模电学习笔记--------半导体与PN结

一、半导体的在电路中的使用

半导体器件是构成电子电路的基本元件，是经过特殊加工且性能可控的的半导体材料。

二、半导体的分类及特性

1.普通半导体：

常用的半导体材料有硅(Si)和锗(Ge)，它们的化学价为四，它们最外层的电子容易挣脱原子核的束缚成为自由电子，不会像绝缘体被束缚得很紧，也不会像导体一样很容易，因此自由电子的数量介于二者之间，所以导电性能也位于二者之间。

2.本征半导体

将纯净的半导体经过一定的工艺过程制作为单晶体就形成了本征半导体(纯净的具有晶体结构的半导体)。

3.本征半导体的特性

本征半导体中，由于热运动会导致共价键中的电子挣脱束缚成为自由电子(带负电)，而电子原来位置会留下一个空穴(带正电)，所以本征半导体中存在两种载流子，即自由电子和空穴。
本征激发：半导体在热激发作用下产生自由电子和空穴对的现象
复合：自由电子和空穴相互填补，两者同时消失
本征半导体中两种载流子的浓度计算公式如下：

$${\mathbf{n}}_{\mathbf{i}}={\mathbf{p}}_{\mathbf{i}}={\mathbf{K}}_1\ast {\mathbf{T}}^{\frac{3}{2}}\ast {\mathbf{e}}^{\frac{-{\mathbf{E}}_{\mathbf{G}\mathbf{O}}}{2\mathbf{k}\mathbf{T}}}$$

• $$n_i:自由电子的浓度$$
• $$p_i:空穴的浓度$$
• $$K_1:半导体材料载流子有效质量、有效能级密度有关的产量$$
• $$T:热力学温度$$
• $$E_{GO}:热力学零度时破坏共价键所需的能量，又称禁带宽度$$
• $$k:玻尔兹曼常数$$

4.杂质半导体

由于本征半导体的导电性能很差，且与温度环境密切相关，故在其中掺入少量的合适的杂质元素形成杂质半导体。
N型半导体：通过掺入高价元素(如磷)形成，N型半导体中自由电子的浓度较高，形成多数载流子，空穴为少数载流子。自由电子由高价元素失去电子产生，故掺入的杂质称为施主原子。
P型半导体：通过掺入低价元素(如硼)形成，P型半导体中空穴的浓度较高，形成多数载流子，自由电子为少数载流子。空穴由高价元素束缚电子产生，故掺入的杂质称为守主原子。

三、PN结

采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，它们交界的地方就形成了PN结。

1.PN结的形成

当把P型半导体和N型半导体制作在一起的时候，在它们交界的地方，P区的空穴向N区扩散，N区的自由电子向P区扩散，过程如下图所示。

随着时间的增加，在交界处多子(多数载流子)的浓度下降，逐渐形成了空间电荷区，如下图所示，且空间电荷去阻止了扩散运动的进行。

当P区与N区中掺入的杂质相等时，所形成空间电荷去正离子和负离子的宽度相等，则称之为对称结，反之则称为不对称结，但是两种的外部特性是相同的。由于空间电荷区的载流子很少，只考虑离子的电荷，这种方法称为“耗尽层近似”，故也称空间电荷区为耗尽层。

2.PN结的单向导电性

当给PN结加上正向电压时，破坏了原来PN结内的电场平衡，加剧了扩散运动，从而形成了电流，PN结导通；当给PN结加上反向电压时，加剧了原来电场的平衡，形成漂移电流，也称反向电流，且电流很小，从外部看PN结处于截止状态。

3.PN结的电流方程

PN结构加正向电压时的电流与电压关系如下所示：
$$i=I_s(e^{\frac{qu}{kT}}-1)$$

• $$I_s:反向饱和电流$$
• $$k:玻尔兹曼常数$$
• $$T:热力学温度$$
  $$将\frac{kT}{q}用U_T取代，则有：$$
  $$i=I_s(e^{\frac{u}{U_T}}-1)$$
  $$U_T:温度的电压当量，当T=300K时，U_T=26mV$$

四、总结

除了上述之外，PN结的知识还有伏安特性曲线和电容效应等，伏安特性曲线理解较为简单，而电容效应需要在高频电路中才需要用到，这里就不介绍了。