4.2 晶体管的高频等效模型

 

4.2 晶体管的高频等效模型

当处理高频信号时，晶体管内部的寄生电容（集电极电容和发射极电容）对其性能有显著影响。这些影响需要通过一个高频等效模型来分析，这种模型常被称为混合π模型。本节将详细解释混合π模型的构成及其在高频应用中的重要性。

4.2.1 晶体管的混合π模型

完整的混合π模型

混合π模型是从晶体管的物理结构出发，综合考虑了发射结和集电结电容的影响，以及其它重要电阻和电容参数。如图4.2.1所示，这个模型包括：

• 集电区体电阻 𝑟𝑐rc​ 和发射区体电阻 𝑟𝑒re​：这些电阻的值通常较小，经常可以忽略不计。
• 集电结电容 𝐶𝑐Cc​ 和 发射结电容 𝐶𝑒Ce​：这些寄生电容对高频信号的处理至关重要，因为它们在高频时的反应对信号的整体响应有重大影响。
• 基区体电阻 𝑟𝑏rb​：影响晶体管的输入阻抗。
• 跨导 𝑔𝑚gm​：描述发射结电压 𝑈𝐵𝐸UBE​ 对集电极电流 𝐼𝐶IC​ 的控制关系，这是一个关键参数，表明输入电压变化对输出电流的影响程度。

简化的混合π模型

在许多实际应用中，由于负载电阻远大于 𝐶𝑒Ce​ 的容抗，和 𝑟𝑒re​ 也远大于 𝐶𝑐Cc​ 的容抗，可以认为 𝑟𝑐rc​ 和 𝑟𝑒re​ 是开路的。此外，为了简化电路分析，常常将集电结电容 𝐶𝑐Cc​ 等效到输入和输出回路中去，这个过程称为单向化。单向化后的模型更易于分析和理解。

单向化后的混合π模型

单向化过程涉及将集电结电容 𝐶𝑐Cc​ 按照其对电路影响的等效方式重新分配到模型的输入和输出部分。这样处理后，模型更为简单，便于分析和设计。

用途和计算

混合π模型广泛用于分析晶体管在高频应用（如射频放大器、高速开关电路等）中的行为。通过计算和调整模型中的参数，如 𝐶𝑐Cc​、𝑔𝑚gm​ 和各电阻值，可以精确地设计出满足特定高频性能要求的电路。

在器件手册中，可以找到晶体管的相关参数，如截止频率 𝑓𝑇fT​ 和 𝐶𝑐Cc​ 的估算值。这些参数是计算 𝑟𝑒re​ 和进一步确定电路设计参数（如 𝐶𝑐Cc​ 的等效值）的基础。

总结

混合π模型是理解和设计高频晶体管电路的一个重要工具。通过适当地应用这个模型，可以有效地提高电路设计的性能，特别是在处理高频信号时的响应和稳定性。