与增益有关，所以对电路高频性能的测量必须在确定的电压增益下进行，方便起见，我们将采用电压增益为零的情况，并测出此时的电流增益。使电压增益为零很简单，只要用一个大电容横跨射电极与集电极来将其短路，使得输出信号接地就可以了

测量时用的等效电路如图所示：

可以看到，因为输出被短路，所有集电极的元件都被消灭了，只有电流源苟全性命
同时，由于$A_V=0$，根据之前的公式，输入端的$C_1$将与$C_{\mu }$相等

接着，我们可以将其简化为一个RC电路，如下图所示：

已知电流增益$A_i$，我们可以计算频率$f_{\beta }$，计算过程如下：


最后得出截止频率$f_{\beta }为$

因为$f_{\beta }$依赖的是电路的电流增益，所以它并不会被$R_s,r_b$的值影响

3.2 测量电流增益的频率响应

幅频特性：

注意，放大系数$\beta$开始下降的频率小于截止频率，我们认为$f_{\beta }$是系数开始大幅下降时的频率，而非开始下降的频率

相频特性：

其相位为：

3.3 特征频率的定义

特征频率$f_T$指的是无载电路中电流增益为1时的频率，与$f_{\beta }$关系如下：

3.4 特征频率可能的最大值

假设一个晶体管的空间电荷区电容$C_{dep}$相对于积极扩散电容$C_{diff}$较小，忽略$C_{dep}$，同时忽视$C_{\mu }$？？？

根据3.3中的公式我们可以得到：

在1.2中，我们得到了$C_{diff}$的表达式
$$C_{diff}=\frac{d{I}_c}{d{V}_{BE}}{\tau }_B=g_m{\tau }_B$$
因此，特征频率$f_T$可以表达为：

可以看出，特征频率仅与电荷穿越基极的时间（更准确地说，是电荷穿过晶体管的总时间）${\tau }_B$相关，所以为了得到高频晶体管，需要将基极宽度做小

一般来说，电路的最大带宽不可以超过$\frac{f_T}{10}$

4. CE的频率特性

4.1 共发射极放大电路电压增益的频率特性

我们现在来看标准共发射极放大器的电压增益
先把传统的电路元件都放上，构建出高频等效电路，如下图：

$C_1,C_2$是密勒定理的产物，$C_S$是杂散电容，也被称为寄生电容，是电感，电阻等元件表现出电容特性的产物，这个东西在低频情况下表现不明显，但在高频时就不能忽略了

得到等效电路后，我们合并元件，对其简化，得到：

将电路看成输入和输出两部分，输入频率为$f_1$，输出频率为$f_2$
我们根据对CE放大电路的预期，认为输入频率的表达式为：

其中


$$A_V^{\prime }=\frac{v_o}{v_{\pi }}$$

认为输出频率的表达式为：

其中：

因为$f_1$中乘入了$A_V$且通常$C_{\pi }>C_S$，可以得出$f_1<<f_2$，这里的$f_1,f_2$实际上可以当作两个独立的截止频率，电压增益会被这两个频率同时限制，因为$f_1$远小于$f_2$，所以我们只需要考虑更严格的限制，也就是只考虑$f_1$就可以了

注意，在任何问题中，都要注意对比得出的$f_1,f_2$的值来确定$f_2$可以被忽略

忽略$f_2$后，电压增益就可以表达成：

其中$f_1$是电压增益带宽，其表达式为：

4.2 共发射极放大器的频率响应

幅频特性：

相频特性：

其相位为：

由于密勒效应，电路里会有两个截止频率，由于$f_1<<f_2$，CE的高频表现通常是由$f_1$决定的，这使得CE的带宽出现了不可忽视的缩减，现在，我们来看看那些能够避免或削弱密勒效应，从而大幅提升带宽的电路

5. CB的频率特性

5.1 共基极放大电路电压增益的频率特性

共基极放大电路中，基极接地，输入与发射极相连，输出与基极和集电极相连，电路图如下：

之前我们在晶体管配置中提到过CB的等效电路，但在高频情况下，需要额外加上电容$C_{\pi },C_{\mu },C_s$，等效电路图如下：

其中$C_{\mu }$并不像CE等效电路中那样横跨输入和输出，因此，CB电路不会受到密勒效应的迫害

同样在之前的文章中，我们计算了CB等效电路的输入电阻为$r_e$，它比$r_{\pi }$要小得多，因此CB的输入时间常量也要比CE放大器小得多？？？

现在，为了像CE中一样找到截止频率$f_1,f_2$，我们需要先化简等效电路，结果如下：


注意这里我们使用的三极管发射极等效电阻并非$r_{\pi }$，而是$r_e$
经过计算后，我们得到$f_1,f_2$表达式如下：

由于没有了密勒效应的存在，$f_1,f_2$差别不大，这意味着只要$C_S$很小，同样参数下的CB放大器的带宽要比CE放大器高出很多

5.2 其它有趣的高频电路

5.2.1 长尾式拆分放大电路

这一电路是两级直流耦合放大电路，由CC后面接入CB组成

因为CC的集电极与GND直接相连，所以CC免疫密勒效应，在高频环境下表现出色

这里CC作为CB的低阻抗源，完成了党和国家交给它的任务，使得电路整体都拥有很好的高频表现

5.2.3 共源共栅放大器

这种配置是CE与CB的组合，由CB作为CE的集电极负载，CE将CB的输入电阻$r_e$当作它的有效负载，使得CE的电压增益等于-1

在这里，CB不受到密勒效应影响，所以可以在高频环境下提供优良的电压增益，整个电路的电流增益由CE提供，电压增益由CB提供，总增益为：