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1. 高频信号的混合π模型
之前,我们建立的等效电路只能在低频情况下使用,现在我们需要建立一个适合高频的模型
对于集成电路中的晶体管,我们有许多元件可以添加,本文只会讨论其中一部分,但是记住,很多其它元件也是非常重要的,尤其是在高频环境下
绝大多数制造商都会提供他们的晶体管的计算机模型,这样我们在使用PSpice之类的软件时就可以直接调用他们
1.1 反馈电阻
由于晶体管内部的泄漏电流,在晶体管的输入和输出之间会有一个反馈电阻
r
μ
r_\mu
rμ
这个电阻通常非常大,在兆欧级别,一般情况下可以忽略
图中箭头指向的就是晶体管内部的漏电流
1.2 基极-射电极电容
这一元件 C π C_\pi Cπ代表的是正向偏置的基极-发射极结,它通常由两部分组成,分别是
- 扩散电容(diffusion capacitance) C d i f f C_{diff} Cdiff
- 空间电荷区电容(space charge region capacitance) C d e p C_{dep} Cdep
图像如下所示:
每当基极-射电极结电压发生变化时,通过基极区域的移动电荷密度就会改变,因此扩散电容通常占主导地位, C π C_\pi Cπ则和基极电荷,基极-射电极电压 Δ Q B / Δ V B E \Delta Q_B/\Delta V_{BE} ΔQB/ΔVBE成比例关系
注意,由于
C
π
C_\pi
Cπ主要通过电阻
r
b
r_b
rb进行充放电,所以
r
b
r_b
rb在高频下变得非常重要,为了高频环境设计的晶体管通常会为了将
r
b
r_b
rb削减到最小而采取特殊处理
图中蓝色圆圈内是晶体管的基极电荷
Q
B
Q_B
QB,当他们穿过基极区域时会产生电流
I
c
I_c
Ic,假设平均穿越时间为
τ
B
\tau_B
τB,电流
I
c
=
Q
B
/
τ
B
I_c=Q_B/\tau_B
Ic=QB/τB
根据
C
d
i
f
f
=
d
Q
B
d
V
B
E
C_{diff}=\frac{dQ_B}{dV_{BE}}
Cdiff=dVBEdQB以及
I
c
=
Q
B
τ
B
I_c=\frac{Q_B}{\tau_B}
Ic=τBQB,可以得出:
C
d
i
f
f
=
d
I
c
d
V
B
E
τ
B
=
g
m
τ
B
C_{diff}=\frac{dI_c}{dV_{BE}}\tau_B=g_m\tau_B
Cdiff=dVBEdIcτB=gmτB
记住室温下
g
m
=
40
I
c
g_m=40I_c
gm=40Ic,所以集电极电流的增大
I
c
I_c
Ic会明显提升扩散电容,这对于晶体管在高频环境下的表现有很大的影响
1.3 基极-集电极电容
这一元件
C
μ
C_\mu
Cμ代表反向偏置的基极-集电极结的电容
这个电容非常小,但我们并不能总是忽视它,这是因为“密勒效应”的存在,我们等下会作出更详细的解释
1.4 小结
这里是一张列出等效元件及他们物理定义的表,里面有些只在高频环境下才需要考虑
2. 密勒效应与密勒定理
2.1 密勒效应
密勒效应是一个在高电压增益放大器中非常重要的概念
下图是一个逆变放大器,它的两端接入了一个阻抗Z
通常情况下,Z的电流应该等于表面上分配给它的电压除以它的阻抗,也就是
i
Z
=
v
i
/
Z
i_Z=v_i/Z
iZ=vi/Z
然而实际上,通过它的电流为
i
Z
=
v
i
−
(
−
A
V
v
i
)
Z
=
v
i
(
1
+
A
V
)
Z
i_Z=\frac{v_i-(-A_Vv_i)}{Z}=\frac{v_i(1+A_V)}{Z}
iZ=Zvi−(−AVvi)=Zvi(1+AV)
如果
−
A
V
-A_V
−AV很大,那么通过Z的电流就会比它本应有的电流要大得多,这也会放大Z的阻抗效应,使得Z的阻值看起来比实际上要小得多
2.2 密勒定理
刚才得密勒效应说明,如果一个阻抗横跨放大器,我们对它得分析就很可能不准确,那么有没有办法把它转化成不横跨放大器的阻抗呢?
密勒定理告诉我们,可以将刚才的阻抗Z转换为两个等效阻抗Z1, Z2,他们分别处于放大器的输入和输出位置,如图所示:
这样一来,电路的输出部分和输入部分就被隔离了,对我们作电路分析有很大帮助
知道这个定理之后,我们需要确定Z的两个等效阻抗的值,计算的思路是让通过等效阻抗的电流与通过原本阻抗的相同,具体步骤这里不详写,以Z1作为输入端阻抗,Z2作为输出端阻抗,结果如下:
Z
1
=
Z
(
1
1
−
A
V
)
Z_1=Z(\frac{1}{1-A_V})
Z1=Z(1−AV1)
Z
2
=
−
Z
(
A
V
1
−
A
V
)
Z_2=-Z(\frac{A_V}{1-A_V})
Z2=−Z(1−AVAV)
注意,对于非逆变单位增益放大器(即理想缓冲区),
A
V
=
+
1
A_V=+1
AV=+1,两个阻抗都为无穷大
在之后的应用中,我们将通过密勒定理简化高频晶体管等效电路
2.3 双极型晶体管的高频模型
之前我们建立了高频环境下的晶体管等效电路,其中有两个元件
C
μ
,
r
μ
C_\mu, r_\mu
Cμ,rμ连接着输入和输出,
r
μ
r_\mu
rμ通常可以忽略,但密勒效应让我们无法忽视
C
μ
C_\mu
Cμ,为此,我们在进一步建立等效电路时需要应用密勒定理来处理
C
μ
C_\mu
Cμ,将其分解为两个电阻,结果如下:
可以看出,如果是一个高增益的逆变放大器, C 1 C_1 C1的值将比 C μ C_\mu Cμ大得多,而 C 2 C_2 C2则与 C μ C_\mu Cμ的值基本相同,同时,由于增益 A V A_V AV对两个电容的影响很大,晶体管将会很大程度上依赖所在电路的频率特性
3. 特征频率
因为电路中有很多电容,电感这类特性随频率变化的元件,信号频率将直接影响电路输入与输出之间的关系,频率响应指的就是正弦信号下不同频率与输出的对应关系。为了能够更好的表达这种关系,我们引入了截止频率 f β f_\beta fβ和特征频率 f T f_T fT,截止频率是电流增益 β \beta β开始大幅下降时的频率,特征频率是 β \beta β降为1时的频率
3.1 特征频率的测量
因为 C 1 , C 2 C_1, C_2 C1,C2的值与增益有关,所以对电路高频性能的测量必须在确定的电压增益下进行,方便起见,我们将采用电压增益为零的情况,并测出此时的电流增益。使电压增益为零很简单,只要用一个大电容横跨射电极与集电极来将其短路,使得输出信号接地就可以了
测量时用的等效电路如图所示:
可以看到,因为输出被短路,所有集电极的元件都被消灭了,只有电流源苟全性命
同时,由于
A
V
=
0
A_V=0
AV=0,根据之前的公式,输入端的
C
1
C_1
C1将与
C
μ
C_\mu
Cμ相等
接着,我们可以将其简化为一个RC电路,如下图所示:
已知电流增益
A
i
A_i
Ai,我们可以计算频率
f
β
f_\beta
fβ,计算过程如下:
最后得出截止频率
f
β
为
f_\beta为
fβ为
因为
f
β
f_\beta
fβ依赖的是电路的电流增益,所以它并不会被
R
s
,
r
b
R_s, r_b
Rs,rb的值影响
3.2 测量电流增益的频率响应
幅频特性:
注意,放大系数
β
\beta
β开始下降的频率小于截止频率,我们认为
f
β
f_\beta
fβ是系数开始大幅下降时的频率,而非开始下降的频率
相频特性:
其相位为:
3.3 特征频率的定义
特征频率
f
T
f_T
fT指的是无载电路中电流增益为1时的频率,与
f
β
f_\beta
fβ关系如下:
3.4 特征频率可能的最大值
假设一个晶体管的空间电荷区电容 C d e p C_{dep} Cdep相对于积极扩散电容 C d i f f C_{diff} Cdiff较小,忽略 C d e p C_{dep} Cdep,同时忽视 C μ C_\mu Cμ???
根据3.3中的公式我们可以得到:
在1.2中,我们得到了
C
d
i
f
f
C_{diff}
Cdiff的表达式
C
d
i
f
f
=
d
I
c
d
V
B
E
τ
B
=
g
m
τ
B
C_{diff}=\frac{dI_c}{dV_{BE}}\tau_B=g_m\tau_B
Cdiff=dVBEdIcτB=gmτB
因此,特征频率
f
T
f_T
fT可以表达为:
可以看出,特征频率仅与电荷穿越基极的时间(更准确地说,是电荷穿过晶体管的总时间)
τ
B
\tau_B
τB相关,所以为了得到高频晶体管,需要将基极宽度做小
一般来说,电路的最大带宽不可以超过 f T 10 \frac{f_T}{10} 10fT
4. CE的频率特性
4.1 共发射极放大电路电压增益的频率特性
我们现在来看标准共发射极放大器的电压增益
先把传统的电路元件都放上,构建出高频等效电路,如下图:
C
1
,
C
2
C_1, C_2
C1,C2是密勒定理的产物,
C
S
C_S
CS是杂散电容,也被称为寄生电容,是电感,电阻等元件表现出电容特性的产物,这个东西在低频情况下表现不明显,但在高频时就不能忽略了
得到等效电路后,我们合并元件,对其简化,得到:
将电路看成输入和输出两部分,输入频率为
f
1
f_1
f1,输出频率为
f
2
f_2
f2
我们根据对CE放大电路的预期,认为输入频率的表达式为:
其中
A
V
′
=
v
o
v
π
A_V'=\frac{v_o}{v_\pi}
AV′=vπvo
认为输出频率的表达式为:
其中:
因为 f 1 f_1 f1中乘入了 A V A_V AV且通常 C π > C S C_\pi>C_S Cπ>CS,可以得出 f 1 < < f 2 f_1<<f_2 f1<<f2,这里的 f 1 , f 2 f_1, f_2 f1,f2实际上可以当作两个独立的截止频率,电压增益会被这两个频率同时限制,因为 f 1 f_1 f1远小于 f 2 f_2 f2,所以我们只需要考虑更严格的限制,也就是只考虑 f 1 f_1 f1就可以了
注意,在任何问题中,都要注意对比得出的 f 1 , f 2 f_1, f_2 f1,f2的值来确定 f 2 f_2 f2可以被忽略
忽略
f
2
f_2
f2后,电压增益就可以表达成:
其中
f
1
f_1
f1是电压增益带宽,其表达式为:
4.2 共发射极放大器的频率响应
幅频特性:
相频特性:
其相位为:
由于密勒效应,电路里会有两个截止频率,由于 f 1 < < f 2 f_1<<f_2 f1<<f2,CE的高频表现通常是由 f 1 f_1 f1决定的,这使得CE的带宽出现了不可忽视的缩减,现在,我们来看看那些能够避免或削弱密勒效应,从而大幅提升带宽的电路
5. CB的频率特性
5.1 共基极放大电路电压增益的频率特性
共基极放大电路中,基极接地,输入与发射极相连,输出与基极和集电极相连,电路图如下:
之前我们在晶体管配置中提到过CB的等效电路,但在高频情况下,需要额外加上电容
C
π
,
C
μ
,
C
s
C_\pi, C_\mu, C_s
Cπ,Cμ,Cs,等效电路图如下:
其中
C
μ
C_\mu
Cμ并不像CE等效电路中那样横跨输入和输出,因此,CB电路不会受到密勒效应的迫害
同样在之前的文章中,我们计算了CB等效电路的输入电阻为 r e r_e re,它比 r π r_\pi rπ要小得多,因此CB的输入时间常量也要比CE放大器小得多???
现在,为了像CE中一样找到截止频率
f
1
,
f
2
f_1, f_2
f1,f2,我们需要先化简等效电路,结果如下:
注意这里我们使用的三极管发射极等效电阻并非
r
π
r_\pi
rπ,而是
r
e
r_e
re
经过计算后,我们得到
f
1
,
f
2
f_1, f_2
f1,f2表达式如下:
由于没有了密勒效应的存在, f 1 , f 2 f_1, f_2 f1,f2差别不大,这意味着只要 C S C_S CS很小,同样参数下的CB放大器的带宽要比CE放大器高出很多
5.2 其它有趣的高频电路
5.2.1 长尾式拆分放大电路
这一电路是两级直流耦合放大电路,由CC后面接入CB组成
因为CC的集电极与GND直接相连,所以CC免疫密勒效应,在高频环境下表现出色
这里CC作为CB的低阻抗源,完成了党和国家交给它的任务,使得电路整体都拥有很好的高频表现
5.2.3 共源共栅放大器
这种配置是CE与CB的组合,由CB作为CE的集电极负载,CE将CB的输入电阻 r e r_e re当作它的有效负载,使得CE的电压增益等于-1
在这里,CB不受到密勒效应影响,所以可以在高频环境下提供优良的电压增益,整个电路的电流增益由CE提供,电压增益由CB提供,总增益为: